-
公开(公告)号：CN1026599C
公开(公告)日：1994-11-16
申请号：CN90102669.7
申请日：1990-03-31
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/24 , C23C16/455 , C23C16/46 , C23C16/463 , C30B25/10 , C30B25/105 , C30B29/06
Abstract: 一种形成晶体薄膜的方法，它包括将为形成晶体薄膜的气态原料和能与原料起化学反应的气态卤氧化剂各自引入到装有基片的薄膜形成空间以形成薄膜，基片由按预定温度分布的非单晶材料的表面组成。
-
公开(公告)号：CN1015007B
公开(公告)日：1991-12-04
申请号：CN86107084
申请日：1986-10-21
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 一种形成沉积膜的方法包括：把形成沉积膜的气态原料，对该原料具有氧化作用的气态卤素氧化剂(X)和有同样性质的至少一种气态氧型和氮型氧化剂导入反应区，使它们有效地接触以形成包括处于激发态的多种中间体，和用途这些中间体中的至少一种作为沉积膜组分的原料源以便在存在于成膜区中的基底上形成沉积膜。形成沉积膜的另一方法与上法相似，但增加了含作为价电子控制剂的要素的成分的气态原料(D)。
-
公开(公告)号：CN86108412A
公开(公告)日：1987-07-29
申请号：CN86108412
申请日：1986-12-11
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/03921 , H01L31/075 , H01L31/202 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种改进的具有符合要求的光电转换层的光电动势元件，该光电转换层采用一种能够用来形成沉积膜的物质和一种电子氧化剂在没有等离子体的情况下制备。本发明还涉及了制备该元件的方法和装置。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1305763C
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN03804814.0
申请日：2003-02-21
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 提供了一种多晶硅衬底的制备方法，这种多晶硅具有作为太阳能电池衬底的优异特性。切割通过定向凝固制成的多晶硅铸锭(10)，使多晶硅衬底(13)的主表面(14)的法线与通过定向凝固制成的多晶硅铸锭(10)的晶粒(11)的纵向基本上垂直。
-
公开(公告)号：CN1007564B
公开(公告)日：1990-04-11
申请号：CN86108693
申请日：1986-12-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/78
CPC classification number: H01L21/02381 , H01L21/02422 , H01L21/02425 , H01L21/02433 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , Y10S148/057 , Y10S148/169 , Y10S438/909
Abstract: 提供一种基本半导体层，包含由非晶材料构成层改进的薄膜晶体管，其制备方法如下：将含有能够成为所述层组分原子的气态物质(i)通过输送管引入放有基底的成膜室，将对该气态物质具有氧化性能的气态卤族物质。(ii)通过氧化剂输送管引入该成膜室；使该气态物质和该气态卤族氧化剂在成膜室内无等离子体的情况下发生化学反应，产生含受激先质的多种先质；至少利用这些先质中的一种作为供应源，在基底上形成所述的层。
-
公开(公告)号：CN1007104B
公开(公告)日：1990-03-07
申请号：CN86108412
申请日：1986-12-11
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/03921 , H01L31/075 , H01L31/202 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种改进的具有符合要求的光电转换层的光电动势元件，该光电转换层采用一种能够用来形成沉积膜的物质和一种电子氧化剂在没有等离子体的情况下制备。本发明还涉及了制备该元件的方法和装置。
-
公开(公告)号：CN86108693A
公开(公告)日：1987-08-12
申请号：CN86108693
申请日：1986-12-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/365
CPC classification number: H01L21/02381 , H01L21/02422 , H01L21/02425 , H01L21/02433 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , Y10S148/057 , Y10S148/169 , Y10S438/909
Abstract: 提供一种基本半导体层，包含由非晶材料构成层改进的薄膜晶体管，其制备方法如下：将含有能够成为所述层组分原子的气态物质(i)通过输送管引入放有基底的成膜室，将对该气态物质具有氧化性能的气态卤族物质。(ii)通过氧化剂输送管引入该成膜室；使该气态物质和该气态卤族氧化剂在成膜室内无等离子体的情况下发生化学反应，产生含受激先质的多种先质；至少利用这些先质中的一种作为供应源，在基底上形成所述的层。
-
-
-
-
-
-
Search Results
18
records
(took 0.02 seconds)
