公开(公告)号：CN101449398B

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN200780018302.X

申请日：2007-03-27

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 山中贞则 ,  小野善伸 ,  上田和正

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种发光元件，其直接测定从发光元件的芯片放出的光时的配光分布I(θ、ф)不依存于ф方向，而是具有大体由I(θ、ф)＝I(θ)表示的配光分布，I(θ、ф)表示(θ、ф)方向的光强度分布，θ表示来自发光元件的光引出面的法线方向的角度(0≤θ≤90°)，ф表示法线的周围的旋转角(0≤ф≤360°)，I(θ)在θ＝90°下表示接近于零的单递减函数。在构成发光元件的芯片的结构体之中，涉及对于从发光层发出的光为透明的结构体部分的大小，横向的大小和厚度方向的大小的比为5以上，并且在发光元件芯片的表面或该透明的结构体部分的内部，具有有着光散射功能的结构。

公开(公告)号：CN101218688A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200680024736.6

申请日：2006-07-05

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 西川直宏 ,  上田和正 ,  笠原健司 ,  土田良彦

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L33/007 ,  H01L33/22

Abstract: 本发明提供一种基板及半导体发光元件。基板形成具有曲面的凸部而成。半导体发光元件包括形成具有曲面的凸部而成的基板和在基板上的半导体层。

公开(公告)号：CN1871699B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200480031316.1

申请日：2004-10-25

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦 ,  小野善伸 ,  上田和正

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/329 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/2003

Abstract: 提供化合物半导体基板的制造方法，包含以下的工序(a)～(e)。(a)在基板(1)上，通过外延生长形成化合物半导体功能层(2)；(b)在化合物半导体功能层(2)上接合支撑基板(3)；(c)通过研磨除去基板(1)、与基板(1)接触一侧的化合物半导体功能层(2)的一部分；(d)在通过工序(c)露出的化合物半导体功能层(2)的表面接合具有比基板(1)大的热传导率的高热传导性基板(4)，取得多层基板；(e)从多层基板分离支撑基板(3)。

公开(公告)号：CN101218688B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200680024736.6

申请日：2006-07-05

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 西川直宏 ,  上田和正 ,  笠原健司 ,  土田良彦

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L33/007 ,  H01L33/22

Abstract: 本发明提供一种基板及半导体发光元件。基板形成具有曲面的凸部而成。半导体发光元件包括形成具有曲面的凸部而成的基板和在基板上的半导体层。

公开(公告)号：CN101283456B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200680035398.6

申请日：2006-09-27

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 山中贞则 ,  上田和正 ,  土田良彦

IPC: H01L33/00 ,  C23C16/34 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明公开一种III-V族氮化物半导体的制造方法和发光器件的制造方法。III-V族氮化物半导体的制造方法按顺序包括工序(i)、(ii)和(iii)。发光器件的制造方法按顺序包括工序(i)、(ii)、(iii)和(iv)。各工序为：(i)在基板上配置无机粒子的工序，(ii)使半导体层生长的工序，(iii)向基板与半导体层之间照射光，将基板与半导体层分离的工序，以及(iv)形成电极的工序。

公开(公告)号：CN101061571B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200580039647.4

申请日：2005-11-22

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 上田和正 ,  西川直宏

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L51/5048 ,  H01L51/5268

Abstract: 本发明提供一种半导体层叠基板、其制造方法以及发光元件。是具有半导体层的半导体层叠基板，该半导体层包含除了金属氮化物的无机粒子(二氧化硅、氧化铝、氧化锆、二氧化钛、二氧化铈、氧化镁、氧化锌、氧化锡、钇铝石榴石等)，半导体层叠基板的制造方法包括以下的工序(a)和工序(b)，(a)是在基板上配置除了金属氮化物的无机粒子的工序；(b)是使半导体层生长的工序，发光元件包含所述的半导体层叠基板。

公开(公告)号：CN101449398A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200780018302.X

申请日：2007-03-27

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 山中贞则 ,  小野善伸 ,  上田和正

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种发光元件，其直接测定从发光元件的芯片放出的光时的配光分布I(θ、ф)不依存于ф方向，而是具有大体由I(θ、ф)＝I(θ)表示的配光分布，I(θ、ф)表示(θ、ф)方向的光强度分布，θ表示来自发光元件的光引出面的法线方向的角度(0≤θ≤90°)，ф表示法线的周围的旋转角(0≤ф≤360°)，I(θ)在θ＝90°下表示接近于零的单递减函数。在构成发光元件的芯片的结构体之中，涉及对于从发光层发出的光为透明的结构体部分的大小，横向的大小和厚度方向的大小的比为5以上，并且在发光元件芯片的表面或该透明的结构体部分的内部，具有有着光散射功能的结构。

公开(公告)号：CN101283456A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200680035398.6

申请日：2006-09-27

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 山中贞则 ,  上田和正 ,  土田良彦

IPC: H01L33/00 ,  C23C16/34 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明公开一种III－V族氮化物半导体的制造方法和发光器件的制造方法。III－V族氮化物半导体的制造方法按顺序包括工序(i)、(ii)和(iii)。发光器件的制造方法按顺序包括工序(i)、(ii)、(iii)和(iv)。各工序为：(i)在基板上配置无机粒子的工序，(ii)使半导体层生长的工序，(iii)向基板与半导体层之间照射光，将基板与半导体层分离的工序，以及(iv)形成电极的工序。

公开(公告)号：CN1871699A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200480031316.1

申请日：2004-10-25

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦 ,  小野善伸 ,  上田和正

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/329 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/2003

Abstract: 提供化合物半导体基板的制造方法，包含以下的工序(a)～(e)。(a)在基板(1)上，通过外延生长形成化合物半导体功能层(2)；(b)在化合物半导体功能层(2)上接合支撑基板(3)；(c)通过研磨除去基板(1)、与基板(1)接触一侧的化合物半导体功能层(2)的一部分；(d)在通过工序(c)露出的化合物半导体功能层(2)的表面接合具有比基板(1)大的热传导率的高热传导性基板(4)，取得多层基板；(e)从多层基板分离支撑基板(3)。