公开(公告)号：CN102149460A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN200980135309.9

申请日：2009-09-07

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 真弓聪 ,  功刀俊介 ,  佐藤崇 ,  梅冈尚

IPC: B01J19/08 ,  B01D53/22 ,  H01L21/3065

CPC classification number: B01D53/229 ,  B01D2257/2027 ,  B01D2258/0216 ,  H01L21/32137

Abstract: 在大气压等离子体处理中，抑制氟原料的回收率或回收浓度的波动，以保证处理的稳定性。通过分离部(4)的分离膜(41)将离开大气压等离子体处理部(2)到达废气管线(30)的废气分离成用于回收管线(50)的回收气体和用于释放管线(60)的释放气体。将回收气体用作处理气体的至少一部分。在分离时，根据处理气体的流率调整回收气体、释放气体和废气中的至少两种气体的与分离相关的物理量(优选压力)，使得氟原料的回收率或回收浓度中的一项或两项达到期望值。

公开(公告)号：CN102132386A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200980132762.4

申请日：2009-03-04

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 功刀俊介 ,  佐藤崇

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32137

Abstract: 本发明可抑制基底膜的蚀刻，且没有残渣且高速率地对硅或氧化硅的含硅膜进行蚀刻。本发明中使含有氟系反应成分和氧化性反应成分的处理气体与被处理物(90)接触，对基底膜(92)上的含硅膜(93)进行蚀刻。利用流速调节机构(60)，根据蚀刻的进行使处理气体在被处理物(90)上的流速发生变化。优选调节处理气体的流量使气体流速发生变化。更优选在处理气体供给体系(10)中混合流速调节用气体或停止混合，调节处理气体的流量。

公开(公告)号：CN102884223B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201180015135.X

申请日：2011-03-10

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 川崎真一 ,  野上光秀 ,  中野良宪 ,  佐藤崇

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45578 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/50 ,  C23C16/545 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/3277

Abstract: 本发明提供一种在反应气体的反应成分容易凝结的情况下也能够防止其在喷嘴的内部凝结且能够避免短路等不良情况的等离子处理装置。在等离子处理装置(1)的一对电极(11、12)之间形成放电空间(13)，向被处理物(9)照射等离子。喷嘴(20)配置在一对电极(11、12)的至少一方或放电空间(13)的附近。从喷嘴(20)向被处理物(9)喷出含有凝结性的反应成分的反应气体。通过喷嘴温度调节机构(30)对喷嘴(20)的温度进行调节。在喷嘴(20)内形成温度调节路(32)作为温度调节机构(30)，并使温度调节液流动。通过液温调节部(31)以成为比反应成分的凝结温度高的高温的方式对温度调节液进行调节。

公开(公告)号：CN102884223A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201180015135.X

申请日：2011-03-10

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 川崎真一 ,  野上光秀 ,  中野良宪 ,  佐藤崇

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45578 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/50 ,  C23C16/545 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/3277

Abstract: 本发明提供一种在反应气体的反应成分容易凝结的情况下也能够防止其在喷嘴的内部凝结且能够避免短路等不良情况的等离子处理装置。在等离子处理装置(1)的一对电极(11、12)之间形成放电空间(13)，向被处理物(9)照射等离子。喷嘴(20)配置在一对电极(11、12)的至少一方或放电空间(13)的附近。从喷嘴(20)向被处理物(9)喷出含有凝结性的反应成分的反应气体。通过喷嘴温度调节机构(30)对喷嘴(20)的温度进行调节。在喷嘴(20)内形成温度调节路(32)作为温度调节机构(30)，并使温度调节液流动。通过液温调节部(31)以成为比反应成分的凝结温度高的高温的方式对温度调节液进行调节。

公开(公告)号：CN101352108B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200680049571.8

申请日：2006-12-22

Applicant: 夏普株式会社 ,  积水化学工业株式会社

Inventor： 若崎环树 ,  佐藤崇 ,  田中惠一 ,  中嶋节男 ,  真弓聪 ,  中野良宪

IPC: H05H1/24 ,  B65G49/06 ,  C23C16/458 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/316 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/68742 ,  B65G49/064 ,  B65G49/065 ,  B65G2249/02 ,  B65G2249/04 ,  B65G2249/045 ,  H01J37/32431 ,  H01J2237/20 ,  H01L21/68778

Abstract: 本发明涉及台装置和等离子体处理装置。提供在台的载置面上载置有被处理基板的状态下，在升降销的上端和载置面之间不产生高低平面差的台装置，此外，还提供利用该台装置作为电极台，能够抑制处理不均的发生的等离子体处理装置。在电极台(2)的中央部，配置有沿销移动方向具有弹性的弹簧式升降销(20)。弹簧式升降销(20)在收容位置上，销上端(20a)从电极台(2)的载置面(11)向上方突出，通过在载置面(11)上载置并吸附被处理基板(4)，由于从被处理基板(4)受到的负荷而被压下至与载置面(11)相同的高度。

公开(公告)号：CN101816064A

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200880109735.0

申请日：2008-09-26

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 石井彻哉 ,  中岛节男 ,  大塚智弘 ,  功刀俊介 ,  佐藤崇

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种硅的蚀刻方法，其课题在于，使硅的蚀刻速度提高。其中，在氟系原料的CF4和Ar的混合气体中添加露点成为10℃～40℃的量的水，在大气压下进行等离子体化。将等离子体化后的气体和来自臭氧发生器13的含有臭氧的气体混合，得到反应气体。反应气体包含1vol％以上的臭氧、COF2等非自由基氟系中间物质和0.4vol％以上的HF等氟系反应物质，氟原子数(F)和氢原子数(H)的比为(F)/(H)＞1.8。将该反应气体喷射到温度10℃～50℃的硅膜91(被处理物)上。

公开(公告)号：CN102791777B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201180012728.0

申请日：2011-02-28

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 中野良宪 ,  野上光秀 ,  川崎真一 ,  佐藤崇 ,  松崎纯一

IPC: C08J7/00 ,  G02B1/12 ,  G02B5/30 ,  H05H1/24

CPC classification number: B29D11/00634 ,  G02B5/3033 ,  H05H1/48 ,  H05H2001/485

Abstract: 本发明提供一种膜表面处理装置，在将聚合性单体作为反应成分而对偏振板用保护膜等被处理膜进行等离子体处理时，能够防止电极等的污垢且提高粘接性等处理效果。在第一辊电极(11)及第二辊电极(12)上卷挂被处理膜(9)。使电极(11、12)旋转，从电极(11)向电极(12)输送被处理膜(9)。使反应气体喷嘴(31)沿着第一辊电极(11)的周向从电极(11、12)间的放电空间(14)向电极旋转方向的上游侧离开，且以与第一辊电极(11)对置的方式配置。优选在第一辊电极(11)上覆盖遮蔽构件(40)。从喷嘴(31)吹出含有聚合性单体的反应气体。在第一、第二辊电极(11、12)彼此之间的被处理膜(9)的折返部分(9a)的内侧配置有放电生成气体喷嘴(21)。从放电生成气体喷嘴(21)向放电空间(14)吹出不含有聚合性单体的放电生成气体。

公开(公告)号：CN103035516A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210554751.9

申请日：2009-03-04

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 功刀俊介 ,  佐藤崇

IPC: H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/32137

Abstract: 本发明可抑制基底膜的蚀刻，且没有残渣且高速率地对硅或氧化硅的含硅膜进行蚀刻。本发明中使含有氟系反应成分和氧化性反应成分的处理气体与被处理物(90)接触，对基底膜(92)上的含硅膜(93)进行蚀刻。利用流速调节机构(60)，根据蚀刻的进行使处理气体在被处理物(90)上的流速发生变化。优选调节处理气体的流量使气体流速发生变化。更优选在处理气体供给体系(10)中混合流速调节用气体或停止混合，调节处理气体的流量。

公开(公告)号：CN102132386B

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN200980132762.4

申请日：2009-03-04

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 功刀俊介 ,  佐藤崇

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32137

Abstract: 本发明可抑制基底膜的蚀刻，且没有残渣且高速率地对硅或氧化硅的含硅膜进行蚀刻。本发明中使含有氟系反应成分和氧化性反应成分的处理气体与被处理物(90)接触，对基底膜(92)上的含硅膜(93)进行蚀刻。利用流速调节机构(60)，根据蚀刻的进行使处理气体在被处理物(90)上的流速发生变化。优选调节处理气体的流量使气体流速发生变化。更优选在处理气体供给体系(10)中混合流速调节用气体或停止混合，调节处理气体的流量。

公开(公告)号：CN102812073A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201180015223.X

申请日：2011-03-23

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 佐藤崇 ,  野上光秀 ,  中野良宪 ,  川崎真一

IPC: C08J7/00

CPC classification number: B29C59/14

Abstract: 本发明提供膜表面处理装置，在使含有反应成分的反应气体活化而对被处理膜进行表面处理时能够使反应成分充分反应，并防止在电极上附着污垢。在主处理部(10)的第一辊电极(11)及第二辊电极(12)上卷挂被处理膜(9)。通过辊电极(11、12)的旋转使被处理膜(9)从电极(11)向电极(12)输送。从喷嘴(23)向比电极(11、12)间的主放电空间(19)靠输送方向的上游侧的位置或放电空间(19)内的膜(19)上喷出反应气体。在比主处理部(10)靠输送方向的下游的位置设置再活化部(30)。优选，使再活化部(30)的后段电极(31)与第二辊电极(12)对置，将第二辊电极(12)兼用作再活化部(30)的另一方的后段电极。从气体供给部(33)向电极(31、12)之间供给不含有反应成分的放电生成气体。