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公开(公告)号：CN101689548B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200980000538.X
申请日：2009-04-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本发明提供非易失性存储元件、非易失性存储装置和向非易失性存储元件的数据写入方法。本发明的非易失性存储元件包括第一电极(503)、第二电极(505)、和介于第一电极与第二电极之间的电阻变化层(504)，第一电极与第二电极间的电阻值根据施加于第一电极与第二电极之间的正负两极性的电信号可逆地发生变化，其中，电阻变化层包含氧不足型的铪氧化物，第一电极和第二电极由不同的元素构成，构成第一电极的元素的标准电极电位V1、构成第二电极的元素的标准电极电位V2、和铪的标准电极电位V0的关系，满足V1＜V2且V0＜V2。
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公开(公告)号：CN101878507A
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200980101172.5
申请日：2009-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0033 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2013/009 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/34
Abstract: 本发明提供能进行稳定动作的电阻变化元件的驱动方法以及实施该方法的非易失性存储装置。具有：写入过程，将第1极性的写入电压脉冲施加给电阻变化层(3)，使电阻变化层(3)的电阻状态从高向低变化；以及擦除过程，将与该第1极性不同的第2极性的擦除电压脉冲施加给电阻变化层(3)，使电阻变化层(3)的电阻状态从低向高变化；在将第1次到第N次(N大于等于1)的写入电压脉冲的电压值设为Vw1、将第(N+1)次以后的写入电压脉冲的电压值设为Vw2时，满足|Vw1|＞|Vw2|，而且，在将第1次到第M次(M大于等于1)的擦除电压脉冲的电压值设为Ve1、将第(M+1)次以后的擦除电压脉冲的电压值设为Ve2时，满足|Ve1|＞|Ve2|，第(N+1)次的上述写入过程接在第M次的擦除过程之后。
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公开(公告)号：CN1799146A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200480015008.X
申请日：2004-05-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/785 , H01L29/66795 , H01L29/78687
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包括：第一绝缘层(11)；由在第一绝缘层上形成的岛状的半导体构成的第一主体部(13)；由在第一绝缘层上形成的岛状半导体构成的第二主体部(14)；在第一绝缘层上，连接第一主体部和第二主体部而形成的脊骨状的连接部(15)；由在连接部的长度方向上的至少一部分构成的通道区域(15a)；通过第二绝缘层(17)覆盖通道区域的外周而形成的栅极(18)；横跨第一主体部、和连接部的、该第一主体部与通道区域之间的部分而形成的源极区域；以及横跨第二主体部、和连接部的、该第二主体部与通道区域之间的部分而形成的漏极区域；其中，构成通道区域的半导体具有晶格应变。
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公开(公告)号：CN1168147C
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN00100243.0
申请日：2000-01-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/02 , H01L27/04 , H01L21/20 , H01L21/265 , H01L21/324 , C30B29/02
CPC classification number: H01L29/165 , C30B23/02 , C30B29/68 , H01L21/02381 , H01L21/02447 , H01L21/0245 , H01L21/02507 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L29/1054 , H01L29/155
Abstract: 交替地将不产生离散的量化能级的厚度薄的Si1-xGex层(0＜x＜1)和Si1-yCy层(0＜y＜1)层叠成多层，以形成能起到单一的SiGeC层的作用的Si1-xGex/Si1-yCy短周期超晶格体。这样，可获得排除Ge-C键的SiGeC三元混晶体。在形成Si1-xGex/Si1-yCy短周期超晶格体的方法中，有交替地使Si1-xGex层和Si1-yCy层外延生长的方法以及在形成Si/Si1-xGex短周期超晶格体之后，注入C离子，再通过热处理，以使C原子移到Si层中的方法。
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公开(公告)号：CN103250252B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201280004074.1
申请日：2012-10-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: G11C13/004 , G11C13/0007 , G11C13/0061 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2213/55 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146
Abstract: 非易失性存储装置具备第1电极（103）、第2电极（106）和电阻变化层（104），电阻变化层（104）具备：第1氧化物层（104a），含有第1金属的氧化物；第2氧化物层（104b），在第1氧化物层（104a）和第2电极（106）之间相接配置，含有第2金属的氧化物，与第1氧化物层（104a）相比氧不足率小；及局部区域（105），在第1氧化物层（104a）及第2氧化物层（104b）内与第2电极（106）相接配置，不与第1电极（103）相接，与第2氧化物层（104b）相比氧不足率大，氧不足率与第1氧化物层（104a）不同。
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公开(公告)号：CN103339681B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201280006650.6
申请日：2012-12-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0007 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/73 , G11C2213/74 , G11C2213/79
Abstract: 一种电阻变化元件的驱动方法，具有初始过程，其在第一次写入过程之前，通过施加第一极性的初始电压脉冲使金属氧化物层的电阻值从初始状态的电阻值向其他的电阻值变化，设初始状态的电阻值为R0，写入状态的电阻值为RL，消去状态的电阻值为RH，其他的电阻值为R2，设初始电压脉冲施加时的电流的最大值为IbRL，设写入电压脉冲施加时的电流的最大值为IRL，设消去电压脉冲施加时的电流的最大值为IRH，满足R0＞RH＞R2≥RL，且满足|IRL|＞|IbRL|。
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公开(公告)号：CN103270592A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201280004259.2
申请日：2012-10-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/145 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/15 , H01L27/101 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本发明涉及非易失性存储元件以及非易失性存储装置。非易失性存储元件具备第一电极（103）、第二电极（106）以及电阻变化层（104），电阻变化层（104）包括：第一氧化物层（104a），由具有p型载流子的非化学计量组成的金属氧化物构成；第二氧化物层（104b），与第一氧化物层（104a）以及第二电极（106）之间相接地配置，由具有n型载流子的非化学计量组成的金属氧化物构成；氧储存区域（110），配置在第一氧化物层（104a）内，不与第一电极（103）相接，与第一氧化物层（104a）相比含氧率更高；以及局部区域（105），在第二氧化物层（104b）内与氧储存区域（110）相接地配置，与第二氧化物层（104b）相比含氧率更低。
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公开(公告)号：CN101978496B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN200980100360.6
申请日：2009-07-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/71 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本发明提供非易失性存储元件和其制造方法、以及使用该非易失性存储元件的非易失性半导体装置。该非易失性存储元件包括：第一电极(103)；第二电极(108)；和介于第一电极(103)与第二电极(107)之间，电阻值根据施加于两电极(103)、(108)间的电信号可逆地变化的电阻变化层(107)，该电阻变化层(107)至少具有叠层有第一含铪层和第二含铪层的叠层构造，该第一含铪层具有以HfOx(其中，0.9≤x≤1.6)表示的组成，该第二含铪层具有以HfOy(其中，1.8＜y＜2.0)表示的组成。
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公开(公告)号：CN101836296B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200980100763.0
申请日：2009-08-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L45/147 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 电阻变化型非易失性存储装置包括半导体基板(301)；电阻变化元件(309)，由下部电极(309a)、上部电极(309c)以及电阻变化层(309b)构成，在所述电阻变化层中通过施加到两极之间的极性不同的电压信号，电阻值可逆地变化；以及N型MOS晶体管(317)，构成于半导体基板(301)的主面；电阻变化层(309b)具有与下部电极(309a)相接的组成为MOx的缺氧型的过渡金属的氧化物层(309b-1)、与上部电极(309c)相接的组成为MOy的缺氧型的过渡金属的氧化物层(309b-2)，其中x＜y；将在使电阻变化层(309b)成为高电阻的电压信号被施加时成为晶体管(317)的漏极的N型扩散层区域(302b)与下部电极(309a)连接来构成存储器单元(300)。
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公开(公告)号：CN101981695B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200980111679.9
申请日：2009-07-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1641
Abstract: 本发明提供一种电阻变化元件及其制造方法，该电阻变化元件的特征在于，包括：第一电极(103)；第二电极(107)；以及，设置成介于第一电极(103)和第二电极(107)之间，并与第一电极(103)和第二电极(107)相接，能够基于施加在第一电极(103)和第二电极(107)之间的极性不同的电信号产生可逆变化的电阻变化层，其中，电阻变化层由氧不足型过渡金属氧化物层构成，第二电极(107)由具有微小突起(108)的铂构成。
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