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公开(公告)号：CN109616331B
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201811344861.6
申请日：2018-11-13
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明公开了一种纳米花核壳型的氢氧化镍纳米片/锰钴氧化物复合电极材料及其制备方法。所述的纳米花核壳型的氢氧化镍纳米片/锰钴氧化物复合电极材料，是以MnCo2O4.5纳米花为核，在其表面上均匀地生长氢氧化镍纳米片，从而制备出具有很高的比容量、充放电稳定性，无需粘结剂和导电剂的纳米花核壳型的氢氧化镍纳米片/锰钴氧化物复合电极材料，可用于超级电容器领域，制备工艺简单，操作方便，可重复性高。
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公开(公告)号：CN109616331A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811344861.6
申请日：2018-11-13
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明公开了一种纳米花核壳型的氢氧化镍纳米片/锰钴氧化物复合电极材料及其制备方法。所述的纳米花核壳型的氢氧化镍纳米片/锰钴氧化物复合电极材料，是以MnCo2O4.5纳米花为核，在其表面上均匀地生长氢氧化镍纳米片，从而制备出具有很高的比容量、充放电稳定性，无需粘结剂和导电剂的纳米花核壳型的氢氧化镍纳米片/锰钴氧化物复合电极材料，可用于超级电容器领域，制备工艺简单，操作方便，可重复性高。
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公开(公告)号：CN102403420B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201110356968.4
申请日：2011-11-11
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种用于氮化物处延生长的图形化蓝宝石衬底的制备方法，本发明方法先在蓝宝石基片上磁控溅射一层铝膜，然后施涂两层光刻胶膜且下层光刻胶具有更好的光敏感性，经曝光、显影形成光刻胶图形，再磁控溅射第二层铝膜，经溶剂浸泡剥离外层铝膜，最后经低温、高温两步热处理形成具有单晶氧化铝膜的图形化蓝宝石衬底。本发明的制备方法工艺简单易行，即克服了干法刻蚀方法易污染、损伤衬底的问题，也克服了湿法刻蚀方法易造成图形失真的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103287010B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310031456.X
申请日：2013-01-28
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供一种蓝宝石红外窗口用氧化钇/二氧化硅增透保护膜，包括依次沉积的氧化钇层和二氧化硅层，所述氧化钇层的厚度为200~750nm，所述二氧化硅层的厚度为600~900nm。本发明提供的蓝宝石红外窗口用氧化钇/二氧化硅增透保护膜，在提高蓝宝石高温强度和红外透波率的同时，尤其可以改善增透保护膜的附着性能，从而解决了蓝宝石红外窗口在高温、高压等恶劣工作环境常出现的热开裂、热畸变和保护膜脱落等问题。
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公开(公告)号：CN102618930B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201210093222.3
申请日：2012-03-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种AlN晶体的制备方法，它涉及一种晶体的制备方法。本发明要解决现有采用PVT法制备AlN单晶的方法中，异质籽晶与AlN晶体的晶格失配较大，得到AlN晶体缺陷密度高的问题。方法：一、将AlN粉末置于坩埚中、将籽晶固定在坩埚顶部，在氮气气氛下，升温至1800～2000℃，保温1～5小时；二、将预烧结后的AlN粉末在氮气气氛中加热升温至2150～2300℃，保温反应8～20小时，降至室温。零微管SiC作为异质籽晶，可以降低AlN晶体的缺陷密度，同时由于偏角度SiC籽晶偏离面一定角度，缺陷遗传的几率也将显著降低，从而最终减少缺陷对器件性能的不利影响。本发明的AlN晶体用于半导体器件。
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公开(公告)号：CN102995124B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201310006222.X
申请日：2013-01-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种用于AlN晶体生长的籽晶，它涉及一种用于AlN晶体生长的材料。它要解决现有采用自发成核难以获得大尺寸AlN晶体，采用异质籽晶方法生长出的AlN晶体杂质含量高的问题。用于AlN晶体生长的籽晶为经过退火工艺处理后的AlN陶瓷片。用于AlN晶体生长的籽晶还可以为经过退火工艺处理后再进行抛光处理的AlN陶瓷片，或者在抛光后的陶瓷片表面镀上AlN薄膜，以得到用于AlN晶体生长的籽晶。采用本发明用于AlN晶体生长的籽晶生长出的AlN晶体尺寸较大，杂质含量少。本发明主要应用于半导体器件中AlN晶体的生长。
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公开(公告)号：CN103287010A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310031456.X
申请日：2013-01-28
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供一种蓝宝石红外窗口用氧化钇/二氧化硅增透保护膜，包括依次沉积的氧化钇层和二氧化硅层，所述氧化钇层的厚度为200~750nm，所述二氧化硅层的厚度为600~900nm。本发明提供的蓝宝石红外窗口用氧化钇/二氧化硅增透保护膜，在提高蓝宝石高温强度和红外透波率的同时，尤其可以改善增透保护膜的附着性能，从而解决了蓝宝石红外窗口在高温、高压等恶劣工作环境常出现的热开裂、热畸变和保护膜脱落等问题。
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公开(公告)号：CN102586879A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210074358.X
申请日：2012-03-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 用于AlN晶体生长的图形化衬底，涉及一种用于AlN晶体生长的图形化衬底。解决现有采用籽晶制备大尺寸AlN晶体的方法中，AlN籽晶成本高，SiC籽晶高温易分解影响AlN晶体质量的问题。图形化衬底是在衬底上嵌入均匀排布的图形单元，图形单元的形状为正六棱台，边长为a2的上底面在衬底表面所在的平面上，下底面的边长为a1，图形单元的高度为c1，其中，a1＝n1a，c1＝n1c，a2＝n2a1，a和c为六方AlN晶体的晶胞参数，0＜n1≤15×107，1＜n2≤3。图形化衬底的制备工艺简单。生长出的AlN晶体具有直径尺寸大，缺陷密度低的优点。
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