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公开(公告)号：CN117110956A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311039696.4
申请日：2023-08-17
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本发明提供一种TMR磁传感器，其包括：耦接于电源端和输出端之间的第一桥臂；耦接于输出端和接地端之间的第二桥臂；第一桥臂和第二桥臂中的一个为阻值随磁场变化的电阻，另一个为阻值不随磁场变化的电阻，第一桥臂和第二桥臂形成于同一个衬底上，阻值随磁场变化的电阻包括多个磁隧道结，在电流流过阻值随磁场变化的电阻时，电流在磁隧道结的结区的流动方向与所述衬底的表面垂直；在电流流过阻值不随磁场变化的电阻时，电流的流动方向与所述衬底的表面平行。这样，采用一次退火方式就可以实现所述TMR磁传感器，无需采用软磁材料屏蔽TMR磁传感器中的桥臂实现单芯片集成，降低了TMR磁传感器工艺制造的难度。
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公开(公告)号：CN115793834A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211429749.9
申请日：2022-11-15
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: G06F1/3206 , G06F9/4401
Abstract: 本发明提供一种电子设备及将电子设备从休眠模式唤醒的方法，当电子设备在休眠模式时，若收到间歇式低功耗阈值检测使能信号，则进入低功耗阈值检测模式；当电子设备在休眠模式时，若收到采样需求动作信号或加速度数据超过第一阈值范围，则进入持续工作模式，若在预定时长内未收到采样需求动作信号或在预定时长内加速度数据未超过第二阈值范围，则进入休眠模式；当电子设备在低功耗阈值检测模式时，低功耗阈值检测电路工作，对电子设备进行加速度检测，判定检测到的加速度是否超出第三预定阈值范围，若否，则继续低功耗阈值检测模式；若是，则进入持续工作模式。与现有技术相比，本发明可以准确及时的将电子设备从休眠模式唤醒，从而降低功耗。
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公开(公告)号：CN112097800A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010897275.5
申请日：2020-08-31
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本发明提供一种360度磁角度传感器，其包括：各向异性磁电阻传感器，其基于感测平面内的磁场产生表示磁角度的第一信号，所述第一信号具有180度的角范围；霍尔传感器，其基于所述感测平面内的磁场产生表示磁角度的第二信号，所述第二信号具有360度的角范围；信号处理电路，其与所述各向异性磁电阻传感器和霍尔传感器电性连接，其基于第二信号判断所述磁角度的所属区间，所属区间为0到180度或180到360度，并结合所述磁角度的所属区间和所述第一信号产生表示磁角度的第三信号，所述第三信号具有360度的角范围。与现有技术相比，本发明不但能实现360度范围内高精度的角度测量，而且还可以降低体积和成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN221259771U
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202322872061.4
申请日：2023-10-25
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: G01B7/30
Abstract: 本实用新型公开了一种磁角度传感器，其包括：至少一个磁阻传感器，每个磁阻传感器被配置的生成反应磁场的角度的第一传感信号，第一传感信号的周期为180度；一对霍尔传感器，每个霍尔传感器被配置的生成反应磁场的角度的第二传感信号，第二传感信号周期为360度每个磁阻传感器为AMR传感器，每个AMR传感器为惠斯通全桥结构。第一霍尔传感器的中心与磁阻传感器的中心的连线L1与第二霍尔传感器的中心与磁阻传感器的中心的连线L2垂直，第一霍尔传感器的中心到磁阻传感器的中心的距离等于第二霍尔传感器的中心到磁阻传感器的中心的距离。这样，可以将所述磁阻传感器的测量范围从180度扩展到360度，并保持所述磁阻传感器的高精度角度探测。
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公开(公告)号：CN220671606U
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202322221391.7
申请日：2023-08-17
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: G01R33/02
Abstract: 本实用新型提供一种三轴磁传感器，其包括：各向异性磁电阻传感器，其用于感测相互正交的X轴方向和Y轴方向的外磁场以产生X轴感测电压和Y轴感测电压；水平霍尔传感器，其用于感测Z轴方向的外磁场以产生Z轴感测电压，Z轴感测电压表示感测到的外磁场Z轴方向的磁场分量，Z轴与X轴和Y轴相互正交；信号处理电路，其与各向异性磁电阻传感器和水平霍尔传感器电性连接，信号处理电路用于将X轴感测电压转换为X轴方向的磁场分量，将Y轴感测电压转换为Y轴方向的磁场分量，将Z轴感测电压转换Z轴方向的磁场分量。与现有技术相比，本实用新型将磁阻技术与霍尔技术相结合，采用完全的平面工艺制造三轴磁传感器，从而降低了工艺制造的难度。
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公开(公告)号：CN220584384U
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202322219411.7
申请日：2023-08-17
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种TMR磁传感器，其包括：耦接于电源端和输出端之间的第一桥臂；耦接于输出端和接地端之间的第二桥臂；第一桥臂和第二桥臂中的一个为阻值随磁场变化的电阻，另一个为阻值不随磁场变化的电阻，第一桥臂和第二桥臂形成于同一个衬底上，阻值随磁场变化的电阻包括多个磁隧道结，在电流流过阻值随磁场变化的电阻时，电流在磁隧道结的结区的流动方向与所述衬底的表面垂直；在电流流过阻值不随磁场变化的电阻时，电流的流动方向与所述衬底的表面平行。这样，采用一次退火方式就可以实现所述TMR磁传感器，无需采用软磁材料屏蔽TMR磁传感器中的桥臂实现单芯片集成，降低了TMR磁传感器工艺制造的难度。
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公开(公告)号：CN221077548U
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202322740259.7
申请日：2023-10-10
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: G01B7/30
Abstract: 本实用新型提供一种磁角度传感器测试装置，其包括：第一基板；电机，其设置于第一基板下方，电机的电机轴贯穿第一基板；转轴，其设置于第一基板上方，转轴的一端部与电机轴同轴连接；磁场源，其用于产生外磁场，磁场源固定于转轴的另一端部；第二基板，其设置于磁场源上方，且第二基板与磁场源存在预设间隔；器件测试板，其固定于第二基板上，器件测试板用于承载待测磁角度传感器并与待测磁角度传感器电连接，以输出待测磁角度传感器产生的角度信号。与现有技术相比，发明提供的磁角度传感器测试装置，不但体积小巧、轻量、便携、成本低、配件间可拆卸、还能够灵活地适应多阶段的研发测试需求。
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公开(公告)号：CN216313420U
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202121928352.5
申请日：2021-08-17
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: H04R19/00 , H04R19/04 , G01P15/125 , G01H11/06
Abstract: 本实用新型提供一种用于拾取语音的骨传导加速度计，其包括：微机电系统部件，其为电容式加速度计，微机电系统部件用于感应骨振动信号并将该骨振动信号转换为电信号，微机电系统部件包括：衬底；半导体结构层，其设置于衬底上方，其包括键合框架和位于键合框架内的敏感框架；盖板，其设置于半导体结构层上方，其中，键合框架与所述半导体结构层上方的盖板和半导体结构层下方的结构围成密封腔，敏感框架位于密封腔内；信号处理部件，其用于处理微机电系统部件产生的电信号，并将电信号转换为声音信号。与现有技术相比，本实用新型采用骨传导加速度计实现对声音的拾取，可避免外界环境声音的干扰，且无需外壳封装来实现密封。
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