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公开(公告)号：CN109906211A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201780067435.X
申请日：2017-06-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/01 , C23C14/34 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供：一种包含In2O3晶相、Zn4In2O7晶相和ZnWO4晶相的氧化物烧结材料，其中由所述ZnWO4晶相构成的晶粒的圆度大于等于0.01且小于0.7；一种用于制造所述氧化物烧结材料的方法；以及一种用于制造半导体器件的方法，所述半导体器件包含使用所述氧化物烧结材料作为溅射靶而形成的氧化物半导体膜。
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公开(公告)号：CN105745183B
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201580002686.0
申请日：2015-06-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC classification number: C04B35/01 , C04B35/62655 , C04B35/62675 , C04B35/62685 , C04B35/64 , C04B2235/3217 , C04B2235/3231 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/604 , C04B2235/72 , C04B2235/76 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/79 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01J37/3429 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/786 , H01L29/7869
Abstract: 提供一种包括铟、钨和锌的氧化物烧结体，其中氧化物烧结体包括作为主要成分的红绿柱石型晶相且具有高于6.8g/cm3且等于或低于7.2g/cm3的表观密度，氧化物烧结体中的钨对铟、钨和锌总和的含量比高于0.5原子％且等于或低于1.2原子％，以及氧化物烧结体中的锌对铟、钨和锌总和的含量比高于0.5原子％且等于或低于1.2原子％。也提供一种制造氧化物烧结体的方法，包括氧化物烧结体的溅射靶，以及包括通过使用溅射靶的溅射方法形成氧化物半导体膜(14)的半导体器件(10)。
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公开(公告)号：CN106104811A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580015362.0
申请日：2015-08-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/786 , C01G41/00 , C23C14/08 , H01L21/336 , H01L21/363
Abstract: 提供了一种由纳米晶氧化物或非晶氧化物构成的氧化物半导体膜(14)，其中，所述氧化物半导体膜包括铟、钨和锌，所述氧化物半导体膜中的钨与所述氧化物半导体膜中的铟、钨和锌总和的含量比率高于0.5原子％且等于或低于5原子％，并且电阻率等于或高于10‑1Ωcm。还提供了一种包括所述氧化物半导体膜的半导体器件(10)。
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公开(公告)号：CN105246856A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201580000813.3
申请日：2015-03-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC classification number: C23C14/3414 , B28B3/003 , C04B35/01 , C04B35/6261 , C04B35/62675 , C04B35/62685 , C04B35/64 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/326 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/602 , C04B2235/6567 , C04B2235/6583 , C04B2235/661 , C04B2235/72 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/35 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/22 , H01L29/78609 , H01L29/78681 , H01L29/7869
Abstract: 提供了：包括铟、钨和锌的氧化物烧结体，该氧化物烧结体包括红绿柱石型晶相作为主要成分，表观密度高于6.5g/cm3且等于或低于7.1g/cm3，并且钨含量与铟、钨和锌的总含量比高于1.2原子％且低于30原子％，且锌与铟、钨和锌的总计的含量比大于1.2原子％且小于30原子％；还提供了一种包括这种氧化物烧结体的溅射靶；和一种包括通过使用该溅射靶，通过溅射法形成的氧化物半导体膜(14)的半导体器件(10)。
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公开(公告)号：CN110621637B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201880032388.X
申请日：2018-05-01
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/01 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种氧化物烧结材料及其制造方法以及氧化物半导体膜。所述氧化物烧结材料含有In、W和Zn，包含In2O3晶相和In2(ZnO)mO3晶相(m表示自然数)，并且与铟原子配位的平均氧原子数为3以上且小于5.5。所述氧化物半导体膜含有In、W和Zn。所述氧化物半导体膜为非晶的，并且与铟原子配位的平均氧原子数为2以上且小于4.5。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109219890B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201780032780.X
申请日：2017-02-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/786
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件和制造所述半导体器件的方法，所述半导体器件包含以与栅极绝缘层接触的方式布置的通道层，所述通道层包含含有铟、钨和锌的氧化物半导体，在所述通道层中所述钨相对于所述铟、所述钨和所述锌的总量的含量大于0.01原子％且小于或等于8.0原子％，所述通道层依次包含第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域包含与所述栅极绝缘层接触的第一表面，所述第三区域包含与所述第一表面相反的第二表面，在所述第三区域中所述钨相对于所述铟、所述钨和所述锌的总量的含量W3(原子％)大于所述第二区域中所述钨相对于所述铟、所述钨和所述锌的总量的含量W2(原子％)。
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公开(公告)号：CN110621637A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201880032388.X
申请日：2018-05-01
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/01 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种氧化物烧结材料及其制造方法以及氧化物半导体膜。所述氧化物烧结材料含有In、W和Zn，包含In2O3晶相和In2(ZnO)mO3晶相(m表示自然数)，并且与铟原子配位的平均氧原子数为3以上且小于5.5。所述氧化物半导体膜含有In、W和Zn。所述氧化物半导体膜为非晶的，并且与铟原子配位的平均氧原子数为2以上且小于4.5。
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公开(公告)号：CN109219890A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201780032780.X
申请日：2017-02-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/786
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件和制造所述半导体器件的方法，所述半导体器件包含以与栅极绝缘层接触的方式布置的通道层，所述通道层包含含有铟、钨和锌的氧化物半导体，在所述通道层中所述钨相对于所述铟、所述钨和所述锌的总量的含量大于0.01原子％且小于或等于8.0原子％，所述通道层依次包含第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域包含与所述栅极绝缘层接触的第一表面，所述第三区域包含与所述第一表面相反的第二表面，在所述第三区域中所述钨相对于所述铟、所述钨和所述锌的总量的含量W3(原子％)大于所述第二区域中所述钨相对于所述铟、所述钨和所述锌的总量的含量W2(原子％)。
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公开(公告)号：CN107001146A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201680003741.2
申请日：2016-05-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种包含铟、钨和锌的氧化物烧结材料，所述氧化物烧结材料包含：第一晶相，所述第一晶相为所述氧化物烧结材料的主要成分并包含方铁锰矿型晶相；和第二晶相，所述第二晶相的锌的含量比所述第一晶相的锌的含量高，所述第二晶相包含平均长轴尺寸为3μm以上且50μm以下并且平均长径比为4以上且50以下的粒子。
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公开(公告)号：CN103608310B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201280029318.1
申请日：2012-06-12
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/00 , C01G15/00 , C04B35/44 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: C01G9/00 , C01G15/00 , C04B35/44 , C04B35/443 , C04B35/62685 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/3865 , C04B2235/5409 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 导电性氧化物包含In、Al、选自由Zn和Mg组成的组中的至少一种元素M以及O并且包含结晶质Al2MO4。导电性氧化物的制造方法包括：在将选自由Zn和Mg组成的组中的至少一种元素设为M时，制备包含Al2O3粉末和MO粉末的第一混合物的工序(S10)；通过对第一混合物进行煅烧而制作结晶质Al2MO4粉末的工序(S20)；制备包含结晶质Al2MO4粉末和In2O3粉末的第二混合物的工序(S30)；通过对第二混合物进行成形而得到成形体的工序(S40)；以及对成形体进行烧结的工序(S50)。由此，可以提供廉价且适合用于溅射的靶而得到高物性的氧化物半导体膜的导电性氧化物及其制造方法以及氧化物半导体膜。
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