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公开(公告)号：CN113470760B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202110581205.3
申请日：2021-05-27
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种通过控制共价键的长度来调控具有一级相变磁制冷材料磁热性能的方法涉及磁热领域，本发明可以通过控制共价键的长度来调节具有一级相变磁制冷材料的居里温度(TC)及由于一级相变产生的热滞(ΔThys)。该方法操作简单、便捷且有效，通过调整元素配比或掺杂其他元素影响共价键长度，从而使材料的磁热性能发生改变。这为今后研究磁制冷材料设计组分、提高磁热性能提供一个有效的途径。
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公开(公告)号：CN115347075A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210521543.2
申请日：2022-05-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/112
Abstract: 一种通过表面掺杂来提高二维材料KP15电学性能的方法属于光电材料与器件领域。本发明通过在材料表面掺杂有机分子，调控了KP15的导电类型以及载流子浓度，使其电学性能大大提高。本发明方法简单、效果显著，不会对材料本身造成伤害，并且具有可逆性，可推广应用于其它二维材料的掺杂中。此外，本发明增强了KP15材料的导电性，为其偏振光电探测器的应用打下了基础。
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公开(公告)号：CN114361289A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210023809.0
申请日：2022-01-10
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 一种基于范德华金属电极的自驱动超快光电探测器构筑方法，涉及微电子异质结光电探测器件应用领域。采用机械剥离的方法剥离二维金属材料(Fe3GeTe2、Graphene)，叠层过渡族金属硫化物WSe2，形成Fe3GeTe2‑WSe2‑Graphene异质结。在此结构中不同范德华金属电极与沟道材料WSe2的接触长度存在差异，形成非对称的几何接触形状，获得不同的肖特基势垒高度，从而形成有效的结区内部电场，产生自驱动电流。此光电探测器具有结构简单、暗电流几乎为零、响应度高、响应速率快、灵敏度高等特点。Fe3GeTe2‑WSe2‑Graphene异质结可以拓展于二维材料相关的微电子器件及光电探测器领域的应用。
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公开(公告)号：CN110052603B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201910419931.8
申请日：2019-05-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种从Mn5Ge3表面制备具有Sn@MnOx核壳结构微/纳米线的方法，涉及金属纳米材料制备领域，实现微/纳米线直径和长度尺寸的可控制备。该方法以片状锰，铁，赤磷，锗颗粒，锡球为原料，通过高温烧结、酸腐蚀和一定温度下存放等过程，制备出直径和长度可控的具有Sn@MnOx核壳结构的微/纳米线。本发明首次制备出具有Sn@MnOx核壳结构的微/纳米线，其中β‑Sn微/纳米线作为“核”，超薄非晶态MnOX纳米片作为“壳”层，完全把Sn包裹住，形成Sn@MnOx微/纳米线异质结构。本发明不仅丰富了成熟的纳米结构形态库，扩大对纳米级晶体生长的理解，在制备纳米线基传感器元件方面具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN107039122B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201710226437.0
申请日：2017-04-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01B13/00
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯/超长银纳米线柔性透明导电薄膜的制备方法。其制备工艺为真空抽滤法。首先制备高长径比的银纳米线与高质量的氧化石墨烯，将超长银纳米线和氧化石墨烯混合形成稳定的混合液，最后进行真空抽滤。其优点是：该方法所制备的石墨烯/超长银纳米线柔性透明导电薄膜性能优良，方法简单、制备快速、成本低廉，且所用设备简单易维护。对今后柔性透明导电薄膜乃至柔性导电薄膜的工业化生产都有着重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105439084A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510886442.5
申请日：2015-12-06
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: B82B3/0009 , B82Y40/00 , H01L29/0669
Abstract: 本发明涉及一种新型半导体KP15纳米线及其制备工艺，该半导体纳米线的分子式为KP15，制备工艺为液相剥离或机械剥离。其优点是：所制备的半导体纳米线具有高各向异性，纳米线方向沿P15管方向，纳米线宽度最小可达80nm,所制备的纳米线是通过液相剥离或机械剥离的方法直接从KP15块上剥离下来，液相剥离所用剥离溶液易挥发且所用设备简单易维护。所制得的纳米线对今后研究KP15半导体纳米线有着重要意义。
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公开(公告)号：CN101508572A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910080721.7
申请日：2009-03-27
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 高致密单相TiB2陶瓷的快速制备方法属于超硬耐磨陶瓷材料技术领域。TiB2陶瓷的传统制备方法存在烧结温度高、时间长、致密度不高及性能较差等问题。本发明将氢化钛(或钛)粉末与硼粉末按摩尔比2∶1研磨混匀后，装入石墨模具中加压压实，并放入SPS烧结炉中烧结，烧结工艺为：在轴向压力为30－60MPa，气氛为99.999％的高纯氩气或真空度高于5Pa的真空条件下，以90－180℃/min的升温速度升温至1350－1650℃，保温时间0－10min，而后随炉冷至室温，得到高纯致密TiB2陶瓷材料。本发明方法大幅降低了烧结温度、缩短了烧结时间，提高了TiB2的致密度和力学性能。
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公开(公告)号：CN1834271A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200610076274.4
申请日：2006-04-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属于高温超导涂层韧性基带及超导薄膜领域。含W量在3～5at.％的低W含量镍钨合金基带，虽有很好的立方织构，但在液氮温区具有很强的磁性，且机械强度较低。本发明步骤：将粒度为3～6微米Ni粉和W粉混合均匀，W的原子百分比为7.01％至9.5％；放电等离子烧结；800℃～1300℃，保温0～10分钟；30－80MPa；室温下对Ni－W板进行冷轧，采用3～8％的道次变形量；变形量每达到30～80％进行一次中间退火，温度300～800℃，退火0.5～6小时；总变形量大于95％；Ar混合H2气氛进行再结晶退火，温度1000～1400℃，退火0.5～3小时。本发明得到成分均匀、晶粒细小、W的原子百分比为7.01％至9.5％的Ni－W合金块，烧结过程简单快速，在液氮温区磁性低或没有、机械强度高。
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公开(公告)号：CN113707752B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202110841776.6
申请日：2021-07-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明提出一种基于二维材料CrPS4异质结的可见‑近红外光电探测器的构筑及其制备方法，红磷、金属铬粉、硫粉三种混合粉末放入石英管中并采用氩气密封，密封好的石英管放入双温区加热炉中生长二维材料，高温区温度为700‑800℃，低温区温度为600‑700℃，保温10天后，得到亮黑色的CrPS4。采用机械剥离的方法剥离二维材料CrPS4，叠层过渡族金属硫化物二硫化钼，形成CrPS4‑MoS2异质结，异质结具有良好的整流特性、快的响应速度以及可见‑近红外光电探测特性，可以在室温下使用，不需要冷却系统。CrPS4‑MoS2异质结可以拓展于二维材料相关的微电子器件及光电探测器领域的应用，更好的满足下一代集成电路的发展要求。
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公开(公告)号：CN114361289B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202210023809.0
申请日：2022-01-10
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 一种基于范德华金属电极的自驱动超快光电探测器构筑方法，涉及微电子异质结光电探测器件应用领域。采用机械剥离的方法剥离二维金属材料(Fe3GeTe2、Graphene)，叠层过渡族金属硫化物WSe2，形成Fe3GeTe2‑WSe2‑Graphene异质结。在此结构中不同范德华金属电极与沟道材料WSe2的接触长度存在差异，形成非对称的几何接触形状，获得不同的肖特基势垒高度，从而形成有效的结区内部电场，产生自驱动电流。此光电探测器具有结构简单、暗电流几乎为零、响应度高、响应速率快、灵敏度高等特点。Fe3GeTe2‑WSe2‑Graphene异质结可以拓展于二维材料相关的微电子器件及光电探测器领域的应用。
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