-
公开(公告)号：CN102694006A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210078793.X
申请日：2012-03-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/04 , H01L29/06 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/02565 , H01L21/44 , H01L21/47573 , H01L21/477 , H01L29/045 , H01L29/24 , H01L29/42384 , H01L29/66742 , H01L29/78603 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。一个目标是通过使用具有稳定电气特性的氧化物半导体膜来提供具有稳定电气特性的高度可靠的半导体装置。另一个目标是通过使用具有高结晶性的氧化物半导体膜来提供具有较高迁移率的半导体装置。结晶氧化物半导体膜是在其表面粗糙度减小了的绝缘膜之上形成并与之接触，由此氧化物半导体膜可以具有稳定的电气特性。相应地，可以提供具有稳定的电气特性的高度可靠的半导体装置。另外，可以提供具有较高迁移率的半导体装置。
-
公开(公告)号：CN108630826B
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN201810356708.9
申请日：2014-11-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明涉及发光元件、显示模块、照明模块、发光装置、显示装置、电子设备以及照明装置。本发明提供一种发光元件，包括：一对电极；以及所述一对电极之间的EL层，其中，所述EL层包括第一发光层、第二发光层以及设置在所述第一发光层和所述第二发光层之间的第一层，所述第一发光层的发射光谱存在于比所述第二发光层的发射光谱短波长一侧，所述第一发光层包括荧光物质和主体材料，所述荧光物质在所述第一发光层中发射光，所述第二发光层包括能够将三重态激发能转换为发光的物质，所述主体材料的单重态激发能级比所述荧光物质的单重态激发能级高，并且所述主体材料的三重态激发能级比所述荧光物质的三重态激发能级低。
-
公开(公告)号：CN108598272B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201810356707.4
申请日：2014-11-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明涉及发光元件、显示模块、照明模块、发光装置、显示装置、电子设备以及照明装置。本发明提供一种发光元件，包括：一对电极；以及所述一对电极之间的EL层，其中，所述EL层包括第一发光层和第二发光层，所述第一发光层的发射光谱存在于比所述第二发光层的发射光谱短波长一侧，所述第一发光层包括荧光物质和主体材料，所述荧光物质在所述第一发光层中发射光，所述第二发光层包括物质、第一有机化合物和第二有机化合物，所述物质在所述第二发光层中发射光，所述荧光物质包含芘骨架，所述主体材料包含稠合芳香环，并且所述主体材料的三重态激发能级比所述第一有机化合物的三重态激发能级及所述第二有机化合物的三重态激发能级低。
-
公开(公告)号：CN110808337A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201911135504.3
申请日：2015-05-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/50 , H01L51/52 , H01L27/32 , G09G3/3225
Abstract: 一种发光装置，依次包括阳极、第一发光层、第二发光层以及阴极，其中，所述第一发光层不与所述第二发光层接触，所述第一发光层的发射光谱峰值在420nm以上且480nm以下的波长区域中，所述第二发光层的发射光谱峰值在550nm以上且590nm以下的波长区域中，所述第一发光层包含荧光材料及主体材料，所述第二发光层包含磷光材料、第一有机化合物及第二有机化合物，所述第一有机化合物和所述第二有机化合物形成激基复合物，并且，所述激基复合物的发光峰值与所述磷光材料的最长波长一侧的吸收带重叠。
-
公开(公告)号：CN105514174B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201610085692.3
申请日：2012-09-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
Abstract: 本发明题为“半导体器件”。包括氧化物半导体膜的半导体器件中的导通态电流的降低得到抑制。一种晶体管，包括：氧化物半导体膜；绝缘膜，包含氧和硅；栅电极，与氧化物半导体膜相邻，氧化物半导体膜设置成与绝缘膜相接触并且至少与栅电极重叠；以及源电极和漏电极，电连接到氧化物半导体膜。在氧化物半导体膜中，第一区域(其设置成接触与绝缘膜的界面并且具有小于或等于5 nm的厚度)具有低于或等于1.0 at.%的硅浓度，以及氧化物半导体膜中与第一区域不同的区域具有比第一区域低的硅浓度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108598272A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810356707.4
申请日：2014-11-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明涉及发光元件、显示模块、照明模块、发光装置、显示装置、电子设备以及照明装置。本发明提供一种发光元件，包括：一对电极；以及所述一对电极之间的EL层，其中，所述EL层包括第一发光层和第二发光层，所述第一发光层的发射光谱存在于比所述第二发光层的发射光谱短波长一侧，所述第一发光层包括荧光物质和主体材料，所述荧光物质在所述第一发光层中发射光，所述第二发光层包括物质、第一有机化合物和第二有机化合物，所述物质在所述第二发光层中发射光，所述荧光物质包含芘骨架，所述主体材料包含稠合芳香环，并且所述主体材料的三重态激发能级比所述第一有机化合物的三重态激发能级及所述第二有机化合物的三重态激发能级低。
-
公开(公告)号：CN103500712B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201310376877.6
申请日：2011-11-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/363 , C01G15/00 , C23C14/08 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L29/045 , H01L29/1033 , H01L29/247 , H01L29/7869 , H01L29/78693
Abstract: 本发明涉及半导体装置。提供一种具有更稳定的导电性的氧化物半导体膜。此外，通过使用氧化物半导体膜来提供具有稳定的电特性及高可靠性的半导体装置。氧化物半导体膜包括结晶区域，且结晶区域包括a-b面与膜的表面实质上平行且c轴与膜的表面实质上垂直的晶体；氧化物半导体膜具有稳定的导电性且相对于可见光、紫外线光等的照射更电稳定。通过将这种氧化物半导体膜用于晶体管，可以提供具有稳定的电特性的可靠性高的半导体装置。
-
公开(公告)号：CN103155121B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201180043987.X
申请日：2011-09-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/20 , H01L21/203 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78606 , H01L23/552 , H01L23/564 , H01L29/04 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一目的在于制造包括氧化物半导体膜的半导体装置，其具有稳定电气特性及高可靠性。以如下方法形成结晶氧化物半导体膜而不用进行多个步骤：通过利用包括在氧化物半导体靶材中的多种原子的原子量的差异，在氧化物绝缘膜上优先淀积具有低原子量的锌以形成包含锌的种晶；并且在进行晶体生长的同时淀积具有高原子量的锡、铟等。此外，通过使用包含锌的具有六角形晶体结构的种晶作为核来进行晶体生长以形成结晶氧化物半导体膜，从而形成单晶氧化物半导体膜或实质上单晶氧化物半导体膜。
-
公开(公告)号：CN103843145A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201280047612.5
申请日：2012-09-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , G02F1/133345 , G02F1/1337 , G02F1/13394 , G02F1/134309 , G02F2202/10 , H01L21/02565 , H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L29/045 , H01L29/24 , H01L29/51 , H01L29/66969 , H01L29/78696
Abstract: 半导体装置包括栅电极、覆盖栅电极并包含含有硅的氧化物的栅极绝缘膜、以与栅极绝缘膜接触并至少与栅电极重叠的方式设置的氧化物半导体膜、以及与氧化物半导体膜电连接的源电极及漏电极。在氧化物半导体膜中，以与栅极绝缘膜接触且厚度为5nm以下的方式设置的第一区域具有1.0at.％以下的硅浓度，并且第一区域之外的氧化物半导体膜中的区域具有比第一区域低的硅浓度。至少第一区域包括结晶部。
-
公开(公告)号：CN111954932B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN201980009097.3
申请日：2019-01-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种具有高工作频率的半导体装置。本发明的一个方式是一种包括晶体管的半导体装置，其中晶体管包括第一导电层、第一导电层上的第一绝缘层、第一绝缘层上的第二绝缘层、第二绝缘层上的第一氧化物、第一氧化物上的第二氧化物、第二氧化物上的第三氧化物、第三氧化物上的第三绝缘层、第三绝缘层上的第二导电层、以及第四绝缘层，第一导电层及第二导电层具有与第二氧化物重叠的区域，第二导电层、第三绝缘层及第三氧化物的侧面大致对齐，第四绝缘层与第二导电层、第三绝缘层以及第三氧化物的侧面和第二氧化物的顶面的一部分接触，在晶体管的沟道宽度方向上，不与第二氧化物重叠的区域中的第二导电层的底面的高度为基准时的第二氧化物的底面的高度为‑5nm以上且小于0nm。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
51
records
(took 0.042 seconds)
