半导体器件
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100533731C

    公开(公告)日:2009-08-26

    申请号:CN200510076262.7

    申请日:2005-04-12

    Abstract: 提供一种能够有效地吸收电源噪声、能够实现电路的稳定操作的半导体集成电路器件,具体地,能够在噪声产生源附近吸收噪声的半导体集成电路器件。半导体集成电路器件具有至少一个电路模块。半导体集成电路器件包括具有在电路模块上形成的第一导体层(1a)和在第一导体层(1a)上形成的第二导体层(1b)以及其间插入的电容器绝缘膜(1c)的旁路电容器。旁路电容器的第一和第二导体层的一个通过固定衬底电位的衬底接触连接到接地线路或电源线路的一个,另一个连接到电源线路或接地线路的另一个。该第一导体层和第二导体的厚度互不相同。

    半导体器件的布局检验方法

    公开(公告)号:CN100399526C

    公开(公告)日:2008-07-02

    申请号:CN200310118346.3

    申请日:2003-11-21

    CPC classification number: G06F17/5081

    Abstract: 本发明的课题的目的在于,用芯片水准发现布线缺陷发生部位即大面积布线上的接触孔的高密度部。为此,通过限制芯片布局上的同一节点布线的总面积与同一节点布线上的接触孔的总面积的面积比,并基于该限制判定布线是否良好,从而检测出布线形成缺陷部位。这样,通过在布局设计阶段检测出超过面积比限制的缺陷部位,可避免因小丘或布线与接触孔的连接缺陷造成的大面积布线的断线、布线破损、表面剥离等形成缺陷。

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