-
公开(公告)号：CN1495978A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03164975.0
申请日：2003-08-29
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 渡边昌规
IPC: H01S5/00
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/162 , H01S5/168 , H01S5/2081 , H01S5/2231 , H01S5/34326
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器件及其制造方法，该半导体激光器件具有电流注入区(A)和比电流注入区(A)更靠近各激光束发射端面的电流非注入区(B)。半导体激光器件具有形成在每个电流非注入区(B)中p型(AlpGa1－p)qIn1－qP(0≤p≤1，0≤q≤1)中间带隙层(106)表面上的氧化层(106A)、形成在电流注入区(A)中中间带隙层(106)上的p型GaAs顶部覆盖层(107)、以及形成在氧化层(106A)和p型GaAs顶部覆盖层(107)上的p型GaAs接触层(125)。
-
公开(公告)号：CN107924966B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201580046876.2
申请日：2015-08-31
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/32 , H01L21/205
Abstract: 氮化物半导体发光元件(1)至少具备n型氮化物半导体层(8)、发光层(14)、p型氮化物半导体层(16)。n型氮化物半导体层(8)和发光层(14)之间，设置有具有1组以上的第一半导体层(121)和第二半导体层(122)的层叠结构的多层结构体。第二半导体层(122)的带隙能量比第一半导体层(121)的带隙能量大。第一半导体层(121)和第二半导体层(122)的各自的厚度大于10nm而在30nm以下。或者，在重视室温下的发光效率的用途中，第一半导体层(121)的厚度大于10nm而在30nm以下，第二半导体层(122)的厚度大于10nm而在40nm以下，发光层上形成有在其剖视时为V字形的凹部。
-
公开(公告)号：CN104919604B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201480004398.4
申请日：2014-03-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0025 , H01L33/025 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L33/32
Abstract: 氮化物半导体发光元件依次具备第一n型氮化物半导体层、第二n型氮化物半导体层、n型电子注入层和发光层，第二n型氮化物半导体层的平均n型掺杂物浓度为第一n型氮化物半导体层的平均n型掺杂物浓度的0.53倍以下，n型电子注入层的平均n型掺杂物浓度为第二n型氮化物半导体层的平均n型掺杂物浓度的1.5倍以上。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104919604A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201480004398.4
申请日：2014-03-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0025 , H01L33/025 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L33/32
Abstract: 氮化物半导体发光元件依次具备第一n型氮化物半导体层、第二n型氮化物半导体层、n型电子注入层和发光层，第二n型氮化物半导体层的平均n型掺杂物浓度为第一n型氮化物半导体层的平均n型掺杂物浓度的0.53倍以下，n型电子注入层的平均n型掺杂物浓度为第二n型氮化物半导体层的平均n型掺杂物浓度的1.5倍以上。
-
公开(公告)号：CN101556006B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200910134743.7
申请日：2006-09-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: F21S8/00 , F21V23/00 , G02F1/13357 , G09G3/36 , F21Y101/02
Abstract: 本发明涉及背光灯装置及具备该背光灯装置的显示装置。该背光灯装置具有与显示面板的显示区域对应的发光区域，通过组合多个配置了颜色传感器和红色、绿色及蓝色LED的背光灯基板来构成上述发光区域，其中，上述颜色传感器检测入射光的光量，根据上述颜色传感器的检测结果来控制上述LED的发光量。由此，可望减少在背光灯装置中发光区域整体的亮度不均。
-
公开(公告)号：CN100523596C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200710106439.2
申请日：2007-05-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: F21S19/00 , H05B33/00 , H05B37/02 , G02F1/13357 , F21Y101/02 , F21Y113/00
CPC classification number: H05B33/14 , C09K11/0883 , C09K11/7721 , C09K11/7734 , C09K11/7774 , H01L25/0753 , H01L33/50 , H01L2924/0002 , H05B33/0857 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种发光装置。在使用了LED的发光装置中，LED的亮度和色度因温度变化的影响而发生较大的变化，另一方面，虽然利用荧光体能够提高亮度及色度相对于温度变化的稳定性，但是，这样将导致降低发光装置的色再现性。为解决上述问题，本发明的发光装置具备：第1LED；第2LED；第1荧光体，由上述第2LED激励并发出颜色和上述第1LED的发光色相同或近似的光；以及控制电路，对上述第1LED的发光强度和上述第2LED的发光强度之比率进行控制。
-
公开(公告)号：CN101082401A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200710106439.2
申请日：2007-05-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: F21S19/00 , H05B33/00 , H05B37/02 , G02F1/13357 , F21Y101/02 , F21Y113/00
CPC classification number: H05B33/14 , C09K11/0883 , C09K11/7721 , C09K11/7734 , C09K11/7774 , H01L25/0753 , H01L33/50 , H01L2924/0002 , H05B33/0857 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种发光装置。在使用了LED的发光装置中，LED的亮度和色度因温度变化的影响而发生较大的变化，另一方面，虽然利用荧光体能够提高亮度及色度相对于温度变化的稳定性，但是，这样将导致降低发光装置的色再现性。为解决上述问题，本发明的发光装置具备：第1LED；第2LED；第1荧光体，由上述第2LED激励并发出颜色和上述第1LED的发光色相同或近似的光；以及控制电路，对上述第1LED的发光强度和上述第2LED的发光强度之比率进行控制。
-
公开(公告)号：CN1945405A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610141466.9
申请日：2006-09-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/13357 , G09G3/34 , G02F1/133
Abstract: 本发明提供一种用于非自发光型图像显示面板的背光灯装置。该背光灯装置具有与显示面板的显示区域对应的发光区域，通过组合多个配置了颜色传感器和红色、绿色及蓝色LED的背光灯基板来构成上述发光区域，其中，上述颜色传感器检测入射光的光量，根据上述颜色传感器的检测结果来控制上述LED的发光量。由此，可望减少在背光灯装置中发光区域整体的亮度不均。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
18
records
(took 0.035 seconds)
