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公开(公告)号：CN1508615A
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN200310123124.0
申请日：2003-12-19
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G02F1/1362 , G02F1/136 , G09F9/30 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66757 , C23C14/185 , C23C14/3414 , G02F1/133553 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L2924/0002 , Y10T428/12 , H01L2924/00
Abstract: 一种电子器件及其制造方法、溅射靶，所述电子器件由：由金属氧化物构成的第一电极、与所述第一电极直接接触、电连接的由铝合金膜构成的第二电极构成；在所述第一电极和所述第二电极直接接触的接触界面中，构成所述铝合金膜的合金成分的至少一部分作为析出物或浓化层存在。根据本发明，能提供使铝合金膜和金属氧化物电极直接接触，能省略阻碍金属的电子器件及其制造技术。
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公开(公告)号：CN103154308A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180048311.X
申请日：2011-10-05
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F3/115 , B22F3/15 , B22F3/24 , C22C1/0416 , C22C21/00 , C22F1/04 , C23C16/45504 , C23C16/4585 , C23C16/4586
Abstract: 本发明提供使用了溅射钯时的成膜速度(溅射速率)被提高、理想的是能够防止飞溅的发生的Al基合金溅射钯。本发明的Al基合金溅射钯含有Ta。优选的是含有Al及Ta的Al-Ta系金属间化合物的平均粒子直径为0.005μm以上且1.0μm以下，且Al-Ta系金属间化合物的平均粒子间距离满足0.01μm以上且10.0μm以下。
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公开(公告)号：CN101512622B
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN200780033457.0
申请日：2007-09-13
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G02F1/1343 , G09F9/30 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/52
CPC classification number: G02F1/136286 , H01L23/53219 , H01L23/53223 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种显示装置，其是在玻璃基板上配置了将透明导电膜与薄膜晶体管电连接的铝合金配线膜的显示装置，该铝合金配线膜具有包含第一层(X)和第二层(Y)的层叠结构，所述第一层(X)由含有特定量的Ni、Ag等选自特定的元素组Q中的一种以上的元素、稀土类元素或Mg等选自特定的元素组R中的一种以上的元素的铝合金构成，所述第二层(Y)由电阻率低于该第一层(X)的铝合金构成，第一层(X)与透明导电膜直接接触。
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公开(公告)号：CN102057074A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200980121618.0
申请日：2009-06-08
CPC classification number: C22C1/0416 , B22F2998/10 , C23C14/3414 , B22F9/082 , B22F1/0003
Abstract: 本发明提供一种能够以高成品率制造含有稀土类元素、和熔点比Al高的高熔点元素的Al基合金溅射靶材的方法。本发明涉及Al基合金溅射靶材的制造方法，包括如下工序：准备由雾化法制造的含有稀土类元素的Al基合金的第一粉末的工序、将第一粉末和含有一种以上的熔点比Al高的高熔点元素X的第二粉末进行混合的工序、和使第一粉末和第二粉末的混合粉末致密化的工序，在所述混合工序中，第一粉末的最大粒径(a)为10～200μm，所述第二粉末的最大粒径(b)为10～150μm，所述第一粉末的最大粒径(a)和所述第二粉末的最大粒径(b)的比(a)/(b)为0.5～5。
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公开(公告)号：CN1901055B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200610107508.7
申请日：2006-07-20
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C14/165 , C22C5/06 , G11B7/2534 , G11B7/256 , G11B7/258 , G11B7/259 , Y10T428/21
Abstract: Ag合金反射膜含有作为组分的X1，并且具有位于距反射膜表面深2nm之内的区域中的富集层，其中组分X1以比X1在整个反射膜中的平均浓度更高的浓度富集在富集层内，其中X1是选自由下列元素组成的组中的至少一种合金元素：Bi、Si、Ge、Pb、Zn、Cd、Hg、A1、Ga、In、Tl、Sn、As和Sb。所述反射膜具有作为反射膜的稳定且优异的基本性质，比如初始反射率和耐久性，并且进一步满足诸如激光标记适应性之类的要求。光学信息记录介质包括所述反射膜，而且性能优异。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100552784C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200610074378.1
申请日：2006-04-14
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: G11B7/258 , C22C5/06 , C22C5/08 , C23C14/205 , C23C14/3414 , G11B7/259 , Y10T428/12 , Y10T428/21
Abstract: 银合金反射膜用于光学信息记录介质并含有作为主要组分的银，总共0.01-3原子%的选自Bi和Sb中的至少一种，和总共3-42原子%的选自Cu，Ge，Mg和Zn中的至少一种。银合金反射膜优选进一步含有0.1-3原子%的钇。光学信息记录介质包括银合金反射膜。用于沉积银合金反射膜的溅射靶含有作为主要组分的银，总共0.01-3原子%的Sb(或0.03-10原子%的Bi)和总共3-42原子%的选自Cu，Ge，Mg和Zn中的至少一种。
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公开(公告)号：CN101512622A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200780033457.0
申请日：2007-09-13
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G09F9/30 , G02F1/1343 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/52
CPC classification number: G02F1/136286 , H01L23/53219 , H01L23/53223 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种显示装置，其是在玻璃基板上配置了将透明导电膜与薄膜晶体管电连接的铝合金配线膜的显示装置，该铝合金配线膜具有包含第一层(X)和第二层(Y)的层叠结构，所述第一层(X)由含有特定量的Ni、Ag等选自特定的元素组Q中的一种以上的元素、稀土类元素或Mg等选自特定的元素组R中的一种以上的元素的铝合金构成，所述第二层(Y)由电阻率低于该第一层(X)的铝合金构成，第一层(X)与透明导电膜直接接触。
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公开(公告)号：CN100452205C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200610006826.4
申请日：2006-02-07
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 本发明提供了一种用于光学信息记录介质的记录膜以及一种光学信息记录介质，所述记录膜具有优异生产率并且也具有优异耐久性(记录保持性)，本发明包括如下：(1)在光学信息记录介质中使用的记录膜，其热导率为0.8W/Kcm或更小，对波长为0.3μm～1.0μm的光的光吸收率为15%或更高，熔融温度为300～800℃，(2)光学信息记录介质，其中记录膜包括如上所述的记录膜，以及(3)用于形成所述记录膜的溅射靶。
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公开(公告)号：CN100392505C
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200510118731.7
申请日：2005-10-27
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G02F1/1343 , C22C9/00
CPC classification number: H01L23/53233 , C23C14/185 , G02F2001/136295 , H01J29/02 , H01J2211/225 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , Y10T428/31678 , H01L2924/00
Abstract: 一种铜合金薄膜，含有Fe和P以及余量基本上是Cu，其中Fe和P的含量满足所有下列条件(1)～(3)，并且，其中，在200～500℃下热处理1～120分钟之后，Fe2P析出在Cu的晶界上：1.4NFe+8NP＜1.3 (1)；NFe+48NP＞1.0 (2)；12NFe+NP＞0.5 (3)。其中，NFe表示Fe的含量(原子百分比)；NP表示P的含量(原子百分比)。
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公开(公告)号：CN100373485C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200510083393.8
申请日：2005-07-14
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 一种用于光学信息记录介质的Ag合金反射膜，其含有Ag作为主要组分，还含有总量大于3.0atom%且小于或等于10atom%的选自Nd、Sn、Gd和In的至少一种元素。该反射膜还可以含有0.01-3atom%的Bi和Sb中的至少一种，和/或还可以含有20atom%或更少的选自Mn、Cu、La和Zn的至少一种元素。一种光学信息记录介质，其包括该Ag合金反射膜，可以进行激光标示。一种Ag合金溅射目标，具有与Ag合金反射膜类似的组成。
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