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公开(公告)号：CN1125519C
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：CN00106200.X
申请日：2000-05-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种半导体激光装置包括：第一导电型的半导体基片；基片上的第一导电型涂层；第一导电型涂层上的有源层，有源层具有超点阵结构，在激光腔端面附近有一无序化区；有源层上的第二导电型的第一涂层；第一涂层上的第二导电型的蚀刻停止层；蚀刻停止层上的第二导电型的第二涂层，第二涂层形成一凸脊结构，沿激光腔纵向伸展，具有预定宽度。蚀刻停止层中在激光腔端面附近的杂质浓度比激光腔内部的大，等于或小于约2×1018cm-3。
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公开(公告)号：CN1183177A
公开(公告)日：1998-05-27
申请号：CN97190228.3
申请日：1997-02-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S3/18 , H01L21/304
CPC classification number: H01S5/2231 , H01S5/0202 , H01S5/0658
Abstract: 在具有一活性层和其间插入该活性层的一包层结构的半导体激光器中,该包层结构包括一可饱和吸收层,且该可饱和吸收层由InGaAsP形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100452582C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200410057538.2
申请日：2004-08-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/227
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/2205 , H01S5/2216 , H01S5/2222
Abstract: 本发明的半导体激光器包括：第一电导型包层，在谐振器延长方向上至少有一个脊型结构的第二电导型包层，位于两包层间的有源层和至少覆盖脊型结构一个侧面的电流阻挡层。电流阻挡层包括了氢化第一电介质膜。在这种由电介质生成电流阻挡层的结构中，光的限制效率被增强，激光器振荡阈值降低，且在高温和大功率振荡下的电流特性被改善。
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公开(公告)号：CN1622408A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410096214.X
申请日：2004-11-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/0425 , H01S5/222 , H01S5/32325
Abstract: 本发明的目的是提供一种具有阀值电流小且制作容易的结构，并且具有良好的温度特性和高速应答特性的半导体激光元件，具有n型GaAs基板(101)、n型GaAs基板(101)上形成的n型AlGaInP包覆层(102)、非掺杂量子井活性层(103)、p型AlGaInP第1包覆层(104)、p型GaInP腐蚀阻止层(105)、p型AlGaInP第2包覆层(106)、p型GaInP覆盖层(107)、p型GaAs接触层(108)和n型AlInP阻挡层(109)，具有脊背部和脊背部两侧的突起部，p型GaAs接触层(108)仅形成在脊背部的上面。
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公开(公告)号：CN1146091C
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN96192893.X
申请日：1996-03-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , G11B7/123 , G11B7/127 , G11B7/131 , G11B7/1353 , G11B7/22 , H01S5/02248 , H01S5/02292 , H01S5/0658 , H01S5/2004 , H01S5/2013 , H01S5/2022 , H01S5/209 , H01S5/2231 , H01S5/3054 , H01S5/3216 , H01S5/3218 , H01S5/34326
Abstract: 本发明的半导体激光装置包含有由n-型GaAS制成的基底(201)，活性层(204)，和一对夹住活性层(204)的包覆层。此装置还包含邻接活性层(204)的隔离层(205)和高度掺杂的可饱和吸收层(206)。通过对可饱和吸收层(206)作高度掺杂来缩短载流子寿命，借此即能获得稳定的自持脉动。结果，能得到在很宽的温度范围内具有很低相对噪声强度的半导体激光装置。
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公开(公告)号：CN1287684A
公开(公告)日：2001-03-14
申请号：CN99801765.5
申请日：1999-10-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC classification number: C23C14/228 , C23C14/0036 , C23C14/357 , C23C14/564 , H01L21/02197 , H01L21/02266 , H01L21/31604 , H01L21/31662 , H01L21/31691 , H01S5/028
Abstract: 利用电子回旋共振(ECR)等离子体法,让已被等离子体化的反应气体和遭到已被等离子体化的气体的轰击而脱离固体靶(23)的原子或者分子在试样(21)的表面起反应,而在试样(21)的表面上淀积薄膜(27),这时,先利用已被等离子体化的反应气体对固体靶(23)的表面进行清洗,再淀积出该薄膜(27)。
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