公开(公告)号：CN100487910C

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200510052558.5

申请日：2005-03-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 宫岛贤一 ,  田村彰良 ,  村山启一

IPC: H01L29/737 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66318 ,  H01L29/7371

Abstract: 本发明涉及异质结双极型晶体管及其制造方法。在高浓度n型第一子集电极层(102)上，依次形成：由能带隙小的材料构成的高浓度n型第二子集电极层(108)；由i型或者低浓度n型集电极层(103)；高浓度p型基极层(104)；由能带隙大的材料构成的n型发射极层(105)；高浓度n型发射极盖体层(106)；由能带隙小的材料构成的高浓度n型发射极接触层(107)。发射极电极(111)、基极电极(112)、以及集电极电极(113)的各自的下侧形成合金化反应层(114)～(116)。由此，基于本发明的异质结双极型晶体管，不仅可以降低制造成本，还能够实现各电极的良好的欧姆特性。

公开(公告)号：CN1877838A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200610093567.3

申请日：2006-06-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 按田义治 ,  田村彰良 ,  谷内宽直

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/7605 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/8605

Abstract: 本发明的目的在于提供半导体器件，包括用InGaP层作为在表面露出的半导体层的半导体电阻元件，能够提高元件隔离耐压。本发明的半导体器件具有：FET(21)，其包括沟道层(3)、以及形成在沟道层(3)上且由非掺杂的InGaP构成的肖特基层(7)；以及半导体电阻元件(22)，其包括利用元件隔离区(12)来与FET(21)隔离的肖特基层(7)和沟道层(3)的一部分，FET(21)和半导体电阻元件(22)形成在同一衬底上，在元件隔离(12)内肖特基层(7)被去除。

公开(公告)号：CN1755932A

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN200510106458.6

申请日：2005-09-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 加藤由明 ,  按田义治 ,  田村彰良

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/0605 ,  H01L27/0629

Abstract: 本发明的目的在于提供可以改善饱和电压特性的半导体电阻元件及其制造方法。本发明的半导体电阻元件和GaAs FET形成在同一基板上，所述的有源元件具有沟道层、在沟道层上形成的由不掺杂的InGaP构成的肖特基层、以及在肖特基层上形成的接触层，该半导体电阻元件具有活性区域以及在所述接触层上形成的2个欧姆电极，所述的活性区域具有由与GaAs FET分离的接触层的一部分构成的接触层、与GaAs FET分离的肖特基层以及沟道层的一部分，在所述2个欧姆电极之间露出有与GaAs FET分离的肖特基层。

公开(公告)号：CN1667804A

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：CN200510005992.8

申请日：2005-02-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村山启一 ,  太田顺道 ,  田村彰良

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/205 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L29/66318 ,  H01L29/0817 ,  H01L29/7371

Abstract: 本发明旨在提供一种在高功率输出的操作下具有提高的击穿电压的异质结双极晶体管，所述异质结双极晶体管包括：一个GaAs半导体衬底；一个n+型GaAs亚集电极层110；一个n型GaAs集电极层120；一个p型GaAs基区层130；一个发射极层140；一个n型GaAs发射极覆盖层150；以及一个n型InGaAs发射极接触层160。所述发射极层140具有一个多层结构，包括依次层叠的一个n型或非掺杂第一发射极层141和一个n型第二发射极层142。所述第一发射层141由包含Al的一种半导体材料制成，而所述第二发射层142由InxGa1－xP(0＜x＜1)制成。

公开(公告)号：CN101320733A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200810110388.5

申请日：2008-06-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村山启一 ,  田村彰良 ,  宫本裕孝 ,  宫岛贤一

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/0605 ,  H01L21/8249 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0623

Abstract: 本发明的目的在于提供一种可防止集电极耐压的降低、使集电极电阻减小的半导体器件及其制造方法。本发明涉及的半导体器件具备在半绝缘性GaAs衬底的第1区域上形成的HBT、和在半绝缘性GaAs衬底的第2区域上形成的HFET，HBT具有在第1区域上依次形成的第1导电型的发射极层、带隙比发射极层小的第2导电型的基极层、第1导电型或无掺杂的集电极层、及杂质浓度比集电极层高的第1导电型的辅助集电极层；HFET具有由发射极层的一部分构成的电子供给层、和形成在电子供给层的下方的沟道层。

公开(公告)号：CN1877801A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200610091632.9

申请日：2006-06-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 工藤昭吉 ,  按田义治 ,  田村彰良

IPC: H01L21/337 ,  H01L29/80

CPC classification number: H01L29/207 ,  H01L29/66924 ,  H01L29/808

Abstract: 一种能抑制栅区内的P层杂质的不均匀性并得到良好的pn结特性结型场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括：在预定为在GaAs衬底(1)上形成的n+－AlGaAs层(5)的、设置栅电极的区域的表面，利用溅射法来薄膜状地沉积ZnO(7)的工序；进行利用急热和急冷热处理的杂质扩散来形成p型栅区(8)的工序；利用由酒石酸等的湿蚀刻除去上述ZnO(7)，使上述p型栅区(8)露出的工序；以及在上述露出的p型栅区(8)设置栅电极(9)的工序。

公开(公告)号：CN1855536A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610075149.1

申请日：2006-04-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 按田义治 ,  田村彰良 ,  西辻充

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7784 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/28587 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明的场效应晶体管，具备：沟道层，形成在半绝缘性衬底上；肖特基层，形成在沟道层上；栅电极，形成在肖特基层上；欧姆接触层，形成在肖特基层上，在中间夹着栅电极，由InGaAs形成；以及源电极和漏电极，形成在欧姆接触层上；源电极、漏电极和栅电极，形成对应的层由相同材料构成的层积结构，最下层为WSi层，在最下层的上层具有包含Al的层。由此，提供具有与过去相同程度的电极阻抗，可以降低场效应晶体管的制造成本的场效应晶体管及其制造方法。

公开(公告)号：CN1649101A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200410089891.9

申请日：2004-10-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 加藤由明 ,  山口恒夫 ,  田村彰良

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02052 ,  C11D7/50 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/31133 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明是以提供一种不会使化合物半导体装置的特性降低而可以去除有机残留物的化合物半导体装置的制造方法为目的。在露出的i型AlGaAs肖特基层(105)上蒸镀由Ti/Al/Ti构成的肖特基电极(111)，使用剥离液进行提离后，用臭氧浓度为13mg/L的臭氧水和氢离子浓度为6～8的氢水之中的一种或两种在避光状态下对i型AlGaAs肖特基层(105)表面进行清洗。

公开(公告)号：CN1638142A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410097839.8

申请日：2004-12-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 能米雅信 ,  田村彰良 ,  村山启一

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/205

CPC classification number: H01L29/7371 ,  H01L29/0821

Abstract: 本发明的目的在于提供一种提高高输出化时的破坏耐压的半导体器件，其具有：n型GaAs次集电极层(101)，在集电极层(103)与次集电极层(101)之间形成的n型GaAs中间集电极层(102)，n型GaAs集电极层(103)，p型GaAs基极层(104)，n型InGaP第2发射极层(105)，n型GaAs第1发射极层(106)，n型InGaAs发射极接触层(107)，中间集电极层(102)的杂质浓度比集电极层(103)的杂质浓度高，而且比次集电极层(101)的杂质浓度低。