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公开(公告)号：CN110650992A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201880033283.6
申请日：2018-05-16
Applicant: 日立化成株式会社
Abstract: 本发明为具有下述通式(I)所示的结构单元的硅化合物。通式(I)中，m表示1～30的整数，n表示使得重均分子量为5,000～1,000,000的数字，R1～R4各自独立地表示碳数为1～8的烷基或碳数为6～14的芳基，R5及R6各自独立地表示碳数为1～8的烷基或碳数为6～14的芳基，R7～R10各自独立地表示碳数为1～8的烷基或碳数为6～14的芳基，n个结构单元中，m、R1～R10的组合可以全部相同，也可以一部分或全部不同。
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公开(公告)号：CN106935664A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201611001547.9
申请日：2013-07-12
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/068 , Y02E10/547 , H01L31/18
Abstract: 本发明的钝化层形成用组合物包含下述通式(I)所示的有机铝化合物和选自烷醇钛、烷醇锆及烷醇硅中的至少一种烷醇盐化合物。在下述通式(I)中，R1分别独立地表示碳数1～8的烷基；n表示0～3的整数；X2及X3分别独立地表示氧原子或亚甲基；R2、R3及R4分别独立地表示氢原子或碳数1～8的烷基。
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公开(公告)号：CN106471626A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201580035295.9
申请日：2015-07-02
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L21/316 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供包含下述通式(I)所示的化合物和水的第1钝化层形成用组合物及包含下述通式(I)所示的化合物的水解物的第2钝化层形成用组合物。通式(I)：M(OR1)m[通式(I)中，M表示选自Al、Nb、Ta、VO、Y及Hf中的至少1种。R1分别独立地表示烷基或芳基。m表示1～5的整数]。
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公开(公告)号：CN104488069A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201380036945.2
申请日：2013-07-12
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/312 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/02167 , C23C18/1216 , H01L31/022425 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , C23C18/10
Abstract: 本发明的钝化层形成用组合物包含通式(I)所示的有机铝化合物和通式(II)所示的有机化合物。通式(I)中，R1分别独立地表示碳数1～8的烷基。n表示0～3的整数。X2及X3分别独立地表示氧原子或亚甲基。R2、R3及R4分别独立地表示氢原子或碳数1～8的烷基。
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公开(公告)号：CN104471717A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201380038010.8
申请日：2013-07-19
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/02013 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L31/02168 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种钝化层形成用组合物，其含有通式(I)：M(OR1)m所表示的化合物和树脂。式中，M包含选自由Nb、Ta、V、Y及Hf组成的组中的至少1种金属元素。R1分别独立地表示碳原子数为1～8的烷基或碳原子数为6～14的芳基。m表示1～5的整数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104081517A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201280067367.4
申请日：2012-12-11
Applicant: 日立化成株式会社
CPC classification number: H01L23/295 , C08G2261/1426 , C08G2261/1452 , C08G2261/148 , C08G2261/312 , C08G2261/3444 , C08G2261/91 , C08L65/00 , C08L65/02 , H01L23/3171 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种用于形成半导体基板用钝化膜的材料，其包含具有酸性基的化合物。根据本发明，可以以简便的方法形成具有优异钝化效果的半导体基板用钝化膜。
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公开(公告)号：CN104081504A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201280066134.2
申请日：2012-12-28
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/312 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/022433 , H01L31/022441 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供包含下述通式(I)所示的有机铝化合物和树脂的钝化膜形成用组合物。式中，R1分别独立地表示碳原子数1～8的烷基。n表示0～3的整数。X2及X3分别独立地表示氧原子或亚甲基。R2、R3及R4分别独立地表示氢原子或碳原子数1～8的烷基。
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公开(公告)号：CN104040701A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201280066119.8
申请日：2012-12-28
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/312 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/02167 , C08K5/56 , C09D101/28 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/1864 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种带钝化膜的半导体基板的制造方法，其包括：在半导体基板上形成电极的工序；在上述半导体基板的形成上述电极的面上赋予包含有机铝化合物的半导体基板钝化膜形成用组合物而形成组合物层的工序；和对上述组合物层进行加热处理而形成钝化膜的工序。
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公开(公告)号：CN104488088B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201380037778.3
申请日：2013-07-19
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02245 , H01L31/02167 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池元件，其包含：具有受光面及与上述受光面相反一侧的背面且在上述背面具有含有p型杂质的p型扩散区域及含有n型杂质的n型扩散区域的半导体基板、设置于上述半导体基板的背面的一部分或全部的区域中且含有选自由Nb2O5、Ta2O5、V2O5、Y2o3及HfO2组成的组中的1种以上的钝化层、设置于上述p型扩散区域的至少一部分中的第一金属电极、和设置于上述n型扩散区域的至少一部分中的第二金属电极。
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公开(公告)号：CN103503121B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201280021239.6
申请日：2012-05-18
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/312 , C08K3/00 , C08L25/18 , C08L27/12 , C08L71/10 , C08L101/02 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种用于形成半导体基板用钝化膜的材料，其包含具有阴离子性基团或阳离子性基团的高分子化合物。
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