公开(公告)号：CN103620783B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280030161.4

申请日：2012-06-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 坂田祐辅 ,  森三佳 ,  广濑裕 ,  益田洋司 ,  栗山仁志 ,  宫川良平

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/768 ,  H04N5/357 ,  H04N5/369

CPC classification number: H01L27/14806 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/485 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14665 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0002

Abstract: 本发明涉及的固体摄像装置具备：第一电极(113)，被形成在半导体衬底(101)的上方；光电转换膜(114)，被形成在第一电极(113)上，且对光进行光电转换，从而得到信号电荷；第二电极(115)，被形成在光电转换膜(114)上；电荷积蓄区域(104)，与第一电极(113)电连接，积蓄由光电转换膜(114)进行光电转换而得到的信号电荷；放大晶体管(108a)，对被积蓄在电荷积蓄区域(104)中的信号电荷进行放大；复位栅极电极，对电荷积蓄区域(104)进行复位；以及由半导体材料构成的接触插头(107)，用于将第一电极(113)与电荷积蓄区域(104)电连接，且与电荷积蓄区域(104)直接接触。

公开(公告)号：CN103620783A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201280030161.4

申请日：2012-06-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 坂田祐辅 ,  森三佳 ,  广濑裕 ,  益田洋司 ,  栗山仁志 ,  宫川良平

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/768 ,  H04N5/357 ,  H04N5/369

CPC classification number: H01L27/14806 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/485 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14665 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0002

Abstract: 本发明涉及的固体摄像装置具备：第一电极(113)，被形成在半导体衬底(101)的上方；光电转换膜(114)，被形成在第一电极(113)上，且对光进行光电转换，从而得到信号电荷；第二电极(115)，被形成在光电转换膜(114)上；电荷积蓄区域(104)，与第一电极(113)电连接，积蓄由光电转换膜(114)进行光电转换而得到的信号电荷；放大晶体管(108a)，对被积蓄在电荷积蓄区域(104)中的信号电荷进行放大；复位栅极电极，对电荷积蓄区域(104)进行复位；以及由半导体材料构成的接触插头(107)，用于将第一电极(113)与电荷积蓄区域(104)电连接，且与电荷积蓄区域(104)直接接触。

公开(公告)号：CN103493202A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280019936.8

申请日：2012-04-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 冲野彻 ,  森三佳 ,  广濑裕 ,  加藤刚久 ,  田中毅

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14632 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明提供一种固体摄像装置，具备：基板(30)、形成在基板(30)上的绝缘体层(31)、形成在绝缘体层(31)上的半导体层(32)、形成在半导体层(32)上的硅层(33)。硅层(33)具有多个像素部，该多个像素部各自具有：光电变换部(34)，其将光变换为信号电荷；和电路，其读出信号电荷。绝缘体层(31)的折射率比半导体层(32)的折射率小。

公开(公告)号：CN100459141C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200580000820.X

申请日：2005-06-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森三佳 ,  上田大助

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/76 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 固体摄像装置，包括：形成在硅衬底上的摄像区域中的多个光电变换部、和填充在形成在硅衬底的光电变换部周围的至少一部分中的槽部即元件隔离槽中的填充层。填充层，由热膨胀系数超过氧化硅的热膨胀系数且小于等于硅的热膨胀系数的材料构成。

公开(公告)号：CN101048016A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200710005408.8

申请日：2007-02-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森三佳 ,  上田大助

IPC: H04R19/01 ,  H04R19/04

CPC classification number: H04R19/016 ,  H01G7/021

Abstract: 本发明在于，提供一种制造率优良、小型高感度的驻极体电容式麦克风(驻极体电容式麦克风)。其构成为上部电极23和下部电极13在中空部16相向的空气隙电容构造，电极间形成有作为电荷保持材料的驻极体膜20。驻极体电容式麦克风10，和半导体衬底11一体形成，驻极体膜20，由全氟代非晶质氟素聚合体树脂构成。由这样的材料构成的驻极体膜20，由于能够在衬底11上通过旋转涂布法形成，因此容易薄膜化，而且，能够以在半导体制造工艺所使用的氟系气体容易地进行蚀刻法，因此，能够进行细微加工，缩小电容器面积。

公开(公告)号：CN1518345A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200410002048.2

申请日：2004-01-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山口琢己 ,  春日繁孝 ,  森三佳

IPC: H04N5/335 ,  H04N5/225

CPC classification number: H04N9/045

Abstract: 一种固体摄像装置，具备：摄像部，排列着对入射光进行光电转换的多个单位象素，形成色排列不同的多种象素行；存储器部，存储由上述摄像部中的至少一行象素获得的象素信号；输出信号线，存储在上述存储器部中的象素信号被读取到上述输出信号线中；输出部，输出上述输出信号线中的信号。在将由一行中不相邻的同一色的象素获得的象素信号连续地读取到上述输出信号线中之后，将由不相邻的其他同一色的象素获得的象素信号连续地读取到上述输出信号线中。可以连续地输出同一色的象素信号，不需要使色选择开关对每个象素信号都高速地动作。还可以抑制相邻信号的混色。

公开(公告)号：CN102893400B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201180023800.X

申请日：2011-02-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森三佳 ,  冲野彻 ,  石井基范 ,  斋藤繁 ,  大竹悠介 ,  藤原一夫 ,  岛田恭博 ,  广濑裕

IPC: H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L31/02325 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687 ,  H01L31/18

Abstract: 一种固体摄像装置（10），多个像素被排列成二维状，该固体摄像装置具备硅层（101）；多个光电二极管（111），在硅层（101）内与多个像素对应地形成，通过将入射的光进行光电变换而生成信号电荷；以及多个滤色器（122a～122c），在硅层（101）的上方与多个像素对应地形成；多个滤色器（122a～122c）分别在作为相邻的滤色器之间的区域、并且是硅层（101）侧的区域的区域中，形成有折射率比滤色器（122a～122c）低的凸部（121），多个滤色器（122a～122c）分别在凸部（121）的上方与相邻的滤色器接触。

公开(公告)号：CN103946982A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201280056111.3

申请日：2012-11-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森三佳 ,  广濑裕 ,  加藤刚久 ,  坂田祐辅 ,  益田洋司 ,  宫川良平

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/357 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14689

Abstract: 固体摄像装置具备：被配置为矩阵状的多个像素(11)；半导体衬底(101)；第一电极(113)，按每个像素(11)被形成在半导体衬底(101)的上方；光电转换膜(114)，被形成在第一电极(113)上，且对光进行光电转换，从而得到信号电荷；电荷积蓄区域(104)，被形成在半导体衬底(101)，积蓄由光电转换膜(114)进行光电转换而生成的信号电荷；接触插塞(107)，将对应的像素(11)的第一电极(113)与电荷积蓄区域(104)电连接；N型杂质区域(117)，被形成在电荷积蓄区域(104)的表面中的、与接触插塞(107)接触的区域；P型杂质区域(151)，被形成在不与接触插塞(107)接触的区域；以及低浓度N型杂质区域(150)，被形成在N型杂质区域(117)与P型杂质区域(151)之间。

公开(公告)号：CN102668083A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201080052831.3

申请日：2010-08-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森三佳 ,  冲野彻 ,  广濑裕 ,  加藤刚久

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14645 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/1464

Abstract: 本发明的固体摄像装置具有：半导体基板(1)；矩阵状地配置于该半导体基板(1)的上部而形成的n型的多个光电变换部(11)；形成于半导体基板(1)的一个面即电荷检测面，并对积累于光电变换部(11)的电荷进行检测的输出电路(12)；形成于该输出电路(12)的下侧，且包含与各光电变换部(11)相接的高浓度p型层的p型的多个分离扩散层(10)；形成于半导体基板(1)中的与上述一个面相对的另一面即光入射面，且透过不同波长的光的彩色滤光器(17)、(18)以及(19)。各光电变换部(11)的形状与彩色滤光器(17)、(18)以及(19)相对应，根据构成分离扩散层(10)的高浓度p型层而不同。

公开(公告)号：CN1877846B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610073224.0

申请日：2006-04-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森三佳

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/822 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明公开了一种固体摄像装置、摄像机以及固体摄像装置的制造方法。在具有设置在硅衬底(1)上部的光电二极管(2)、和通过元件隔离区域(3)与光电二极管(2)分离开的金属氧化物半导体场效应晶体管的活性区域的固体摄像装置中，使元件隔离区域(3)上部宽度比下部宽度宽。因此，能够提供一种在确保元件隔离用区域的电气隔离特性的状态下，实现像素尺寸的微细化和受光区域面积的增大，并且随机干扰和白缺陷很少的固体摄像装置、摄像机以及固体摄像装置的制造方法。