公开(公告)号：CN103050500B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201210385836.9

申请日：2012-10-12

Applicant: 全视科技有限公司

Inventor： 陈刚 ,  胡兴忠 ,  戴幸志 ,  毛杜立 ,  马诺·比库曼德拉 ,  郑伟 ,  钱胤 ,  熊智斌 ,  文森特·韦内齐亚 ,  顾克强 ,  霍华德·E·罗兹

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/357 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L27/14616 ,  H01L27/14689

Abstract: 本申请案涉及图像传感器的部分掩埋沟道传送装置。本发明涉及包含光敏元件、浮动扩散区及传送装置的图像传感器像素的实施例。所述光敏元件安置于衬底层中以用于响应于光而积累图像电荷。所述浮动扩散区安置于所述衬底层中以从所述光敏元件接收所述图像电荷。所述传送装置安置于所述光敏元件与所述浮动扩散区之间以选择性地将所述图像电荷从所述光敏元件传送到所述浮动扩散区。所述传送装置包含掩埋沟道装置，所述掩埋沟道装置包含安置于掩埋沟道掺杂剂区上方的掩埋沟道栅极。所述传送装置还包含表面沟道装置，所述表面沟道装置包含安置于表面沟道区上方的表面沟道栅极。所述表面沟道装置与所述掩埋沟道装置串联。所述表面沟道栅极具有与所述掩埋沟道栅极相反的极性。

公开(公告)号：CN105405854A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201510556654.7

申请日：2015-09-02

Applicant: 全视科技有限公司

Inventor： 陈刚 ,  菲力浦·马塔格恩 ,  熊志伟 ,  郑源伟 ,  毛杜立 ,  戴森·H·戴

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L27/1461 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 本申请案涉及图像传感器像素及制造所述图像传感器像素的方法。包含光电二极管的图像传感器像素包含安置于半导体层内的第一掺杂剂区域及安置在所述第一掺杂剂区域的上方且在所述半导体层内的第二掺杂剂区域。所述第二掺杂剂区域接触所述第一掺杂剂区域且所述第二掺杂剂区域具有与所述第一掺杂剂区域相反的多数电荷载流子类型。第三掺杂剂区域安置在所述第一掺杂剂区域的上方且在所述半导体层内。第三掺杂剂区域具有与所述第二掺杂剂区域相同的多数电荷载流子类型但具有大于所述第二掺杂剂区域的自由电荷载流子浓度。传输栅极经定位以传输来自所述光电二极管的光生电荷。所述第二掺杂剂区域比所述第三掺杂剂区域延伸得更接近于所述传输栅极的边缘。

公开(公告)号：CN103531598B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201310223504.5

申请日：2013-06-06

Applicant: 全视科技有限公司

Inventor： 陈刚 ,  毛杜立 ,  戴幸志

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1461 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14649 ,  H01L27/14689

Abstract: 本申请案涉及一种具有改良性能的大型CMOS图像传感器像素。图像传感器像素包括具有第一掺杂类型的、安置在半导体材料中的光敏元件。具有所述第一掺杂类型的深延伸安置在所述半导体材料中的所述光敏元件下面且与其重叠。浮动扩散安置在所述半导体材料中。传送栅极安置在安置于所述半导体材料上方的栅极氧化物上方。所述传送栅极安置在所述光敏元件与所述浮动扩散之间。所述光敏元件及所述深度延伸以从所述传送栅极下面延伸的“U”型形状堆叠在所述半导体材料中。

公开(公告)号：CN103094293B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201210432343.6

申请日：2012-11-02

Applicant: 全视科技有限公司

Inventor： 钱胤 ,  戴幸志 ,  顾克强 ,  文森特·韦内齐亚 ,  毛杜立 ,  郑伟 ,  霍华德·E·罗兹

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/522 ,  H01L24/05 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及用于半导体装置中的衬垫下电路的衬垫设计。半导体装置的实施例包含半导体衬底及安置在所述半导体衬底内的腔，所述腔至少从所述半导体衬底的第一侧延伸到所述半导体衬底的第二侧。所述半导体装置还包含绝缘层，所述绝缘层安置在所述半导体衬底的所述第一侧上且涂覆所述腔的侧壁。包含接合衬垫的导电层安置在所述绝缘层上。所述导电层延伸到所述腔内且连接到安置在所述半导体衬底的所述第二侧下方的金属堆叠。穿硅通孔衬垫安置在所述半导体衬底的所述第二侧下方且连接到所述金属堆叠。所述穿硅通孔衬垫经定位以接受穿硅通孔。

公开(公告)号：CN102194834B

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201010265986.7

申请日：2010-08-25

Applicant: 全视科技有限公司

Inventor： 毛杜立 ,  文森特·瓦乃兹艾 ,  霍华德·罗兹 ,  戴幸志 ,  钱胤

IPC: H01L27/144 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/14683

Abstract: 本发明提供了具有光检测器阵列及周边区域的较细和较粗互连线的装置。一方面的装置包括：光检测器阵列，以及位于光检测器阵列的周边处的周边区域。对应于光检测器阵列的较细互连线安置于一个或多个绝缘层内。对应于周边区域的较粗互连线安置于所述一个或多个绝缘层内。其它装置、方法及系统也被公开。

公开(公告)号：CN104023183A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201310511423.5

申请日：2013-10-25

Applicant: 全视科技有限公司

Inventor： 陈刚 ,  林志强 ,  胡信中 ,  毛杜立 ,  戴幸志

IPC: H04N5/335 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/355

CPC classification number: H04N5/335 ,  H04N5/2355 ,  H04N5/3559 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/37452

Abstract: 本发明涉及具有多个放大器晶体管的高动态范围像素。本发明揭示一种供在高动态范围图像传感器中使用的像素单元，其包含光电二极管，所述光电二极管安置于半导体材料中以响应于入射于所述光电二极管上的光而积累电荷。传送晶体管安置于所述半导体材料中且耦合于浮动扩散部与所述光电二极管之间。第一放大器晶体管安置于所述半导体材料中，所述第一放大器晶体管具有耦合到所述浮动扩散部的栅极端子及经耦合以产生所述像素单元的第一输出信号的源极端子。第二放大器晶体管安置于所述半导体材料中，所述第二放大器晶体管具有耦合到所述浮动扩散部的栅极端子及经耦合以产生所述像素单元的第二输出信号的源极端子。

公开(公告)号：CN103531598A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310223504.5

申请日：2013-06-06

Applicant: 全视科技有限公司

Inventor： 陈刚 ,  毛杜立 ,  戴幸志

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1461 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14649 ,  H01L27/14689

Abstract: 本申请案涉及一种具有改良性能的大型CMOS图像传感器像素。图像传感器像素包括具有第一掺杂类型的、安置在半导体材料中的光敏元件。具有所述第一掺杂类型的深延伸安置在所述半导体材料中的所述光敏元件下面且与其重叠。浮动扩散安置在所述半导体材料中。传送栅极安置在安置于所述半导体材料上方的栅极氧化物上方。所述传送栅极安置在所述光敏元件与所述浮动扩散之间。所述光敏元件及所述深度延伸以从所述传送栅极下面延伸的“U”型形状堆叠在所述半导体材料中。

公开(公告)号：CN103383948A

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201310154196.5

申请日：2013-04-28

Applicant: 全视科技有限公司

Inventor： 陈刚 ,  毛杜立 ,  戴幸志

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 本申请案涉及具有分段式蚀刻停止层的图像传感器。一种装置包含其中布置有像素阵列的半导体层。钝化层在所述像素阵列之上邻近于所述半导体层而安置。包含多个蚀刻停止层段的分段式蚀刻停止层在所述像素阵列之上邻近于所述钝化层而安置。在所述多个蚀刻停止层段中的每一者之间的边界与在所述像素阵列中的像素之间的边界对准。

公开(公告)号：CN103094292A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210432093.6

申请日：2012-11-02

Applicant: 全视科技有限公司

Inventor： 真锅宗平 ,  顾克强 ,  文森特·韦内齐亚 ,  戴幸志 ,  毛杜立 ,  霍华德·E·罗兹

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14616 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14641

Abstract: 本申请案涉及用于提供图像传感器像素中的经改进全阱容量的方法、设备及系统。在一实施例中，所述图像传感器的第一像素结构包含植入区，其中所述植入区的偏斜对应于植入角度，且所述图像传感器的第二像素结构包含传送栅极。在另一实施例中，所述第一像素结构的所述植入区与所述第二像素结构的所述传送栅极的偏移对应于所述植入角度。

公开(公告)号：CN103066081A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201210325412.3

申请日：2012-09-05

Applicant: 全视科技有限公司

Inventor： 陈刚 ,  阿希什·沙阿 ,  毛杜立 ,  戴幸志 ,  霍华德·E·罗兹

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14645 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/1469

Abstract: 本发明的实施例涉及一种双向相机组合件，其包括操作性地耦合在一起(例如，接合、堆叠在共用衬底上)的后向相机及前向相机。在本发明的一些实施例中，具有前侧照明FSI成像像素阵列的系统接合到具有背侧照明BSI成像像素阵列的系统，从而产生具有最小尺寸(例如，相比于现有技术方案具有减小的厚度)的相机组合件。当BSI图像传感器晶片被薄化时，FSI图像传感器晶片可用作用于所述BSI图像传感器晶片的处置晶片，从而减小整个相机模块的厚度。根据本发明的其它实施例，两个封装裸片、一个BSI图像传感器、另一个FSI图像传感器堆叠在例如印刷电路板等共用衬底上，且经由再分布层操作性地耦合在一起。