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公开(公告)号：CN107406983B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201580070028.5
申请日：2015-12-01
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/505 , C23C16/455 , C23C16/452 , C23C16/40 , B81B3/00 , H01L21/02
Abstract: 减少具支柱的基板的线条弯曲与表面粗糙度的方法包括通过用自由基处理含支柱的基板来形成处理表面。自由基可以是硅基的、氮基的或氧基的。该方法可包括通过使有机硅前体和氧前体反应来在处理表面上面形成介电膜。该方法可包括在约150℃或以下的温度下，固化介电膜。减少具支柱的基板的线条弯曲与表面粗糙度的方法包括通过使有机硅前体、氧前体和自由基前体反应来在含支柱的基板上面形成介电膜。该方法可包括在约150℃或以下的温度下，固化介电膜。自由基前体可选自由氮基自由基前体、氧基自由基前体和硅基自由基前体所组成的群组。
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公开(公告)号：CN110249406A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201880009192.9
申请日：2018-02-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/44 , C23C16/505
Abstract: 本文公开的实施例总的来说关于等离子体处理系统。等离子体处理系统包括处理腔室、腔室陈化系统和远程等离子体清洁系统。处理腔室具有界定处理区域和等离子体场的腔室主体。腔室陈化系统耦接到处理腔室。腔室陈化系统经配置而陈化处理区域和等离子体场。远程等离子体清洁系统与处理腔室连通。远程等离子体清洁系统经配置对处理区域和等离子体场进行清洁。
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公开(公告)号：CN108118312A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711216053.7
申请日：2017-11-28
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/4405 , C23C16/452 , C23C16/45578 , C23C16/4558 , C23C16/458 , C23C16/54 , H01J37/32357 , H01J37/32449 , H01J37/32862 , C23C16/50 , H01J37/32431 , H01J37/32798
Abstract: 公开了用于可流动式CVD的双远程等离子体源的集成。本文中描述的实现方式总体涉及一种用于形成可流动膜的设备。在一个实现方式中，设备是包括第一RPS和第二RPS的处理腔室，第一RPS被耦接到处理腔室的盖，第二RPS被耦接到处理腔室的侧壁。第一RPS用于将沉积自由基传递到处理腔室中的处理区域中，并且第二RPS用于将清洁自由基传递到处理区域中。处理腔室还包括自由基传递环，所述自由基传递环设置在喷头与基板支撑件之间，用于将清洁自由基从第二RPS传递到处理区域中。具有用于沉积和清洁的单独RPS以及使用单独传递通道将自由基从所述RPS引入到处理区域中使RPS上的交叉污染和循环变化最小化，从而导致改进的沉积速率漂移和颗粒性能。
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公开(公告)号：CN107430991A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680011251.7
申请日：2016-01-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205 , C23C16/50
CPC classification number: C23C16/045 , C23C16/308 , C23C16/345 , C23C16/36 , C23C16/401 , C23C16/402 , C23C16/483 , C23C16/505 , C23C16/56 , H01L21/205 , C23C16/50
Abstract: 描述用于循环的沉积和固化工艺的方法。本文描述的实施方案提供用于填充形成在基板上的特征的循环连续沉积和固化工艺。填充特征以确保在形成在基板上的集成电路中的特征的电绝缘。本文描述的工艺使用的可流动膜沉积工艺可有效减小在形成在基板上的特征中产生的空隙或接缝。然而，使用可流动膜的传统缝隙填充方法通常包含具有不良物理和电性质的电介质材料。特别是，膜密度是不均匀的，横跨膜厚度的膜介电常数不同，膜稳定性不理想，膜折射率不一致，而且传统的可流动膜中的耐稀释氢氟酸(DHF)性并不理想。循环连续沉积和固化工艺解决本文描述的问题以形成质量较高且寿命增长的膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102741989A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201080056416.5
申请日：2010-10-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/324
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/345 , C23C16/401 , C23C16/452 , C23C16/56 , H01L21/02164 , H01L21/02222 , H01L21/02274 , H01L21/02326 , H01L21/02337
Abstract: 本发明描述了一种用来形成氧化硅层的方法。所述方法可以包括以下步骤：将无碳的含硅前体与自由基-氮-和/或-氢前体混合，并在基材上沉积含硅-氮-和-氢的层。然后通过在含臭氧的气氛中进行低温退火(“固化”)来引发所述含硅-氮-和-氢的层向含硅和氧的层转化。所述在含臭氧气氛中进行的硅和氮膜向氧化硅的转化可能是不完全的，在含氧气的气氛中补充进行较高温度的退火。
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公开(公告)号：CN114787999A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202080084805.2
申请日：2020-11-04
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L27/11582 , H01L27/11524 , H01L27/11556
Abstract: 形成半导体结构的示例性方法可包括形成覆盖半导体基板的第一氧化硅层。此方法可包括形成覆盖第一氧化硅层的第一硅层。此方法可包括形成覆盖第一硅层的氮化硅层。此方法可包括形成覆盖氮化硅层的第二硅层。此方法可包括形成覆盖第二硅层的第二氧化硅层。此方法可包括移除氮化硅层。此方法可包括移除第一硅层和第二硅层。此方法可包括形成在第一氧化硅层和第二氧化硅层中的每一者之间并接触第一氧化硅层和第二氧化硅层中的每一者的金属层。
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公开(公告)号：CN114737169A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210426147.1
申请日：2018-02-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/505 , H01J37/32
Abstract: 本文公开的实施例总的来说关于等离子体处理系统。等离子体处理系统包括处理腔室、腔室陈化系统和远程等离子体清洁系统。处理腔室具有界定处理区域和等离子体场的腔室主体。腔室陈化系统耦接到处理腔室。腔室陈化系统经配置而陈化处理区域和等离子体场。远程等离子体清洁系统与处理腔室连通。远程等离子体清洁系统经配置对处理区域和等离子体场进行清洁。
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公开(公告)号：CN110249406B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN201880009192.9
申请日：2018-02-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/44 , C23C16/505
Abstract: 本文公开的实施例总的来说关于等离子体处理系统。等离子体处理系统包括处理腔室、腔室陈化系统和远程等离子体清洁系统。处理腔室具有界定处理区域和等离子体场的腔室主体。腔室陈化系统耦接到处理腔室。腔室陈化系统经配置而陈化处理区域和等离子体场。远程等离子体清洁系统与处理腔室连通。远程等离子体清洁系统经配置对处理区域和等离子体场进行清洁。
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