公开(公告)号：CN1607608A

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN200410075274.3

申请日：2004-09-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岩成俊一 ,  坂上雅彦 ,  村久木康夫

IPC: G11C11/22 ,  G11C11/40

CPC classification number: G11C7/02 ,  G11C7/18 ,  G11C11/22

Abstract: 一种具有半导体衬底的半导体存储器件，包括多个参考单元4和多条位线10。参考单元4形成在半导体衬底的预定区域的中心线附近的区域中，该中心线与位线10相垂直。位线10形成对，每一对由两条相邻的位线组成。每一对中的两条位线10具有第一平行状态和第二平行状态，在第二平行状态中，两条位线的位置与第一平行状态中的位置颠倒。每个位线对10具有至少一个交叉部分11，其中一对位线10相互交叉的，以在第一平行状态和第二平行状态之间转换。在半导体衬底的预定区域提供交叉部分11，使得第一平行状态中的位线10长度等于第二平行状态中的位线10长度。该半导体存储器件的尺寸缩小了。

公开(公告)号：CN101483063A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200810160828.8

申请日：2008-09-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中尾良昭 ,  五宝靖 ,  岩成俊一 ,  村久木康夫 ,  松浦正则

IPC: G11C11/22 ,  H01L21/00

CPC classification number: G11C11/22 ,  H01L27/11509 ,  H01L27/11592 ,  Y10T29/49002

Abstract: 本发明公开了一种半导体存储装置及其制造方法。包括铁电存储器(102)的半导体存储装置(10)还包括在高温下保持数据的能力比铁电存储器(102)在高温下保持数据的能力强的非易失性存储器(103)，以及进行切换而使铁电存储器(102)及非易失性存储器(103)互相连接或者不连接的连接电路(104)。铁电存储器(102)通过连接电路(104)接收并保持已写入非易失性存储器(103)中的、该装置特有的数据的至少一部分。因此，能够防止已写入铁电存储器中的信息通过铁电存储器的制造工序中的加热处理消失。

公开(公告)号：CN100501867C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200610003714.3

申请日：2006-02-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岩成俊一 ,  坂上雅彦 ,  平野博茂 ,  中熊哲治 ,  三木隆 ,  五宝靖 ,  山冈邦吏 ,  村久木康夫

IPC: G11C16/02

CPC classification number: G11C11/4076 ,  G11C7/1051 ,  G11C7/1063 ,  G11C2207/229

Abstract: 提供一种与SRAM兼容并且能够进行高速数据传输操作同时保持数据可靠性的半导体存储器件。当外部芯片使能信号XCE执行下降转换时开始访问存储核心6。同时，接收外部写使能信号XWE和外部地址信号ADD，并且选择与所接收的外部地址信号ADD相应的存储核心6中的存储单元1。当完成从存储单元1读出数据或将数据写入存储单元1时，根据外部芯片使能信号XCE的上升转换或外部写使能信号XWE的上升转换激活重写定时器7，用于执行存储单元1的数据重写。

公开(公告)号：CN100437819C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200510072630.0

申请日：2005-05-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山冈邦吏 ,  平野博茂 ,  五宝靖 ,  岩成俊一 ,  村久木康夫 ,  坂上雅彦 ,  中熊哲治 ,  三木隆

IPC: G11C11/22 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 一种铁电体存储装置，包括使用铁电体电容器存储数据的标准单元、产生基准电位的参考单元、把标准单元和基准电位的电位差放大的读出放大器、控制标准单元和参考单元和读出放大器的控制电路，把标准单元的字线(WL)非活性化，把第一铁电体电容器从第一位线(BL1)断开后，把位线预充电控制线活性化，通过驱动第一位线预充电电路(7)，把第一位线(BL1)放电。

公开(公告)号：CN101042674A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200710085534.9

申请日：2007-03-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 松浦正则 ,  五宝靖 ,  岩成俊一 ,  德光伸一 ,  中西雅浩

IPC: G06F12/00

CPC classification number: G06F12/0246 ,  G06F2212/7203 ,  G06F2212/7205

Abstract: 本发明涉及非易失性存储装置及其数据写入方法，上述非易失性存储装置从外部输入作为扇区单位的数据的输入数据，包括：非易失性的主记忆存储器，以比上述扇区单位大的页单位进行数据的写入；辅助记忆存储器，至少保存页单位量的上述输入数据；存储器判断单元，判断上述辅助记忆存储器是否保存了上述页单位以上的数据；在由上述存储器判断单元判断为上述辅助记忆存储器保存了上述页单位以上的数据的情况下，存储器控制单元以上述页单位将保存在上述辅助记忆存储器中的数据写入上述主记忆存储器的新页中。

公开(公告)号：CN1967720A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610149567.0

申请日：2006-11-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小关隆夫 ,  在田盟 ,  山冈邦史 ,  岩成俊一

IPC: G11C11/56 ,  G11C11/10 ,  G11C16/08

CPC classification number: G06F12/1009 ,  G06F12/1408 ,  G06F2212/2022

Abstract: 本发明提供一种半导体存储器件的控制方法，该半导体存储器件包含具有多个多值存储器单元的存储器单元阵列，该多个多值存储器单元的每一个，以第一写入动作在第一页的地址存储数据、以第二写入动作在第二页的地址存储数据，所述半导体存储器件的控制方法的特征在于，包括：地址转换表处理步骤，通过在上述多个多值存储器单元的每一个中，对地址分配要进行写入的地址，以使得在第一页的地址写入数据之后在第二页的地址写入数据，来生成用于进行地址转换的地址转换表；地址加扰步骤，根据上述地址转换表，对输入地址进行地址转换。

公开(公告)号：CN1811690A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200610006751.X

申请日：2006-01-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 加藤刚久 ,  五宝靖 ,  中西雅浩 ,  外山昌之 ,  岩成俊一

IPC: G06F3/06

CPC classification number: G06F1/3225 ,  G06F1/206 ,  G06F1/324 ,  G06F1/3275 ,  G06F1/3296 ,  Y02D10/126 ,  Y02D10/13 ,  Y02D10/14 ,  Y02D10/172

Abstract: 本发明的存储器系统包括具有非易失性存储器的存储装置和对存储装置进行存取的存取装置，所述存储装置包括：检测部件，检测存储装置的温度；决定部件，根据检测出的温度来决定工作条件；以及通知部件，将决定的工作条件通知所述存取装置，所述存取装置包括：接口部件，连接存储装置；以及控制部件，根据由存储装置通知的工作条件来控制接口部件。