公开(公告)号：CN119800515A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411746420.4

申请日：2024-12-02

Applicant: 宁波大学

Inventor： 吕业刚 ,  李郭 ,  董建峰 ,  李敏华

IPC: C30B29/68 ,  C30B29/46 ,  C30B29/02 ,  C30B23/00 ,  C30B33/02 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种用于神经形态计算的Sb/Sb2S3类超晶格薄膜材料及其制备方法，特点是其化学结构是为[Sb(x nm)/Sb2S3(y nm)]n，其中x为2～4，y为2～4，n为100/(x+y)整数部分的数值，其制备方法步骤如下：采用Sb和Sb2S3作为靶材，采用双靶交替溅射方法，以高纯度氩气作为工作气体，采用石英片或者硅片作为衬底材料，对其进行表面沉积；调整Sb直流溅射功率为20W，调整Sb2S3靶的射频功率为25W间，在室温下溅射得到Sb/Sb2S3类超晶格薄膜材料，优点是具有较高的结晶温度和数据保持力以及低电阻漂移，拥有比较快的结晶速度，热稳定性能较好，拥有较高的晶态与非晶态电阻率。

公开(公告)号：CN119738921A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202411746245.9

申请日：2024-12-02

Applicant: 宁波大学

Inventor： 吕业刚 ,  段琼 ,  董建峰 ,  李敏华

IPC: G02B6/126 ,  G02B6/124 ,  G02F1/01 ,  G02B6/14 ,  G02B6/12

Abstract: 本发明公开了一种基于亚波长倾斜相变光栅的紧凑型可重构偏振转换器，特点是包括脊型硅波导，脊型硅波导的脊部分上表面设置有用于调控横电波和横磁波模式有效折射率的具有倾斜角度的周期性亚波长纳米光栅结构，纳米光栅结构采用Sb2Sb3或Sb2S3相变材料制成，纳米光栅结构由多个大小形状相同且相互平行的纳米天线组成，纳米光栅结构的间隙填充有SiO2材料，纳米光栅结构和SiO2填充材料的上表面从下到上依次设置有Al2O层和石墨烯加热层，石墨烯加热层的上表面且位于脊型硅波导的平板部分两侧设置有金属电极钯金，优点是功能可重构、尺寸更小、宽带更宽和功耗更低。

公开(公告)号：CN108075039B

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201711173404.0

申请日：2017-11-22

Applicant: 宁波大学

Inventor： 王国祥 ,  李超 ,  聂秋华 ,  沈祥 ,  吕业刚 ,  张亚文

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种纳米复合ZnO‑ZnSb相变存储薄膜材料及其制备方法，特点是其材料化学结构式为(ZnSb)100‑x(ZnO)x，0

公开(公告)号：CN106782645B

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201611164714.1

申请日：2016-12-16

Applicant: 宁波大学

Inventor： 吕业刚 ,  张巍 ,  沈祥 ,  王国祥 ,  徐培鹏

IPC: G11C11/42

Abstract: 本发明公开了一种基于相变纳米线的集成型光电存储器件及其测试方法，特点是包括波导，波导两端分别连接有光栅垂直耦合器，波导的两侧对称分布有电极，波导上方设置有相变纳米线，相变纳米线与波导垂直，相变纳米线连接两个电极并形成欧姆接触，优点是可以实现电域和光域同时操作，可以利用光电混合模式实现多级存储，并能监测相变纳米线的瞬态过程，测试其相变速度。

公开(公告)号：CN110137349A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201910311284.9

申请日：2019-04-18

Applicant: 宁波大学

Inventor： 吕业刚 ,  李洋

IPC: H01L45/00 ,  C23C14/06 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种易失性至非易失性存储调控的二氧化钒-富Sb相变薄膜材料及其制备方法，特点是其化学结构式为(VO2)x(Sb4Te)100-x，其中0

公开(公告)号：CN104868053B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201510219504.7

申请日：2015-04-30

Applicant: 宁波大学

Inventor： 龚丽萍 ,  吕业刚 ,  孙景阳 ,  王东明 ,  汪伊曼 ,  沈祥 ,  王国祥 ,  戴世勋

IPC: H01L45/00 ,  C22C12/00

Abstract: 本发明公开了一种用于相变存储器的Ge‑Sb‑Te‑Se薄膜材料及其制备方法，特点是该材料是一种由锗‑锑‑碲‑硒四种元素组成的材料，其通式为(Sb2Se)x（Ge2Sb2Te5）y，其中Sb2Se摩尔百分含量为0%＜x%≤84%，GST摩尔百分含量16%≤y%≤95%，x+y=100，具体包括以下步骤：将磁控溅射镀膜系统真空度控制为0‑1.6×10‑4Pa，溅射所需起辉气压为0.3Pa；然后将Sb2Se靶上的射频电源功率控制为3‑13W，将GST靶上的射频电源功率控制为5‑50W，溅射时间为10‑60分钟，沉积得到Ge‑Sb‑Te‑Se薄膜材料，优点是热稳定性好、数据保持能力强、相变速度快。

公开(公告)号：CN105480955A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201510909387.7

申请日：2015-12-10

Applicant: 宁波大学

Inventor： 李增光 ,  吕业刚 ,  马亚东 ,  沈祥 ,  王国祥 ,  戴世勋

IPC: C01B19/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C01B19/007 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/82 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/16

Abstract: 本发明公开了一种Ge-Sb-Se硫系纳米线的制备方法，特点是采用高纯度的Ge20Sb15Se65玻璃粉末作为原料，采用水平管式炉装置，以高纯氩气作为工作气体，采用镀金硅片衬底材料进行表面沉积的步骤；将衬底分别放入去离子水与无水乙醇中用超声清洗的步骤；控制高温区温度450~550℃，低温区300~400℃，氩气流量130~150sccm及真空度1~5torr的步骤；最后沉积90~120分钟制得Ge-Sb-Se硫系纳米线的步骤，优点是工艺可控性强，生产成本低，重复性好，Ge-Sb-Se纳米线均匀致密。

公开(公告)号：CN103247757B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201310135767.0

申请日：2013-04-18

Applicant: 宁波大学

Inventor： 沈祥 ,  王国祥 ,  聂秋华 ,  陈益敏 ,  李军建 ,  徐铁峰 ,  戴世勋 ,  吕业刚

IPC: H01L45/00 ,  C22C12/00

Abstract: 本发明公开了一种用于相变存储器的Zn-Sb-Te相变存储薄膜材料及其制备方法，特点是该材料由锌，锑，碲三种元素组成，其化学结构式为ZnX(Sb2Te3)100-X，0

公开(公告)号：CN104328326A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201410473416.5

申请日：2014-09-17

Applicant: 宁波大学

Inventor： 王国祥 ,  沈祥 ,  徐培鹏 ,  吕业刚 ,  陈益敏 ,  田曼曼 ,  李军建 ,  戴世勋 ,  聂秋华 ,  徐铁峰

IPC: C22C30/06 ,  C23C14/35 ,  C23C14/14 ,  H01L45/00

CPC classification number: C23C14/35 ,  C22C30/06 ,  C23C14/14 ,  H01L45/065

Abstract: 本发明公开了用于相变存储器的Zn-Sb-Se相变存储薄膜材料，特点是相变存储薄膜材料为富Sb的Zn-Sb-Se化合物，其化学结构式为ZnxSbySez，其中：0

公开(公告)号：CN116661175A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310439361.5

申请日：2023-04-23

Applicant: 宁波大学

Inventor： 吕业刚 ,  朱红辉 ,  徐培鹏 ,  田野

IPC: G02F1/00 ,  G02F1/01 ,  G02F1/015

Abstract: 本发明公开了一种基于相变材料的零相移跑道型谐振器，特点是包括脊型波导，脊型波导上设置有相互平行的输入波导和输出波导；脊型波导上且位于输入波导与输出波导之间设置有跑道波导，跑道波导与输入波导之间以及跑道波导与输出波导之间均设置有耦合间距，输入波导的耦合区域设置有可在波导倏逝场耦合作用下发生非晶态至晶态的可逆相变的相变狭缝结构，相变狭缝结构材料选取为Sb2Se3或者Sb2S3相变材料，脊型波导上设置有用于将相变材料在加热作用下发生晶态和非晶态的可逆相变的PIN二极管，优点是具有零相移、高透射率调谐范围和低插入损耗。