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公开(公告)号：CN102959680A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180028979.8
申请日：2011-06-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02381 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L29/045
Abstract: 在沉积结晶锗层于基板上的方法中，基板放置在处理区中，所述处理区包含一对处理电极。在沉积阶段，将结晶锗层沉积在所述基板上是通过以下步骤：将包含含锗气体的沉积气体导入所述处理区，以及，藉由将能量耦合所述处理电极而形成所述沉积气体的电容式耦合等离子体。在后续处理阶段，通过将所述结晶锗层暴露到经激发的处理气体或通过退火所述层，而处理所述沉积的结晶锗层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101690420B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN200880016970.3
申请日：2008-05-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/318 , H05H1/24 , C01B21/064
CPC classification number: C23C16/342 , C23C16/45523
Abstract: 本发明是提供形成含硼薄膜的方法，该方法包括：将含硼前体及含氮前体或含氧前体导入一腔室中；以及在腔室中的一基板上形成氮化硼或氧化硼薄膜。在一实施态样中，该方法包括沉积含硼薄膜，并接着将该含硼薄膜暴露于含氮或含氧前体，以使氮或氧并入薄膜中。含硼薄膜的沉积及将该薄膜暴露于前体的步骤可进行多个循环，以获得具有期望厚度的薄膜。在另一实施态样中，该方法包括使含硼前体与含氮或含氧前体反应，以化学气相沉积氮化硼或氧化硼薄膜。
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公开(公告)号：CN102906304A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180026221.0
申请日：2011-06-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/04 , C23C16/44 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02271 , C23C16/402 , H01L21/02164 , H01L21/0332 , H01L21/76898
Abstract: 使用包含有BDEAS及诸如臭氧之类的含氧气体的工艺气体将二氧化硅层沉积在衬底上。二氧化硅层可为包含有抗蚀剂层的抗蚀刻叠层的一部分。在另一方面中，将二氧化硅层沉积到穿孔中以形成用于硅通孔的氧化物衬垫。
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公开(公告)号：CN101480110B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200780024531.2
申请日：2007-06-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： D·帕德希 , H-C·哈 , S·拉蒂 , D·R·威蒂 , C·陈 , S·帕克 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , K·杰纳基拉曼 , M·J·西蒙斯 , V·斯瓦拉马克瑞希楠 , B·H·金 , H·姆塞德
IPC: H05H1/24
CPC classification number: H01L21/3146 , C23C16/045 , C23C16/26 , C23C16/5096 , C23C16/56 , H01L21/31144
Abstract: 一种在基板上沉积无定形碳层的方法包括下列步骤：将基板放置在处理室中；将烃源导入处理室；将重稀有气体导入处理室；以及在处理室中产生等离子体。重稀有气体选自由氩、氪、氙、及其混合物所组成的群组，并且稀有气体的摩尔流速大于烃源的摩尔流速。该方法可包括后沉积终止步骤，其中烃源及稀有气体的流动并终止，并且将等离子体维持在处理室中一段时间以自处理室中移除粒子。
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公开(公告)号：CN101473062B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200780023174.8
申请日：2007-06-14
Applicant: 应用材料公司
Inventor： D·帕德希 , C·陈 , S·拉蒂 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·周 , K·杰纳基拉曼 , M·J·西蒙斯 , V·斯瓦拉马克瑞希楠 , D·R·威蒂 , H·姆塞德
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/0254 , C23C16/26 , C23C16/4404
Abstract: 本发明提供一种具有用在半导体应用中的保护性涂层的物件以及多种制造所述物件的方法。在一个实施例中，本发明提供一种涂覆物件的铝表面的方法，其中所述物件是应用在半导体处理腔室中的。此方法包含：提供处理腔室；置放所述物件至所述处理腔室内；使第一气体流入所述处理腔室，其中所述第一气体包含碳源；使第二气体流入所述处理腔室，其中所述第二气体包含氮源；在所述处理腔室内形成等离子体；以及在所述铝表面上沉积涂覆材料。在一个实施例中，涂覆材料包括含不定形碳氮的层。在一个实施例中，所述物件包含喷洒头，喷洒头被配置成输送气体至处理腔室。
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公开(公告)号：CN221290866U
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202320738568.8
申请日：2023-04-06
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 一种化学机械抛光装置具有：压板，所述压板支撑抛光垫；载体头，所述载体头包括刚性外壳并被配置为将基板的表面固持抵靠所述抛光垫；电动机，所述电动机用于产生在所述压板与所述载体头之间的相对运动，以便抛光所述基板；原位载体头监测系统，所述原位载体头监测系统包括传感器，所述传感器被定位成与所述外壳相互作用并且检测所述外壳的振动运动并基于检测到的振动运动来生成信号；以及控制器。所述控制器被配置为基于从所述原位载体头监测系统接收的信号来生成载体头状态参数的值，以及基于所述载体头状态参数来改变抛光参数或生成警报。
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