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公开(公告)号：CN106103817B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201580014199.6
申请日：2015-02-19
Applicant: 株式会社理光
Abstract: 在第13族氮化物晶体的制造方法中，将由第13族氮化物晶体制成的晶种布置于包含碱金属和第13族元素的混合熔体中，且向所述混合熔体供应氮气以在所述晶种的主面上生长第13族氮化物晶体。所述晶种通过气相外延而制造。与容纳所述混合熔体的反应容器中的所述混合熔体接触的接触部件的至少一部分由Al2O3制成。在所述晶种和所生长的13族氮化物晶体之间形成具有其波长比所生长的第13族氮化物晶体的光致发光发射峰的波长要长的光致发光发射峰的界面层。
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公开(公告)号：CN102892933B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201180023952.X
申请日：2011-03-14
Applicant: 株式会社理光
Abstract: 本发明制造了可切出实用尺寸的结晶基板的大型的大块晶体。本发明的氮化镓结晶的特征在于，其c轴的长度L为9mm以上，与c轴垂直的截面的晶体直径d为100μm以上，c轴的长度L和与c轴垂直的截面的晶体直径d之比L/d为7以上。通过使该长尺寸的针状晶体变肥大，能够制造体积大的大块晶体，从而能够制造出可切出实用尺寸的结晶基板的大型的大块晶体。
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公开(公告)号：CN102995123B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210336715.5
申请日：2012-09-12
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: C30B9/12 , C30B9/10 , C30B29/406
Abstract: 本发明提供一种IIIA族氮化物晶体的制造方法，其包括了晶体生长过程，通过由具有六方晶结构的氮化镓晶体的籽晶生长具有六方晶结构的IIIA族氮化物晶体来形成IIIA族氮化物晶体，其中籽晶的c轴方向的长度“L”是9.7毫米或更长，长度“L”与c面上晶体直径“d”的L/d比大于0.813。晶体生长过程包括了在IIIA族氮化物晶体的侧面形成包含{10-10}面的外围和包含{10-11}面的外围，并在IIIA族氮化物晶体的底面形成包含{0001}面的外围的过程。
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公开(公告)号：CN102995123A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210336715.5
申请日：2012-09-12
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: C30B9/12 , C30B9/10 , C30B29/406
Abstract: 本发明提供一种IIIA族氮化物晶体的制造方法，其包括了晶体生长过程，通过由具有六方晶结构的氮化镓晶体的籽晶生长具有六方晶结构的IIIA族氮化物晶体来形成IIIA族氮化物晶体，其中籽晶的c轴方向的长度“L”是9.7毫米或更长，长度“L”与c面上晶体直径“d”的L/d比大于0.813。晶体生长过程包括了在IIIA族氮化物晶体的侧面形成包含{10-10}面的外围和包含{10-11}面的外围，并在IIIA族氮化物晶体的底面形成包含{0001}面的外围的过程。
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公开(公告)号：CN102345170A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110276053.2
申请日：2011-07-01
Applicant: 株式会社理光 , 国立大学法人大阪大学
CPC classification number: C30B19/02 , C30B9/10 , C30B19/08 , C30B19/10 , C30B29/403 , C30B29/406 , Y10T428/24942
Abstract: 本发明的实施例公开了一种氮化物晶体及其制造方法。该氮化物晶体围绕籽晶的外周，一实施例中的氮化物晶体包括：第一局部区域和第二局部区域，并且第二局部区域具有不同于第一局部区域的光学特性，且具有表明晶向的光学特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106103816A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201480077198.1
申请日：2014-11-27
Applicant: 株式会社理光
Abstract: 一种氮化镓晶体的制造方法，其包括：其中通过将氮溶解在包含镓和钠的混合熔体中以生长氮化镓晶体(5)的生长步骤，以及其中使包含镓和钠的合金(51)与使钠离子化的液体(52)反应从而使钠离子和镓(55)从所述合金(51)分离且回收所分离的镓(55)的回收步骤。
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公开(公告)号：CN103668460B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201310631284.X
申请日：2013-09-13
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01L29/2003 , C30B9/12 , C30B29/403
Abstract: 本发明涉及一种具有六方晶体结构的第13族氮化物晶体，其包含至少一个氮原子和至少一个从B、Al、Ga、In和Tl组成的组中选择的金属原子。平行于c‑轴的横截面中底面位错的位错密度为104cm‑2或更大。
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公开(公告)号：CN105452545A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201480044635.X
申请日：2014-08-05
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: C30B9/00 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B19/06 , C30B19/068 , C30B29/406
Abstract: 一种方法用于通过助熔剂法制造第13族氮化物晶体。该方法包括：将种晶和含有碱金属或碱土金属和第13族元素的混合熔体置于反应容器中；以及使所述反应容器旋转以搅拌所述混合熔体。所述反应容器包括搅拌所述混合熔体的结构体。将多于一个种晶相对于所述反应容器的中心轴点对称地安置于除该中心轴以外的位置处，使得每个种晶的c平面均与所述反应容器的底部基本平行。将所述结构体相对于所述中心轴点对称地安置于所述反应容器的除中心轴以外的至少部分处。
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公开(公告)号：CN102689519B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201210066943.5
申请日：2012-03-14
Applicant: 株式会社理光
IPC: B41J2/21
CPC classification number: B41J2/04588 , B41J2/04516 , B41J2/04581 , B41J2/14274 , B41J2002/14403
Abstract: 本发明提供一种图像形成装置，其可以防止主滴后的卫星变长后成为卫星滴时在没有被主滴吸收的情况下弹着后导致的图像品质下降。驱动脉冲P7是以时间序列来连续生成的波形，其包括从基准电位Ve下降后使得液体室(106)膨胀的第一膨胀波形要素(a1)；对液体室(106)的膨胀状态进行保持的第一保持波形要素(b1)；从膨胀状态收缩后从喷嘴(104)来喷出液滴的第一收缩波形要素(c1)；对收缩状态进行保持的第二保持波形要素(b2)；从收缩状态进一步收缩的第二收缩波形要素(c2)；对收缩状态进行保持的第三保持波形要素(b3)；从收缩状态开始膨胀到第一膨胀波形要素(a1)被施加之前的状态里为止的第二膨胀波形要素(a2)。
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公开(公告)号：CN104047058A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410177290.7
申请日：2014-03-12
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: C30B9/12 , C30B29/403 , C30B29/406 , Y10T117/1024
Abstract: 一种制造13族氮化物晶体的方法，包括如下的晶体生长步骤：使氮与包含至少一种13族金属以及碱金属和碱土金属中的至少一种的混合熔体进行反应，以在所述混合晶体中由籽晶生长氮化物晶体，其中，在所述晶体生长步骤中使混合熔体与籽晶至少二者之一旋转，在所述晶体生长步骤中混合熔体与籽晶之间的相对速度按照一种或多种类型的预定模式重复波动，并且该模式显示的相对速度最大值为0.01m/s以上。
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