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公开(公告)号：CN102656667B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201080059237.7
申请日：2010-12-22
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构
IPC: H01L21/28 , H01L21/288
CPC classification number: H01L21/28518 , H01L21/28052 , H01L21/288 , H01L29/665
Abstract: 本发明涉及结晶性硅化钴膜的形成方法，其特征在于：经过在由硅构成的表面上涂布将下式(1A)或(1B)所示的化合物或其聚合物与0价钴络合物混合而得到的组合物形成涂膜，将该涂膜在550～900℃下加热的步骤，形成由第一层和第二层构成的双层膜，然后除去上述双层膜的上述第二层，其中，该第一层在由硅构成的表面上，由结晶性硅化钴构成；该第二层在该第一层上，含有硅原子、氧原子、碳原子和钴原子。式(1A)和(1B)中，X分别为氢原子或卤原子，n为1～10的整数，m为3～10的整数。
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公开(公告)号：CN104160456A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201380011944.2
申请日：2013-02-28
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构
IPC: H01B13/00 , B05D5/12 , H01B5/14 , H01L21/28 , H01L21/288
CPC classification number: H01L21/02565 , C23C18/1216 , C23C18/1233 , C23C18/1241 , C23C18/1245 , C23C18/1279 , C23C18/1283 , C23C18/1295 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02488 , H01L21/02592 , H01L21/02614 , H01L21/02664 , H01L21/288 , H01L29/247
Abstract: 本发明提供一种导电性膜的形成方法，其特征在于，经过下述工序：涂膜形成工序，在基板上，涂布含有1种以上的下述金属化合物以及溶剂的组合物而形成涂膜，所述金属化合物选自：选自铜、钯、铑、钌、铱、镍及铋中的金属的羧酸盐、醇盐、二酮化物及亚硝酰羧酸盐；以及氢自由基处理工序，向该涂膜供给氢自由基来进行氢自由基处理。
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公开(公告)号：CN102713002B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201180007388.2
申请日：2011-01-26
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 , JSR株式会社
CPC classification number: C23C18/1603 , C23C18/06 , C23C18/08 , C23C18/10 , C23C18/42 , C23C22/73 , H05K3/182 , H05K2203/0709 , H05K2203/1105 , Y10T428/12028 , Y10T428/12493 , Y10T428/1275 , Y10T428/24917
Abstract: 本发明涉及图案化导电膜的形成方法，其特征在于，所述形成方法经由如下的工序：在50~120℃的温度下，使形成有铂微晶粒子构成的图案化的层的基板接触胺化合物与氢化铝的络合物。根据本发明，可提供用于无需笨重高大的装置而简便地形成能够确保与基板之间的电接合、可理想地适用于许多电子装置的图案化导电层的方法。
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公开(公告)号：CN103999208A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201280056578.8
申请日：2012-10-23
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构
IPC: H01L21/8246 , C01G29/00 , C01G35/00 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L21/368 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/105 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L41/09 , H01L41/18 , H01L41/22 , H01L41/39
CPC classification number: H01L29/516 , C01G25/00 , C01G25/006 , C01G29/006 , C01G35/00 , C01P2002/85 , C01P2004/04 , H01L21/02192 , H01L21/02197 , H01L21/022 , H01L21/02282 , H01L21/28291 , H01L28/55 , H01L28/56 , H01L28/75 , H01L29/24 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/78391 , H01L29/7869 , H01L41/0478 , H01L41/0805 , H01L29/7839 , H01L41/0533 , H01L41/318 , H01L45/1206 , H01L45/1226 , H01L45/147 , H01L45/1608
Abstract: 本发明提供一种铁电门薄膜晶体管，其为具备通道层(28)、门电极层(22)与门绝缘层(25)的铁电门薄膜晶体管(20)，门电极层(22)对通道层(28)的导通状态进行控制，门绝缘层(25)由配置于通道层(28)与门电极层(22)之间的铁电层所构成，门绝缘层(铁电层)(25)具有PZT层(23)与BLT层(Pb扩散防止层)(24)被积层的构造，通道层(氧化物导体层)(28)配置于门绝缘层(铁电层)(25)中的BLT层(Pb扩散防止层)(24)侧的面。根据本发明的铁电门薄膜晶体管(20)，以铁电门薄膜晶体管的转移特性容易劣化(例如内存窗口的宽度容易变窄)的问题为首，能够解决起因于Pb原子从PZT层扩散到氧化物导体层而有可能发生的各种问题。
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公开(公告)号：CN102089358A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200980127035.9
申请日：2009-07-09
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人金泽大学 , JSR株式会社
CPC classification number: C08G77/60
Abstract: 本发明涉及聚硅烷的制造方法，其特征在于，使以下述式（2）所示的环状硅烷化合物为代表的特定的硅烷化合物在下述式（4）所示的双核金属络合物的存在下进行反应。SijH2j（2）（式（2）中，j为3～10的整数。)［CpM（μ-CH2）］2（4）（式（4）中，Cp为环戊二烯基系配位体，M为选自Rh及Ir的金属原子，M-M间为双键。)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104160456B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201380011944.2
申请日：2013-02-28
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构
IPC: H01B13/00 , B05D5/12 , H01B5/14 , H01L21/28 , H01L21/288
CPC classification number: H01L21/02565 , C23C18/1216 , C23C18/1233 , C23C18/1241 , C23C18/1245 , C23C18/1279 , C23C18/1283 , C23C18/1295 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02488 , H01L21/02592 , H01L21/02614 , H01L21/02664 , H01L21/288 , H01L29/247
Abstract: 本发明提供一种导电性膜的形成方法，其特征在于，经过下述工序：涂膜形成工序，在基板上，涂布含有1种以上的下述金属化合物以及溶剂的组合物而形成涂膜，所述金属化合物选自：选自铜、钯、铑、钌、铱、镍及铋中的金属的羧酸盐、醇盐、二酮化物及亚硝酰羧酸盐；以及氢自由基处理工序，向该涂膜供给氢自由基来进行氢自由基处理。
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公开(公告)号：CN102282103B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201080004416.0
申请日：2010-01-07
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构
IPC: C01B33/04 , H01L21/208 , H01L21/316 , C01B33/02 , C01B33/12
CPC classification number: H01L21/02628 , C01B33/029 , C01B33/04 , C01B33/12 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L21/02675
Abstract: 本发明涉及高级硅烷组合物，其含有高级硅烷化合物和溶剂，其特征在于，上述溶剂含有环状烃，所述环状烃具有1个或2个双键，不具有烷基，仅由碳和氢构成，折射率为1.40～1.51，介电常数为3.0以下且分子量为180以下。本发明的高级硅烷组合物可以通过液相方法形成安全且具有期望膜厚的优质的膜。
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公开(公告)号：CN102870245A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201180021920.6
申请日：2011-05-06
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构
CPC classification number: H01L29/66969 , B05D5/06 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1629 , B41J2/1637 , B41J2/1639 , B41J2/1643 , B41J2/1645 , C23C18/06 , C23C18/1216 , C23C18/1254 , C23C18/1279 , C23C18/1283 , C23C18/1295 , H01L21/02104 , H01L21/0237 , H01L21/02521 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L21/38 , H01L21/441 , H01L27/1225 , H01L27/1292 , H01L29/786 , H01L29/7869 , H01L41/0973 , H01L41/318 , H01L41/33
Abstract: 本发明之一的功能设备的制造方法依次包括：功能固体材料前驱体层形成工序，通过在基材上涂布功能液体材料来形成功能固体材料的前驱体层；干燥工序，将前驱体层加热至80℃-250℃范围内的第一温度，以事先降低前驱体层的流动性；模压工序，在将前驱体层加热至80℃-300℃范围内的第二温度的状态下，对前驱体层施行模压加工，从而在前驱体层形成模压结构；功能固体材料层形成工序，将前驱体层以高于第二温度的第三温度进行热处理，由此从前驱体层形成功能固体材料层。
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公开(公告)号：CN102713002A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201180007388.2
申请日：2011-01-26
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 , JSR株式会社
CPC classification number: C23C18/1603 , C23C18/06 , C23C18/08 , C23C18/10 , C23C18/42 , C23C22/73 , H05K3/182 , H05K2203/0709 , H05K2203/1105 , Y10T428/12028 , Y10T428/12493 , Y10T428/1275 , Y10T428/24917
Abstract: 本发明涉及图案化导电膜的形成方法，其特征在于，所述形成方法经由如下的工序：在50~120℃的温度下，使形成有铂微晶粒子构成的图案化的层的基板接触胺化合物与氢化铝的络合物。根据本发明，可提供用于无需笨重高大的装置而简便地形成能够确保与基板之间的电接合、可理想地适用于许多电子装置的图案化导电层的方法。
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公开(公告)号：CN102971807B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201180034573.0
申请日：2011-07-08
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构
IPC: H01B13/00 , C01G55/00 , H01B5/14 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/2206 , C01G55/00 , C01G55/002 , C01P2002/72 , C01P2006/40 , H01B1/08 , H01L21/02422 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02628 , H01L29/4908 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种前体组合物，其用于通过简易的液相工艺来形成显示高导电性、同时即使加热至高温也稳定维持非晶体结构的导电性氧化物膜。本发明的前体组合物含有选自镧系元素（其中，排除铈）的羧酸盐、硝酸盐和硫酸盐中的至少1种，选自钌、铱或铑的羧酸盐、亚硝酰羧酸盐、亚硝酰硝酸盐和亚硝酰硫酸盐中的至少1种，与含有选自羧酸、醇和酮中的至少1种的溶剂。
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