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公开(公告)号：CN104247031B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201380021447.0
申请日：2013-04-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/13452 , G02F1/1368 , H01L21/425 , H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869
Abstract: 半导体装置(100A)具备：包括半导体区域物层(15)；与半导体区域电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；在源极电极和漏极电极上形成的绝缘层(11)；以隔着绝缘层与导体区域的至少一部分重叠的方式配置的透明电极(9)；与源极电极由相同的导电膜形成的源极配线(6a)；和与栅极电极(3)由相同的导电膜形成的栅极引绕配线(3a)。源极配线通过与透明电极由相同的导电膜形成的透明连接层(9a)，与栅极引绕配线电连接。(5)和与半导体区域接触的导体区域(7)的氧化
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公开(公告)号：CN104094409A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201380007460.0
申请日：2013-01-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , G02F1/1368 , G02F2201/40 , G02F2202/10 , H01L27/1225 , H01L27/1259 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78693
Abstract: 半导体装置(100A)包括：基板(1)；在基板(1)上形成的栅极电极(3)和第一透明电极(2)；在栅极电极(3)和第一透明电极(2)上形成的第一绝缘层(4)；在第一绝缘层(4)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；和与漏极电极(6d)电连接的第二透明电极(7)。第一透明电极(2)的至少一部分隔着第一绝缘层(4)与第二透明电极(7)重叠。氧化物半导体层(5)和第二透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。
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公开(公告)号：CN103918024A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201280048649.X
申请日：2012-07-25
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G09G3/3677 , G02F1/136213 , G09G3/3614 , G09G3/3655 , G09G2300/0876 , G09G2330/023 , G11C19/28
Abstract: 提供减少功耗的CS驱动方式的液晶显示装置。CS驱动器（500）包括CS移位寄存器（510）和CS输出部（520）。CS移位寄存器（510）基于CS时钟信号CCK输出控制信号（COUT（1）～COUT（m））。CS输出部（520）基于控制信号（COUT（1）～COUT（m））分别输出辅助电容信号（CSS（1）～CSS（m））。在扫描期间（T1）之后设有中止期间（T2）。在中止期间（T2），基于中止期间CS频率（fcck2）的CS时钟信号（CCK）而驱动CS驱动器（500）。中止期间CS频率（fcck2）比扫描期间CS频率（fcck1）低。
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公开(公告)号：CN103238177A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201280003994.1
申请日：2012-08-29
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G06F1/3265 , G09G3/3618 , G09G2330/021 , G09G2330/022 , G09G2340/0435 , G09G2360/18 , G09G2370/08
Abstract: 提供能基于发送的指令所包含的视频数据来以较小的功耗显示变化较小的图像的显示装置及其驱动方法。显示定时控制器（31）按照每1帧期间判断在从外部发送的指令中是否包含更新的视频数据。其结果是，在判断为不包含更新的视频数据的情况下，不进行由帧存储器（36）保存的视频数据的读出并停止画面的刷新。另外，在判断为包含更新的视频数据的情况下，读出由帧存储器（36）保存的视频数据并进行画面的刷新。
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公开(公告)号：CN114450742A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN201980100905.7
申请日：2019-10-23
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 内田诚一
IPC: G09G3/3233 , G09G3/20 , G09G3/3291
Abstract: 一种显示装置，具备多个扫描线、多个发光控制线、多个数据线、多个像素电路、以及对扫描线、发光控制线以及数据线进行驱动的驱动电路，像素电路包含发光元件和控制流过发光元件的电流的量的驱动晶体管。驱动电路具有监视模式，在监视模式的帧期间，对像素电路的行设定依次延迟的相同长度的非发光期间，从像素电路的行之中选择测定对象的行作为监视行，设定与监视行的非发光期间部分地重叠的监视期间，在监视期间测定监视行的像素电路内的发光元件或驱动晶体管的特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109581754B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201811134318.3
申请日：2018-09-27
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1339 , G02F1/1335 , G02B27/01
Abstract: 本发明的课题在于使具有氧化物半导体TFT的液晶显示装置的开口率提高，且抑制纱窗效应。液晶显示装置具有第一基板、第二基板、液晶层、及多个柱状间隔物。像素排列是包含红色、绿色及蓝色像素列的条纹排列。第一基板具有设于各像素中、具有氧化物半导体层的TFT。第二基板具有彩色滤光片层及遮光层。遮光层具有沿列方向延伸的多个第一遮光部和沿行方向延伸的多个第二遮光部。各柱状间隔物以与多个第二遮光部的任一个重叠的方式配置。红色、绿色及蓝色像素列中的至少一个沿列方向交替具有存在多个第二遮光部的任一个的第一像素边界和不存在多个第二遮光部的任一个的第二像素边界，多个第二遮光部配置成锯齿状。
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公开(公告)号：CN108780619A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780014801.5
申请日：2017-02-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/02
Abstract: 阵列基板(薄膜晶体管基板)(11b)具备：源极配线(配线)(20)；TFT(薄膜晶体管)(17)，其具有多个电极(17a、17b、17c)；配线连接部(31)，其至少一部分构成多个电极(17a、17b、17c)中的任一电极，且其连接到源极配线(20)，包括透光性导电材料。
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公开(公告)号：CN108701720A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780012574.2
申请日：2017-02-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/133345 , G02F1/133512 , G02F1/133514 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F2201/123 , G02F2201/40 , G09F9/30 , H01L23/5329 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L29/0847 , H01L29/42384 , H01L29/78618 , H01L29/78633 , H01L29/7869
Abstract: 阵列基板(11b)具备：栅极配线(19)；TFT(17)，其具有栅极电极(17a)、沟道部(17d)、源极部(17b)及漏极部(17c)，栅极电极(17a)包括栅极配线(19)的一部分，沟道部(17d)包括氧化物半导体膜(24)，源极部(17b)连接到沟道部(17d)的一端侧，漏极部(17c)连接到沟道部(17d)的另一端侧，且包括与沟道部(17d)相比电阻较低的氧化物半导体膜(24)；像素电极(18)，其连接到漏极部(17c)；像素PX，其具有TFT(17)和像素电极(18)；以及第2层间绝缘膜(27)，其与像素电极(18)和漏极部(17c)重叠并且在不与栅极电极(17a)重叠的位置形成有第2开口部(27a)。
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公开(公告)号：CN104094386B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201380007483.1
申请日：2013-01-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66969 , G02F1/136213 , G02F2001/134372 , G02F2201/40 , G02F2201/50 , H01L21/02565 , H01L21/44 , H01L23/564 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L29/45 , H01L29/7869 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 半导体装置(100A)包括：基板(2)；在基板(2)上形成的栅极电极(3)；在栅极电极(3)上形成的栅极绝缘层(4)；在栅极绝缘层(4)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；与漏极电极(6d)电连接的第一透明电极(7)；包括在源极电极(6s)和漏极电极(6d)上形成的电介质层(8a)的层间绝缘层(8)；和在层间绝缘层(8)上形成的第二透明电极(9)，第二透明电极(9)的至少一部分隔着电介质层(8a)与第一透明电极(7)重叠，氧化物半导体层(5)和第一透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。
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公开(公告)号：CN104094409B
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201380007460.0
申请日：2013-01-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , G02F1/1368 , G02F2201/40 , G02F2202/10 , H01L27/1225 , H01L27/1259 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78693
Abstract: 半导体装置(100A)包括：基板(1)；在基板(1)上形成的栅极电极(3)和第一透明电极(2)；在栅极电极(3)和第一透明电极(2)上形成的第一绝缘层(4)；在第一绝缘层(4)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；和与漏极电极(6d)电连接的第二透明电极(7)。第一透明电极(2)的至少一部分隔着第一绝缘层(4)与第二透明电极(7)重叠。氧化物半导体层(5)和第二透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。
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