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公开(公告)号：CN101499498B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN200910009810.2
申请日：2009-01-23
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 田中勉 , 达拉姆·帕尔·戈斯艾因
IPC: H01L31/113 , H01L29/78 , H01L27/146 , G11C11/42
CPC classification number: G11C13/047 , H01L27/14609 , H01L29/7869 , H04N5/374
Abstract: 本发明提供了光学传感器元件、成像装置、电子设备和存储元件，其中，该光学传感器元件具有经由栅极绝缘膜与由氧化物半导体构成的半导体层相对的栅电极、连接至半导体层的源电极和漏电极，其中，被半导体层接收的光量被读出作为相对于栅电压以非易失性方式变化的漏电流。本发明能够使用最新发现的由于半导体层的光接收带来Vg-Id特性的非易失性变化来检测被半导体层接收的光量，并且能够将此非易失性变化用作存储器功能。
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公开(公告)号：CN101714566B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200910179411.0
申请日：2009-10-09
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/02 , H01L31/102 , H01L31/101 , H01L29/861
CPC classification number: H01L27/1446 , H01L31/145
Abstract: 本发明提供了传感器元件、驱动其的方法、输入装置、显示装置和通信装置。传感器元件包括：彼此串联连接的两个二极管元件，以及电容元件，电容元件的一端连接到两个二极管元件之间的结点。二极管元件每个均包括：半导体层，其具有在面内方向上彼此面对的p型半导体区域和n型半导体区域；阳电极，其连接到p型半导体区域；阴电极，其连接到n型半导体区域；栅极绝缘膜，其在层叠方向上面对半导体层；以及栅电极，栅电极面对半导体层，且栅极绝缘膜位于栅电极与半导体层之间。
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公开(公告)号：CN101471391B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200810188371.1
申请日：2008-12-25
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L31/105 , H01L27/144 , H01L27/32
Abstract: 本发明提供了光接收元件和显示装置。该光接收元件包括：第一导电型半导体区域，其被构造为形成于元件形成表面的上方；第二导电型半导体区域，其被构造为形成于所述元件形成表面的上方；中间半导体区域，其被构造为形成于所述元件形成表面的上方且在所述第一导电型半导体区域与所述第二导电型半导体区域之间，并且所述中间半导体区域的杂质浓度低于所述第一导电型半导体区域的杂质浓度和所述第二导电型半导体区域的杂质浓度。所述光接收元件还包括：第一电极，其被构造为与所述第一导电型半导体区域电连接；第二电极，其被构造为与所述第二导电型半导体区域电连接；以及控制电极，其被构造为形成于位于所述元件形成表面上的相对区域中。
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公开(公告)号：CN101499498A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910009810.2
申请日：2009-01-23
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 田中勉 , 达拉姆·帕尔·戈斯艾因
IPC: H01L31/113 , H01L29/78 , H01L27/146 , G11C11/42
CPC classification number: G11C13/047 , H01L27/14609 , H01L29/7869 , H04N5/374
Abstract: 本发明提供了光学传感器元件、成像装置、电子设备和存储元件，其中，该光学传感器元件具有经由栅极绝缘膜与由氧化物半导体构成的半导体层相对的栅电极、连接至半导体层的源电极和漏电极，其中，被半导体层接收的光量被读出作为相对于栅电压以非易失性方式变化的漏电流。本发明能够使用最新发现的由于半导体层的光接收带来Vg－Id特性的非易失性变化来检测被半导体层接收的光量，并且能够将此非易失性变化用作存储器功能。
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公开(公告)号：CN101471391A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810188371.1
申请日：2008-12-25
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L31/105 , H01L27/144 , H01L27/32
Abstract: 本发明提供了光接收元件和显示装置。该光接收元件包括：第一导电型半导体区域，其被构造为形成于元件形成表面的上方；第二导电型半导体区域，其被构造为形成于所述元件形成表面的上方；中间半导体区域，其被构造为形成于所述元件形成表面的上方且在所述第一导电型半导体区域与所述第二导电型半导体区域之间，并且所述中间半导体区域的杂质浓度低于所述第一导电型半导体区域的杂质浓度和所述第二导电型半导体区域的杂质浓度。所述光接收元件还包括：第一电极，其被构造为与所述第一导电型半导体区域电连接；第二电极，其被构造为与所述第二导电型半导体区域电连接；以及控制电极，其被构造为形成于位于所述元件形成表面上的相对区域中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101464580A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200810184186.5
申请日：2008-12-19
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G02F1/133 , G02F1/13357 , G06F3/042 , G06K9/00
Abstract: 本发明涉及显示装置和照明装置，该显示装置包括：显示面板和照明部分，显示面板包括布置在显示面板的像素区域表面上的多个像素，而照明部分构造为沿与显示面板垂直的法线方向产生照明光，其中照明部分具有光源、光导板，显示面板还包括多个光敏感器件，光源包括不可见光源，光导板包括不可见光束反射部分。
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公开(公告)号：CN100414391C
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200610108725.8
申请日：2003-04-04
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G02F1/1335
Abstract: 本发明公开了一种液晶显示器，其改善了反射显示的亮度而不增加制造步骤的数目，并且确保了与仅可执行透射显示的显示器相等的透射显示亮度。该液晶显示器包括显示面板，其中设置有包括用于反射显示的反射区(A)和用于透射显示的透射区(B)的像素区(4)的TFT衬底(1)和布置有与像素区(4)相对应的滤色片(29)的滤色片衬底(2)彼此面对，液晶层(3)插在其间。布置为与反射区(A)相对应的滤色片(29)在同与透射区(B)相对应地设置的滤色片(29a)相同的条件下制造，具体地说，是相同的厚度和相同的材料。在布置为与反射区(A)相对应的滤色片(29)中形成至少一个开口(33)。
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公开(公告)号：CN1307473C
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN03800730.4
申请日：2003-04-04
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G02F1/1335
Abstract: 本发明公开了一种液晶显示器，其改善了反射显示的亮度而不增加制造步骤的数目，并且确保了与仅可执行透射显示的显示器相等的透射显示亮度。该液晶显示器包括显示面板，其中设置有包括用于反射显示的反射区(A)和用于透射显示的透射区(B)的像素区(4)的TFT衬底(1)和布置有与像素区(4)相对应的滤色片(29)的滤色片衬底(2)彼此面对，液晶层(3)插在其间。布置为与反射区(A)相对应的滤色片(29)在同与透射区(B)相对应地设置的滤色片(29a)相同的条件下制造，具体地说，是相同的厚度和相同的材料。在布置为与反射区(A)相对应的滤色片(29)中形成至少一个开口(33)。
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公开(公告)号：CN1537254A
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN03800730.4
申请日：2003-04-04
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/133514 , G02F1/133555 , G02F2001/136222 , G02F2203/09
Abstract: 本发明公开了一种液晶显示器，其改善了反射显示的亮度而不增加制造步骤的数目，并且确保了与仅可执行透射显示的显示器相等的透射显示亮度。该液晶显示器包括显示面板，其中设置有包括用于反射显示的反射区(A)和用于透射显示的透射区(B)的像素区(4)的TFT衬底(1)和布置有与像素区(4)相对应的滤色片(29)的滤色片衬底(2)彼此面对，液晶层(3)插在其间。布置为与反射区(A)相对应的滤色片(29)在同与透射区(B)相对应地设置的滤色片(29a)相同的条件下制造，具体地说，是相同的厚度和相同的材料。在布置为与反射区(A)相对应的滤色片(29)中形成至少一个开口(33)。
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公开(公告)号：CN101527167B
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN200910130790.4
申请日：2009-02-01
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11C11/40 , G02F1/1362 , G09G3/20 , G09G3/36
CPC classification number: G11C13/0002
Abstract: 本发明提供一种可以组装到有源矩阵型显示装置的像素中的超小型存储元件。本发明的存储元件(1)由薄膜晶体管(TFT)和可变电阻元件(ReRAM)并联连接而构成。可变电阻元件(ReRAM)由与薄膜晶体管(TFT)的输入端侧连接的一导电层、与薄膜晶体管(TFT)的输出端侧连接的另一导电层、以及配置在两导电层之间的至少一层氧化膜层构成，根据施加到栅极上的电压，薄膜晶体管(TFT)处于断开状态时，可变电阻元件(ReRAM)根据从输入端施加的电压在低电阻状态(LRS)和高电阻状态(HRS)之间变化，写入对应的二值数据。
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