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公开(公告)号：CN101625524B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200910140187.4
申请日：2009-07-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/0382 , Y10S430/114 , Y10S430/128
Abstract: 本发明是一种化学增幅型光阻组合物，其至少含有1种或2种以上的具有羧基且不含有共价键结于碱性中心即氮上的氢的胺化合物或氧化胺化合物，但排除胺及氧化胺的氮原子被包含于芳香环的环状结构的情形。由此，可提供一种化学增幅光阻材料等的光阻材料、及使用此材料的图案形成方法，该光阻材料在用于微加工的微影成像术且特别是使用KrF激光、ArF激光、F2激光、极短紫外线、电子射线、X射线等作为曝光光源的微影术中，可赋予高解像性，同时在基板界面也能赋予良好图案形状。
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公开(公告)号：CN118878395A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410539199.9
申请日：2024-04-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07C19/01 , C07C17/16 , C07F3/02 , C07C2/86 , C07C9/22 , C07C29/36 , C07C29/40 , C07C31/125 , C07C45/51 , C07C47/02 , C07C41/48 , C07C43/303
Abstract: 本发明涉及一种如下通式(1)的1‑卤代‑2,6,14‑三甲基十八烷化合物，其中X1表示卤素原子。本发明还涉及制备如下通式(4)的5,13,17‑三甲基烷烃化合物的方法，其中n表示14至18的整数，该方法包括将上述1‑卤代‑2,6,14‑三甲基十八烷化合物(1)转化为如下通式(2)的亲核试剂2,6,14‑三甲基十八烷基化合物，其中M1表示Li或MgZ1，且Z1表示卤素原子或2,6,14‑三甲基十八烷基基团，随后使所述亲核试剂2,6,14‑三甲基十八烷基化合物(2)与如下通式(3)的亲电烷基试剂进行偶联反应，其中X2表示卤素原子或对甲苯磺酰氧基基团，且n如上文所定义，以形成上述5,13,17‑三甲基烷烃化合物(4)。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118139527A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202280071080.2
申请日：2022-10-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明的目的是提供一种用于减少属于切叶蚁亚科的蚁群中蚂蚁数量的防控制剂和防控方法。更具体地，提供了一种组合物，该组合物至少包含：至少一种包含在属于切叶蚁亚科的蚂蚁的警报信息素组合物中的警报信息素化合物；和至少一种具有19至50个碳原子的对蚂蚁具有生理活性的烃化合物。还提供了：一种蚂蚁防控制剂，所述制剂包含至少所述组合物和所述组合物的容纳容器或承载载体；以及一种使用所述防控制剂的蚂蚁防控方法。还提供了：一种蚂蚁防控制剂，所述制剂包含：至少一种用于诱导属于切叶蚁亚科的蚂蚁对同一物种的攻击或驱逐所述蚂蚁的化合物；和所述化合物的容纳容器或承载载体。还提供一种使用所述防控制剂的蚂蚁防控方法。
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公开(公告)号：CN118005491A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311486219.2
申请日：2023-11-09
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07C45/27 , C07C49/203
Abstract: 本发明涉及一种制备下式(5)的(Z)‑7‑十四碳烯‑2‑酮的方法，所述方法包括如下步骤：将以下通式(1)的(Z)‑1‑卤代‑4‑十一碳烯化合物(1)，其中X1表示卤素原子，转变为以下通式(2)的亲核试剂(Z)‑4‑十一碳烯基化合物，其中M1表示Li或MgZ1，并且Z1表示卤素原子或(4Z)‑4‑十一碳烯基基团，使亲核试剂(Z)‑4‑十一碳烯基化合物(2)与下式(3)的环氧丙烷进行加成反应以获得下式(4)的(Z)‑7‑十四碳烯‑2‑醇，并且氧化如此获得的(Z)‑7‑十四碳烯‑2‑醇(4)以形成(Z)‑7‑十四碳烯‑2‑酮(5)。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN117164461A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310642871.2
申请日：2023-06-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07C69/24 , C07C67/293 , C07F9/54 , C07C29/09 , C07C17/16 , C07C21/19 , C07F3/02 , C07C41/50 , C07C45/42 , C07C47/21 , C07C29/14 , C07C33/02 , C07C67/08 , C07C69/145
Abstract: 本发明提供一种新颖的化合物(4Z,6E)‑4,6‑十一碳二烯基三甲基乙酸酯(1)。本发明还提供一种制备(4Z,6E)‑4,6‑十一碳二烯基三甲基乙酸酯(1)的方法，该方法包括：使4‑卤代丁基三甲基乙酸酯化合物(2)，其中X1表示卤素原子，与具有如下通式(3)的膦化合物进行鏻盐形成反应，其中Ar彼此独立地表示芳基，以得到[4‑(三甲基乙酰氧基)丁基]三芳基卤化鏻化合物(4)，其中Y表示卤素原子，并且Ar如上所限定；使所述[4‑(三甲基乙酰氧基)丁基]三芳基卤化鏻化合物(4)在碱存在下进行去质子化反应以得到反应产物混合物；以及使所述反应产物混合物与(2E)‑2‑庚烯醛(5)进行维蒂希反应以得到(4Z,6E)‑4,6‑十一碳二烯基三甲基乙酸酯(1)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111995751B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202010451030.X
申请日：2020-05-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C08G73/12 , C08J5/18 , H01L21/308
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用材料、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、以及图案形成方法。课题为提供不仅在空气中，在钝性气体中的成膜条件亦会硬化，不产生副产物，耐热性、形成于基板的图案的填埋、平坦化特性优良，而且可形成对基板的密接性良好的有机下层膜的使用有含酰亚胺基团的聚合物的有机膜形成用组成物、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法及图案形成方法。解决方法为有机膜形成用材料，其含有(A)聚合物，具有式(1A)表示的重复单元且末端基团为式(1B)及(1C)中任一者表示的基团、及(B)有机溶剂。W1为4价有机基团，W2为2价有机基团。R1为式(1D)表示的基团中的任一者，也可组合使用2种以上的R1。
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公开(公告)号：CN107540491B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201710387797.9
申请日：2017-05-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种糖醇化合物的金属低减法，所述方法用于得到能够适用于半导体装置制造工序的品质的糖醇化合物。所述糖醇化合物的金属低减法包含：(A)使用保护基团，保护含有作为杂质的金属的糖醇化合物的羟基的保护工序，(B)从上述羟基通过保护基团受到保护的糖醇化合物中，除去作为杂质的金属的金属除去工序，以及(C)对上述除去了金属的糖醇化合物的保护基团进行脱保护的脱保护工序。
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公开(公告)号：CN108693713A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810275797.4
申请日：2018-03-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , C07C39/14 , C07C39/17 , C07C69/94 , C07C2603/18 , C07D251/32 , C07D487/04 , C08F220/28 , C08F220/32 , C08F2220/281 , C08F2800/20 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/16 , G03F7/168 , G03F7/2041 , G03F7/322 , G03F7/38 , H01L21/266 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/31133 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/0276
Abstract: 本发明提供一种具有优异的耐受碱性过氧化氢水的性能、良好的嵌入/平坦化特性、及干法蚀刻特性的抗蚀剂下层膜材料、使用了该抗蚀剂下层膜材料的图案形成方法、及抗蚀剂下层膜形成方法。其为用于多层抗蚀剂法的抗蚀剂下层膜材料，其含有：(A1)下述通式(X)表示的化合物中的一种或两种以上；以及，(B)有机溶剂。[化学式1] 式中，n01表示1～10的整数，n01为2时，W表示亚硫酰基、磺酰基、醚基、或碳原子数为2～50的二价有机基团，n01为2以外的整数时，W表示碳原子数为2～50的n01价有机基团。此外，Y表示单键或碳原子数为1～10的可包含氧原子的二价连接基团。
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公开(公告)号：CN108693705A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810275395.4
申请日：2018-03-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004
CPC classification number: G03F7/11 , C07C39/14 , C07C39/15 , C07C49/83 , C07C2603/18 , C08F220/28 , C08F220/32 , C08F2220/283 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/16 , G03F7/168 , G03F7/2041 , G03F7/322 , G03F7/38 , H01L21/266 , H01L21/3081 , H01L21/31133 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , G03F7/004
Abstract: 本发明提供一种具有优异的耐受碱性过氧化氢水的性能、良好的嵌入/平坦化特性、及干法蚀刻特性的抗蚀剂下层膜材料。其为用于多层抗蚀剂法的抗蚀剂下层膜材料，其含有：(A1)包含下述通式(1)表示的重复单元中的一种或两种以上的聚合物(1A)；(A2)式量为2,000以下的、不具有3,4‑二羟基苯基的多酚化合物中的一种或两种以上；以及(B)有机溶剂。[化学式1]
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公开(公告)号：CN102591152B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201110442501.1
申请日：2009-07-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/0382 , Y10S430/114 , Y10S430/128
Abstract: 本发明是一种化学增幅型光阻组合物，其至少含有1种或2种以上的具有羧基且不含有共价键结于碱性中心即氮上的氢的胺化合物或氧化胺化合物，但排除胺及氧化胺的氮原子被包含于芳香环的环状结构的情形。由此，可提供一种化学增幅光阻材料等的光阻材料、及使用此材料的图案形成方法，该光阻材料在用于微加工的微影成像术且特别是使用KrF激光、ArF激光、F2激光、极短紫外线、电子射线、X射线等作为曝光光源的微影术中，可赋予高解像性，同时在基板界面也能赋予良好图案形状。
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