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公开(公告)号：CN1804116A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200510131594.0
申请日：2005-11-29
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C30B29/04 , C23C16/0272 , C23C16/274 , C23C16/277 , C23C16/279 , C30B25/105 , H01L29/045 , H01L29/1602 , Y10T428/30
Abstract: 一种具有平坦表面、几乎不含有非定向生长晶体的高定向金刚石薄膜，具有通过化学气相沉积方法并使用甲烷和氢气的气体混合物作为原料气体、由(111)晶面生长而沉积的第一金刚石层和在第一金刚石层上通过等离子化学气相沉积方法并使用甲烷、氢气及氧气为原料气体、由(100)晶面生长而沉积的第二金刚石层，其中在生长第二金刚石层时原料气体的压力为133hPa或更高，原料气体的成分为：([C]－[O])/[CH3+H2+O2]大于等于－0.2×10－2、[O]/[C]小于等于1.2、基底温度为750－1000℃。
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公开(公告)号：CN1721827A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510081955.5
申请日：2005-07-05
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: H01L31/028 , G01J1/429 , H01L31/09 , H01L31/1085 , Y02E10/547
Abstract: 金刚石元件安装在设有一对金属互连件的、厚度不超过3毫米的绝缘基底材料上。在金刚石元件中，用作检测层的绝缘金刚石层沉积在衬底上，一对叉指型电极沉积在该绝缘金刚石层的表面上。金刚石元件的叉指型电极通过引线连接在沉积于绝缘基底材料上的金属互连件上。绝缘基底材料可透射待检测的紫外线辐射。即使在灯与照射目标之间的距离较短时，金刚石传感器也能够稳定地检测紫外线辐射。
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公开(公告)号：CN106575629B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201580035431.4
申请日：2015-07-06
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/66 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供对氧化物半导体薄膜及在该氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的层叠体的品质、以及氧化物半导体薄膜的品质管理方法能够准确且简便地进行评价的方法。本发明涉及的氧化物半导体薄膜及在上述氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的层叠体的品质评价方法具有：第1步骤，在基板上形成氧化物半导体薄膜后，利用接触式方法或非接触式方法测定上述氧化物半导体薄膜的电子状态，由此评价由上述氧化物半导体薄膜的膜中缺陷引起的不良；和第2步骤，在利用基于上述评价确定的条件进行处理后的氧化物半导体薄膜的表面上形成保护膜后，利用接触式方法或非接触式方法测定上述氧化物半导体薄膜的电子状态，由此评价由上述氧化物半导体薄膜与上述保护膜的界面缺陷引起的不良。
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公开(公告)号：CN106463433A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580031246.8
申请日：2015-06-22
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/66 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 提供一种在具有形成于氧化物半导体薄膜的表面的保护膜的TFT中，对于起因于氧化物半导体薄膜和保护膜的界面态的缺陷，不用实际测量其特性而简便评价的方法。本发明的评价方法，通过接触式方法或非接触式方法测量氧化物半导体薄膜的电子态，从而评价起因于上述界面态的缺陷。起因于上述界面态的缺陷，为下述(1)～(3)的某一个。(1)向薄膜晶体管外加正偏压时的阈值电压Vth；(2)对薄膜晶体管外加正偏压时，外加前后的阈值电压的差ΔVth；(3)多次测量向薄膜晶体管外加正偏压时的阈值电压时，第一次测量时的阈值。
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公开(公告)号：CN105518843A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201480050138.0
申请日：2014-09-10
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: G01N21/6489 , G01N22/00 , G01N2201/06113 , G01N2201/0697 , H01L22/12
Abstract: 提供一种以非接触型、正确且使用同一装置简便地测定氧化物半导体薄膜的迁移率和应力耐性来能够进行预测·估计的评价装置。本发明的评价装置具备：对样品的测定部位照射第一激发光而生成电子-空穴对的第一激发光照射单元；对电磁波进行照射的电磁波照射单元；对反射电磁波强度进行检测的反射电磁波强度检测单元；对所述样品照射第二激发光而生成光致发光光的第二激发光照射单元；对所述光致发光光的发光强度进行测定的发光强度测定单元；以及评价迁移率和应力耐性的评价单元，并且，所述第一激发光照射单元和所述第二激发光照射单元为同一或不同的激发光照射单元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102838242A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210152478.7
申请日：2012-05-16
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C02F9/08 , C02F103/08
Abstract: 本发明提供一种海水的杀菌方法，其通过以电解后的紫外线光谱的峰值在特定范围产生的方式使海水电解，并在海水中产生臭氧等杀菌成分，从而能够有效地对海水进行杀菌。本发明使用一种海水的杀菌方法，其特征在于，通过以电解后的海水的紫外线吸收光谱的第1峰值在波长245～275nm之间产生、第2峰值在310～340nm之间产生的方式使海水电解，从而在海水中产生臭氧等杀菌成分。另外，优选以上述电解后的海水的紫外线光谱的第3峰值在波长280～305nm之间产生、第3峰值的吸光度比第1峰值和第2峰值的各吸光度更低的方式，使海水电解。
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公开(公告)号：CN1804116B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200510131594.0
申请日：2005-11-29
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C30B29/04 , C23C16/0272 , C23C16/274 , C23C16/277 , C23C16/279 , C30B25/105 , H01L29/045 , H01L29/1602 , Y10T428/30
Abstract: 一种具有平坦表面、几乎不含有非定向生长晶体的高定向金刚石薄膜，具有通过化学气相沉积方法并使用甲烷和氢气的气体混合物作为原料气体、由(111)晶面生长而沉积的第一金刚石层和在第一金刚石层上通过等离子化学气相沉积方法并使用甲烷、氢气及氧气为原料气体、由(100)晶面生长而沉积的第二金刚石层，其中在生长第二金刚石层时原料气体的压力为133hPa或更高，原料气体的成分为：([C]-[O])/[CH3+H2+O2]大于等于-0.2×10-2、[O]/[C]小于等于1.2、基底温度为750-1000℃。
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公开(公告)号：CN100401529C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200410100654.8
申请日：2004-12-10
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: H01L29/1602 , H01L29/78
Abstract: 一种金刚石半导体器件，包括：大致由单晶金刚石制成的基片；第一金刚石层，其局部放置在基片上，含有杂质；第二金刚石层，其含有杂质，所述第二金刚石层局部放置在基片上，且与第一金刚石层隔开；以及第三金刚石层，其杂质含量小于第一和第二金刚石层，充当沟道区，且电荷通过其从第一金刚石层传递到第二金刚石层。第一和第二金刚石层分别具有彼此面对的第一和第二端部，第二端部和第一端部之间形成一空间。第一和第二端部分别具有根据基片取向外延形成的相应倾斜面。第三金刚石层在所述倾斜面和位于空间下面的基片的部分上。
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公开(公告)号：CN1916234A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200610115612.0
申请日：2006-08-16
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C16/42 , C23C16/513
CPC classification number: H01L23/49586 , C23C16/401 , H01L23/3142 , H01L2924/0002 , H01L2924/1433 , H01L2924/19041 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 电子元件用铜基片包括含有烃基和羟基至少之一的氧化硅薄膜，所述氧化硅薄膜被设置在铜基片的表面上。另外，含硅反应气体通过产生等离子体而分解。使所得分解产物与所述铜基片接触以在所述铜基片表面上形成氧化硅薄膜。
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公开(公告)号：CN118159837A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202280071992.X
申请日：2022-10-26
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G01N23/223 , C23C2/02 , G01N33/2028
Abstract: 本发明的一个方式涉及的晶界氧化层的膜厚计算方法，是酸洗处理后的钢板上残留的晶界氧化层的膜厚计算方法，其中，具备如下工序：强度测量工序，测量相对于包含在上述钢板中，并且构成上述晶界氧化层内的氧化物的元素的X射线荧光强度；膜厚计算工序，基于预先提取的X射线荧光强度与晶界氧化层的膜厚的相关关系及在上述强度测量工序中所测量的上述X射线荧光强度，计算上述晶界氧化层的膜厚。
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