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公开(公告)号：CN107186612B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201710142830.1
申请日：2017-03-10
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明的技术问题在于提供一种能够提高处理对象物的研磨处理面上的处理精度的研磨装置和研磨方法。提供一种对处理对象物进行研磨处理的方法。该方法具有：一边使尺寸比处理对象物的尺寸小的第一研磨垫与处理对象物接触、一边使处理对象物和第一研磨垫相对运动来进行第一研磨处理的步骤；在第一研磨处理之后、一边使尺寸比处理对象物的尺寸大的第二研磨垫与处理对象物接触、一边使处理对象物和第二研磨垫相对运动来进行第二研磨处理的步骤；以及在进行第一研磨处理之前对处理对象物的研磨处理面的状态进行检测的步骤。
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公开(公告)号：CN112091809A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010986718.8
申请日：2015-09-30
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供一种研磨装置及处理方法，抛光处理装置及方法，能够使处理对象物的处理速度提高且使处理对象物的面内均一性提高。抛光处理构件(350)具备：头，安装有用于通过与晶片(W)接触并进行相对运动从而对晶片(W)进行规定的处理的抛光垫；以及抛光臂(600‑1、600‑2)，用于对头进行保持。头包含：安装有比晶片(W)直径小的第一抛光垫(502‑1)的第一抛光头(500‑1)；以及安装有比第一抛光垫(502‑1)直径小的第二抛光垫(502‑2)的与第一抛光头(500‑1)不同的第二抛光头(500‑2)。
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公开(公告)号：CN111584355A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010459673.9
申请日：2015-04-17
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/306 , H01L21/3105 , H01L21/311 , H01L21/321 , H01L21/3213 , H01L21/66 , H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/683 , B24B37/04 , B24B37/20
Abstract: 本发明是改善使用CARE法的基板处理装置。一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而研磨基板的被处理区域，具备：基板保持部，被构成为保持基板；催化剂保持部，被构成为保持催化剂；以及驱动部，被构成为在基板的被处理区域与催化剂接触的状态下，使基板保持部与催化剂保持部相对移动。催化剂比基板小。
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公开(公告)号：CN109786235A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811339375.5
申请日：2018-11-12
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/67
Abstract: 一种用于使基板平坦化的装置和方法，在存在有由于存在于芯片内的图案构造或成膜方法而导致的各种各样的尺寸的阶差的情况下，得到均匀的阶差消除性。提供用于使基板的表面平坦化的平坦化装置，该平坦化装置具有：粗糙化处理单元，该粗糙化处理单元用于使用粗糙化粒子对所述基板的被处理面进行粗糙化处理；以及CMP单元，该CMP单元用于对被处理面被粗糙化后的所述基板的表面进行化学机械研磨(CMP)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105500181A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510651437.6
申请日：2015-10-10
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/34 , B24B37/20 , B24B37/005 , B24B57/02
CPC classification number: B24B37/11 , H01L21/67051 , H01L21/67173 , H01L21/67178 , H01L21/67219 , B24B37/10 , B24B37/005 , B24B37/20 , B24B37/34 , B24B57/02
Abstract: 本发明涉及抛光处理装置、基板处理装置及抛光处理方法，抑制基板的损伤并且进行研磨。或者高效率地清洗去除粘性较大的异物等。用于对基板进行抛光处理的抛光处理装置具备：抛光台，所述抛光台是用于支承基板的抛光台，并构成为能够旋转；及抛光头，所述抛光头能够安装用于对基板进行抛光处理的抛光垫。抛光头构成为能够旋转，并且构成为能够向接近抛光台的方向及远离抛光台的方向移动。用于向基板供给抛光处理用的处理液的内部供给线路形成于抛光头的内部。抛光处理装置还具备除所述内部供给线路以外另外设置的外部喷嘴，该外部喷嘴用于向基板供给处理液。
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公开(公告)号：CN118905916A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411234357.6
申请日：2021-03-05
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供一种研磨装置和研磨方法，该研磨装置包含：研磨台，该研磨台用于支承研磨垫；研磨头，该研磨头用于保持基板；以及研磨液供给装置，该研磨液供给装置用于向研磨垫与基板之间供给研磨液，研磨装置通过在研磨液的存在下使研磨垫与基板接触并相互旋转运动，从而进行基板的研磨，研磨液供给装置具有多个研磨液供给口，该多个研磨液供给口在相对于基板配置在研磨垫的旋转上游侧的状态下，在与研磨垫的旋转方向交叉的方向上排列，研磨液供给装置以从多个研磨液供给口供给的研磨液成为规定的流量分布的方式供给研磨液。
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公开(公告)号：CN113165142B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN201980075357.7
申请日：2019-10-31
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B41/06 , H01L21/304
Abstract: 能够进行基板的表面的抛光清洗与基板的边缘部分的清洗双方。公开一种清洗组件，具备：旋转载台，用于支承圆形的基板，且具有比基板的直径小的直径；抛光清洗部，一边与支承于该旋转载台的该基板的正面接触，一边将该基板的正面抛光清洗；抛光清洗部移动机构，用于使该抛光清洗部相对于该基板移动；抛光清洗部控制机构，控制该抛光清洗部移动机构的动作；以及边缘清洗部，一边与支承于该旋转载台的该基板的边缘部分接触，一边将该基板的边缘部分清洗。
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公开(公告)号：CN115706002A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210925247.9
申请日：2022-08-03
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 提供一种通过向基板上供给降低了溶存氧浓度的液体而能够抑制基板表面的导电性材料的腐蚀的基板处理方法、基板处理装置及计算机可读取的存储介质。基板处理方法通过使非活性气体在液体中溶解到饱和溶解度以上，从而以非活性气体置换溶存于液体中的氧气，通过对溶解了非活性气体的液体减压，在液体中产生非活性气体的气泡，一边向基板的表面供给包含气泡的液体，一边处理基板。
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公开(公告)号：CN106256016B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201580020452.9
申请日：2015-04-17
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/306 , H01L21/304 , H01L21/683
Abstract: 本发明是改善使用CARE法的基板处理装置。一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而研磨基板的被处理区域，具备：基板保持部，被构成为保持基板；催化剂保持部，被构成为保持催化剂；以及驱动部，被构成为在基板的被处理区域与催化剂接触的状态下，使基板保持部与催化剂保持部相对移动。催化剂比基板小。
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