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公开(公告)号：CN113782742B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202110948062.5
申请日：2021-08-18
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化钨复合掺氮碳纳米纤维的锂电池负极材料及制备方法，所述锂离子电池负极材料以一维氧化钨纳米线复合一维掺氮的碳纳米纤维，形成嵌入型结构；其制备方法是水热法和静电纺丝法结合。首先水热法制备纳米线结构的蓝色氧化钨，随后依次加入DMF和PAN在70℃下搅拌，随后静电纺丝，再经过两次退火得到氧化钨与掺氮碳纳米纤维的复合材料。随后采取推浆法制备得到锂离子电池负极材料。本发明提升了氧化钨作为负极材料的电池的电学性能，优化了现有的氧化钨复合掺氮碳纳米纤维的制备技术，与纯氧化钨负极体系相比，该电池具有更高的初始库伦效率，更优异的倍率性能和更长的循环性能。
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公开(公告)号：CN116193976A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310219416.1
申请日：2023-03-09
Applicant: 华东师范大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明公开了一种基于挠曲电效应的忆阻器及其制备方法，所述忆阻器以两端支撑金属作为电极，悬空且弯曲的硒化铟作为沟道。首先，用电子束光刻技术制备图形化衬底，获得电极矩阵；通过机械剥离专用蓝胶带对硒化铟晶体进行减薄；然后，用聚二甲基硅氧烷将薄片晶体从蓝胶带上取下并对其再次减薄，在光学显微镜下选取样品；接着，借助二维材料定向转移辅助平台将选取的样品转移到电极矩阵上，由此制备所述的忆阻器。本发明所用材料安全环保，成本低廉，结构简单、制备过程易操作，进一步扩展了二维材料的应用。
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公开(公告)号：CN113299558B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202110566791.4
申请日：2021-05-24
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/788 , H01L29/786 , H01L29/66
Abstract: 本发明公开了一种二硫化铪为沟道的浮栅结构晶体管及其制备方法，所述浮栅结构晶体管以石墨烯为浮栅，氮化硼为隧穿层，二硫化铪作为沟道。其制备方法为机械剥离法。首先用英格兰胶带从石墨烯二维材料块材上剥离薄膜材料，将附着有二维薄膜材料的胶带对准粘到剥离专用热释放胶带上，再利用光学显微镜选择均匀且厚度合适的层状二维材料，然后利用此方法依次剥离氮化硼和二硫化铪，并按照剥离顺序依次转移到硅/二氧化硅衬底上。最后利用电子束光刻技术和热蒸发镀膜仪在硫化铪两端制备镍/金电极。本发明制备的浮栅结构晶体管不仅实现了二维浮栅结构，具有非易失性存储性能，能够同时灵敏存储光信息与电信息，而且制备的晶体管迁移率高，开关比大。
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公开(公告)号：CN113990943A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111149104.5
申请日：2021-09-29
Applicant: 华东师范大学重庆研究院
Abstract: 本发明涉及一种铁电存储器及其制备方法，所述铁电存储器自下而上由基硅基片、铁酸铋基铁电层、氧化铝介质层、硫化钼沟道层、金源漏电极组成；采用溶胶‑凝胶法在重掺杂的硅衬底制备镧和锰共掺杂的铁酸铋薄膜作为铁电层；借助原子层沉积技术生长三氧化二铝作为介质层；采用机械剥离法制备二硫化钼作为晶体管沟道层；借助热蒸发技术蒸镀金属源漏电极。本发明的特点在于利用铁电材料的自发极化效应，调控二维层状半导体中载流子浓度与迁移率等基本物理量，实现对二维材料电学性能的非易失性调控；三氧化二铝的引入可以降低铁电层的漏电和回滞窗口，继而大大改善器件的存储稳定性，为未来的铁电存储器件的应用提供了参考。
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公开(公告)号：CN107991735A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201610953543.4
申请日：2016-10-27
Applicant: 华东师范大学
IPC: G02B6/032
Abstract: 本发明公开了一种金属毛细管/环烯烃聚合物电介质膜太赫兹空芯光纤及其制备方法，其制备方法包括如下步骤：将环烯烃聚合物溶解于甲苯溶剂中配制溶液；将溶液注入金属毛细管内，控制甲苯溶液从底端流出使甲苯溶液液面匀速下降，在金属毛细管内壁上形成环烯烃聚合物厚液膜；待甲苯溶液排出后将金属毛细管浸入异性溶剂中，环烯烃聚合物厚液膜中的甲苯溶剂分子扩散至异性溶剂中，在金属毛细管内壁上形成环烯烃聚合物电介质膜；向金属毛细管内通入氮气或空气缓慢干燥，获得金属毛细管/环烯烃聚合物电介质膜太赫兹空芯光纤。该光纤的低损耗窗口的位置可以通过改变环烯烃聚合物电介质膜的厚度进行调节，从而实现不同频率太赫兹波的传输。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116759488A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310725365.X
申请日：2023-06-19
Applicant: 华东师范大学重庆研究院
IPC: H01L31/18 , H01L31/0336 , H01L31/032 , H01L31/109
Abstract: 本发明提供了一种日盲紫外光电探测器及其制备方法。方法包括以下步骤：在硬质衬底表面沉积氧化镓薄膜；将沉积的氧化镓薄膜转移至柔性衬底表面；在氧化镓薄膜表面形成硒化钨层；对硒化钨层进行图案化处理，并在氧化镓薄膜表面且位于硒化钨层的两侧形成电极，得到日盲紫外光电探测器。本发明所制备的日盲紫外光电探测器具有快速紫外响应，能够在无外偏置电压下自供电工作的优点。
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公开(公告)号：CN114899240A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210517583.X
申请日：2022-05-13
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01L29/786 , H01L23/29 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种具有铟保护层的二硫化铪晶体管及其制备方法，所述晶体管以铟作为保护层，二硫化铪作为沟道。首先，通过机械剥离法使用3M思高胶带从二硫化铪块材上剥离出二硫化铪层状材料；然后，将附着有二硫化铪材料的胶带粘到黏性凝胶膜上，通过光学显微镜观察并选择厚度合适、质地均匀的二维层状材料；接着，将其转移到硅/二氧化硅衬底上；再用热蒸发技术在二维材料表面蒸镀一层铟作为保护层，利用掩膜版蒸镀金属电极，由此制备所述的晶体管。本发明所用材料安全环保，成本低廉，不仅得到了光电性能好的微电子器件，还保护了沟道材料，达到了延长器件寿命的目的。
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公开(公告)号：CN113782742A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110948062.5
申请日：2021-08-18
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化钨复合掺氮碳纳米纤维的锂电池负极材料及制备方法，所述锂离子电池负极材料以一维氧化钨纳米线复合一维掺氮的碳纳米纤维，形成嵌入型结构；其制备方法是水热法和静电纺丝法结合。首先水热法制备纳米线结构的蓝色氧化钨，随后依次加入DMF和PAN在70℃下搅拌，随后静电纺丝，再经过两次退火得到氧化钨与掺氮碳纳米纤维的复合材料。随后采取推浆法制备得到锂离子电池负极材料。本发明提升了氧化钨作为负极材料的电池的电学性能，优化了现有的氧化钨复合掺氮碳纳米纤维的制备技术，与纯氧化钨负极体系相比，该电池具有更高的初始库伦效率，更优异的倍率性能和更长的循环性能。
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公开(公告)号：CN108281504B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201810014353.5
申请日：2018-01-08
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01L31/08 , H01L31/18 , G01N21/3586
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种室温高灵敏硅基光电导太赫兹检测器及其制备方法，其检测器以硅基SOI（Silicon On Insulator）基片作为衬底，所述衬底上反应离子刻蚀（Reactive Ion Etching‑RIE）硅探测微桥，所述硅探测微桥两端连接金薄膜电极。本发明还公开了制备所述检测器的方法。本发明的检测器工作于室温，具有高灵敏度，快响应时间，制备简单，便于做成大规模阵列芯片的特点，使其在太赫兹材料检测、太赫兹成像等方面具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN118943700A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411117613.3
申请日：2024-08-15
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种二硒化钨二维射频开关及其制备方法，所述射频开关以二硒化钨作为射频信号切换功能层，实现超快响应速度、低传输损耗、紧凑尺寸和高集成性。制备过程如下：首先，利用热蒸发镀膜仪在高阻Si/SiO2衬底上蒸镀金电极；其次，通过机械剥离法使用机械剥离专用蓝胶带从二硒化钨块状晶体上剥离出纳米层状二硒化钨并将其转移到金电极上；最后，利用热蒸发镀膜仪在二硒化钨上方蒸镀银电极，由此制备所述的二硒化钨二维射频开关。本发明所用材料安全环保，成本低廉，所制备的二硒化钨二维射频开关展现出优异的射频性能，包括超快切换速度、低传输损耗，适用于高性能射频领域。
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