公开(公告)号：CN102473607A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200980160793.0

申请日：2009-08-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 桥本信 ,  田边达也

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/46

CPC classification number: C23C16/46 ,  C30B25/10 ,  C30B25/16 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 当在加热气氛中在半导体衬底(10)等上沉积膜时，造成半导体衬底(10)只由于温度升高而发生相当大程度的翘曲(弯曲)。所述衬底的翘曲导致诸如衬底(10)上形成的膜质量均匀性劣化以及在衬底(10)中产生裂缝的概率增加的问题。本发明的膜形成装置(200)通过从上侧和下侧都加热主表面，来减小衬底(10)的主表面的上侧和下侧之间的温度梯度(温度差)，由此抑制衬底(10)的翘曲。更优选地，膜形成装置(200)还包括用于测量衬底(10)的曲率或翘曲的测量单元(5)。

公开(公告)号：CN101842884B

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN200880114264.2

申请日：2008-10-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 桥本信 ,  田边达也

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明的III族氮化物基异质结晶体管11a中，第二AlY1InY2Ga1-Y1-Y2N层1 5与第一Alx1Inx2Ga1-x1-x2N层13a形成异质结21。第一电极17在第一Alx1Inx2Ga1-x1-x2N层13a上形成肖特基结。第一Alx1Inx2Ga1-x1-x2N层13a及第二AlY1InY2Ga1-Y1-Y2N层15设置于衬底23上。电极17a、18a、19a各自包含源极、栅极及漏极。第一Alx1Inx2Ga1-x1-x2N层13a的碳浓度NC13小于1×1017cm-3。第二AlY1InY2Ga1-Y1-Y2N层15的位错密度D为1×108cm-2。通过异质结21，生成二维电子气层25。由此，提供低损耗的氮化镓基电子器件。

公开(公告)号：CN1977366B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200680000383.6

申请日：2006-03-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 桥本信 ,  木山诚 ,  樱田隆 ,  田边达也 ,  三浦广平 ,  宫崎富仁

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L21/205 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

Abstract: 提供具有高纯度沟道层和高阻缓冲层的高电子迁移率晶体管。高电子迁移率晶体管11设有由氮化镓构成的支撑衬底13、由第一氮化镓半导体构成的缓冲层15、由第二氮化镓半导体构成的沟道层17、由第三氮化镓半导体构成的半导体层19以及用于晶体管11的电极结构(栅电极21、源电极23和漏电极25)。第三氮化镓半导体的带隙比第二氮化镓半导体更宽。第一氮化镓半导体的碳浓度NC1是4×1017cm-3以上。第二氮化镓半导体的碳浓度NC2小于4×1016cm-3。

公开(公告)号：CN1969380A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200680000315.X

申请日：2006-03-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 田边达也 ,  三浦广平 ,  木山诚 ,  樱田隆

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L21/205 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003

Abstract: 提供一种III族氮化物半导体器件，其中可以减小来自肖特基电极的漏电流。在高电子迁移率晶体管11中，支撑衬底13由AlN、AlGaN或GaN构成，具体地。AlyGa1－yN外延层15具有用于150秒或以下的(0002)面XRD的半幅全宽。在氮化镓支撑衬底13和AlyGa1－yN外延层(0＜Y≤1)之间设置GaN外延层17。在AlyGa1－yN外延层15上设置肖特基电极19。肖特基电极19构成高电子迁移率晶体管11的栅电极。在氮化镓外延层15上设置源电极21。在氮化镓外延层15上设置漏电极23。