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公开(公告)号：CN102808215A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210222711.4
申请日：2012-06-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 多元稀土硼化物(Ce0.9Pr0.1)B6单晶体制备方法属于稀土硼化物热阴极材料技术领域。目前，多元稀土硼化物单晶的研究很少，且制备出的单晶体尺寸小、纯度低，无法满足实际应用的要求。本发明采用放电等离子烧结和悬浮区域熔炼相结合的方法制备高质量、大尺寸的多元稀土硼化物(Ce0.9Pr0.1)B6单晶体。以CeB6、PrB6粉末为原料制备出的(Ce0.9Pr0.1)B6单晶为φ4.5mm×40mm的圆柱体，单晶衍射仪测试结果显示单晶质量良好没有出现孪晶现象。
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公开(公告)号：CN107342200B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201710504620.2
申请日：2017-06-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种稀土六硼化物场发射阵列的制备方法属于阴极场发射技术领域。目前，稀土六硼化物场发射阵列的制备极其困难，限制了其在场发射领域的大规模应用。本发明采用激光微纳加工技术在稀土六硼化物表面加工出均匀的尖锥场发射阵列，所述尖锥场发射阵列的形貌具有很高的一致性。通过激光微纳加工工艺参数的调整，能够加工出曲率半径纳米到微米级别的尖锥场发射阵列，尖锥高度、间隔和密度可控，适合大规模应用。
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公开(公告)号：CN109360778A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201811213293.6
申请日：2018-10-18
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01J9/02
Abstract: 本发明公开了一种步进电机辅助电化学腐蚀制备场发射单尖的方法，属于阴极场发射技术领域。本发明采用步进电机辅助电化学浸润腐蚀制备单晶稀土六硼化物场发射单尖，通过调节步进电机的上下移动速率和位移，腐蚀电压和时间，使得单晶稀土六硼化物样品腐蚀和非腐蚀部位的腐蚀极化过电位产生明显差别，从而有效克服了电化学腐蚀制备单尖过程中样品与腐蚀液的手动浸润过程及腐蚀存在的杂散腐蚀现象，减小了单尖制备受人为影响的因素，提高了单尖形貌的均匀性和规则度以及制备的效率，进而改善和提高单尖阴极场发射性能，使得单晶稀土六硼化物场发射单尖作为电子源在扫描电镜、电子束光刻系统等真空电子设备领域具有广阔的运用前景。
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公开(公告)号：CN107342200A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710504620.2
申请日：2017-06-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种稀土六硼化物场发射阵列的制备方法属于阴极场发射技术领域。目前，稀土六硼化物场发射阵列的制备极其困难，限制了其在场发射领域的大规模应用。本发明采用激光微纳加工技术在稀土六硼化物表面加工出均匀的尖锥场发射阵列，所述尖锥场发射阵列的形貌具有很高的一致性。通过激光微纳加工工艺参数的调整，能够加工出曲率半径纳米到微米级别的尖锥场发射阵列，尖锥高度、间隔和密度可控，适合大规模应用。
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公开(公告)号：CN105695774A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610094747.7
申请日：2016-02-20
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: C22C1/02 , B22F3/105 , B22F9/04 , B22F2009/043
Abstract: Mg3Sb2基热电材料的制备方法，采用感应熔炼结合放电等离子烧结(SPS)技术的方法制备Mg3-xAxSb2-yBy(A:Ag,Cu等，B:Si,Ge,Sn等；0≤x≤0.30，0≤y≤0.20)块体。步骤如下：首先，在经高效脱氧剂脱氧后的高纯氩气气体保护下，按化学计量比称取单质原料放入到准密封熔炼设备中将其熔炼成铸锭，然后将铸锭进行破碎。把破碎的铸锭装入硬质合金球磨罐中，采用机械球磨设备在高纯氩气气氛下进行球磨，然后将球磨后的粉料装载到石墨模具内，并置于放电等离子烧结腔体中，在真空气氛下烧结得到高致密度的块体。本发明成本低，适用成分范围广，操作简单，可靠性好，工艺参数易控制，可解决Mg元素易挥发和易氧化问题，并提高材料的致密度和可加工性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105525122A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201610057670.6
申请日：2016-01-27
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及纳米SiC复合Mg-Si-Sn基热电材料的制备方法。首先，采用感应熔炼设备将Mg、Si、Sn块体原料熔炼成铸锭，然后按化学式配比称取的纳米SiC粉末与破碎的铸锭一并装入球磨罐中，采用机械球磨设备在氩气气氛下进行一次球磨，然后将装载一次球磨粉的石墨模具置于放电等离子烧结腔体中，在真空气氛下烧结成块体；再将烧结成的块体破碎后，在氩气气氛下进行二次球磨，然后在真空气氛下烧结得到高致密的Mg2Si1-xSnx/SiCy(0≤x≤1.0,0
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公开(公告)号：CN103700759B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201210366280.9
申请日：2012-09-27
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种纳米复合结构Mg2Si基热电材料及其制备方法属于半导体热电材料制备技术领域。按化学计量比取Mg、Si、Sn单质原料高频感应熔炼成铸锭；将熔炼好的铸锭破碎装入下端开口的石英玻璃管内，然后竖直置于感应熔炼线圈中，快淬炉腔体抽真空后再冲入保护气体，感应熔炼使块体达到熔融态将熔体喷到铜棍上甩出，成带材，收集带材；将带材置于氩气保护气氛手套箱中研磨成粉，后放电等离子烧结成块体。本发明简单可行，工艺流程短，可以有效抑制Mg的氧化，工艺参数控制容易。样品中存在非晶/纳米晶的纳米复合结构，晶粒尺寸得到显著细化，晶粒尺寸分布可控，增加了电子和声子的散射，塞贝克系数大大上升，提高了材料的热电性能。
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公开(公告)号：CN102515116A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110385352.X
申请日：2011-11-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 高纯碲纳米粉末制备方法属于纳米材料制备领域。制备工艺的特色在于：采用直流电弧蒸发冷凝设备，以单质非金属高纯碲块为阳极，金属钨为阴极，在高纯氩气压力为0.05～0.3MPa的气氛中，反应电流30～50A，阳极与阴极间电压为30～50V，蒸发时间为20～40min，制备出高纯度粒径为20～100nm的碲纳米粉末。本发明方法工艺简单，且制备的碲纳米粉末纯度高、晶粒尺度可控。
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公开(公告)号：CN101794858B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200910243131.1
申请日：2009-12-25
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种p型(Bi0.25Sb0.75)2Te3/CeyFe4Sb12(y＝0.8-1.2)基块体梯度热电材料及其制备方法，属于半导体热电材料技术领域。热电材料包括低温层和中温层，低温层成分为(Bi0.25Sb0.75)2Te3，中温层成分为CeyFe4Sb12(y＝0.8-1.2)。制备方法，首先按化学式制备CeyFe4Sb12块体，然后制备(Bi0.25Sb0.75)2Te3粉末，将CeyFe4Sb12块体置于石墨模具中，在其上平铺过渡层或(Bi0.25Sb0.75)2Te3粉末，置于SPS烧结炉烧结。本发明热电材料界面洁净，结合强度高，可应用于中、低温区废气、废热发电领域。
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公开(公告)号：CN1752241A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200510115766.5
申请日：2005-11-11
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属于热电材料领域。现有微米晶粒的CoSb3材料热导率高，而纳米晶粒的CoSb3材料虽然具有低的热导率，但同时电导率也出现大幅度下降，使其在300－800K温度范围内的ZT最大值只有0.057。该制备方法：以80－100nm金属钴、80－100nm金属铁、20－40μm的稀土金属镧和20－40μm锑单质元素粉末为原料，按LaxFeCo3Sb12(x＝0.0－0.6)化合物的化学式称重配料，在氩气保护下，粉末研磨混合，然后进行放电等离子烧结(SPS)原位反应合成，压力60－80MPa，升温速率100－120℃/min，温度560－580℃，保温时间6－8min，气氛为真空。本发明提供了一种制备时间短、节能节时、工艺简单、成本低的热电材料快速制备方法，以获得具有纳米/微米复合晶粒结构的LaxFeCo3Sb12致密块体热电材料，使ZT值提高10倍以上。
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