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公开(公告)号：CN110320739A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910216524.7
申请日：2019-03-21
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/26
Abstract: 本发明提供一种高透过率的相移掩模坯料，其可以将相移膜构图成能够充分发挥相移效果的截面形状。该相移掩模坯料在透明基板上具有相移膜，且在该相移膜上具有蚀刻掩模膜，是用于形成相移掩模的原版，以蚀刻掩模膜形成规定图案的蚀刻掩模膜图案作为掩模，通过对所述相移膜进行湿式蚀刻而在所述透明基板上形成具有相移膜图案的相移掩模，所述相移膜含有过渡金属、硅、氧、氮，所述相移膜包含的氧的含有率为5原子％以上70原子％以下，所述相移膜包含的过渡金属和硅的比例为1:1.5以上1:6以下，所述相移膜的膜应力为0.35GPa以下。
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公开(公告)号：CN110196530A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910125512.3
申请日：2019-02-20
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/26
Abstract: 本发明提供一种能够以可充分发挥相移效果的截面形状对相移膜进行构图的透过率高的相移掩模坯料。一种相移掩模坯料，其在透明基板上具有相移膜和在该相移膜上的蚀刻掩模膜，其特征在于，所述相移掩模坯料是以在所述蚀刻掩模膜形成有期望的图案的蚀刻掩模膜图案作为掩模，通过对所述相移膜进行湿式蚀刻而在所述透明基板上形成具有相移膜图案的相移掩模，所述相移膜含有过渡金属、硅、氧，氧的含有率为5原子％以上70原子％以下，从所述界面到10nm深度的区域为止的氧相对于硅的含有比率为3.0以下。
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公开(公告)号：CN102822743A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180016169.0
申请日：2011-03-29
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 田边胜
Abstract: 通过模拟来计算出设置在曝光装置时的透光性基板的表面形状，当对带抗蚀剂膜的掩模坯料描绘转印图案时，利用表面形状的模拟结果来修正转印图案，并描绘修正后的转印图案。在模拟工序中，基于透光性基板的表面形态、材质以及尺寸、和包括与透光性基板的主表面抵接的区域的掩模台的形状信息，对在曝光装置上设置了透光性基板时的多个上述测量点的距离基准面的高度信息进行模拟，使通过模拟工序得到的多个上述测量点的距离基准面的高度信息与4次、5次或者6次曲面近似，并将表示所得到的近似曲面的多项式的各项的系数、即系数信息与透光性基板对应存储。
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公开(公告)号：CN102169286A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110032626.7
申请日：2011-01-27
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 田边胜
IPC: G03F1/14 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: C03B20/00 , C03C19/00 , G03F1/00 , G03F1/50 , G03F1/60 , G03F7/20 , Y02P40/57
Abstract: 本发明涉及掩模板用基板、掩模板、转印用掩模的制造方法。在模拟工序中，基于主表面形状的信息和掩模载台的形状信息，使用考虑了扭弯变形的挠曲微分方程式，模拟得到将透光性基板安置于曝光装置时的多个测定点的高度信息。基于进行该模拟所得的高度信息，在平坦度算出工序中，算出将透光性基板安置于曝光装置时的该透光性基板的平坦度。在选定工序中判定该平坦度是否符合规格，将平坦度符合规格的透光性基板用作掩模板用基板。
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公开(公告)号：CN101813883A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010180900.0
申请日：2005-09-29
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/14
CPC classification number: G03F1/60 , G03F1/50 , Y10T428/31616
Abstract: 一种被曝光系统的掩模台吸附的光刻掩模基板，在光刻掩模基板的主表面上除了从外部外围端部表面向内2mm的区域，平面测量区域的平整度为0.6μm或者更小，光刻掩模基板主表面的一边被掩模台吸附，以及平面测量区域的四个角部分中的至少三个具有朝向外部外围边缘上升的形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101713917A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910252635.X
申请日：2005-06-22
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/08 , H01L21/027
Abstract: 提供一种通过修正透光性基板表面上的凹陷缺陷来防止产生复制图形缺陷及掩模图形缺陷的掩模版用透光性基板、掩模版以及曝光用掩模的制造方法、以及曝光用掩模的缺陷修正方法。在透光性基板1上形成构成复制图形的掩模图形2的曝光用掩模上，用针状件4去除尚未形成掩模图形2的基板表面1a上的足以引起产生复制图形缺陷的透光量下降的凹陷缺陷3的周边部分，实施减少基板表面与凹陷缺陷的深度之间的阶差的修正。此外，在透光性基板上形成掩模图形形成用的薄膜之前的阶段内进行上述凹陷缺陷修正。使用实施了凹陷缺陷修正的透光性基板制造出掩模版、曝光用掩模。
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公开(公告)号：CN101713917B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN200910252635.X
申请日：2005-06-22
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/32 , H01L21/027
Abstract: 提供一种通过修正透光性基板表面上的凹陷缺陷来防止产生复制图形缺陷及掩模图形缺陷的掩模版用透光性基板、掩模版以及曝光用掩模的制造方法、以及曝光用掩模的缺陷修正方法。在透光性基板1上形成构成复制图形的掩模图形2的曝光用掩模上，用针状件4去除尚未形成掩模图形2的基板表面1a上的足以引起产生复制图形缺陷的透光量下降的凹陷缺陷3的周边部分，实施减少基板表面与凹陷缺陷的深度之间的阶差的修正。此外，在透光性基板上形成掩模图形形成用的薄膜之前的阶段内进行上述凹陷缺陷修正。使用实施了凹陷缺陷修正的透光性基板制造出掩模版、曝光用掩模。
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公开(公告)号：CN101120245B
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN200680005281.3
申请日：2006-02-15
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 田边胜
IPC: G01N21/958 , G03F1/84 , G03F1/76 , C03B20/00
CPC classification number: G01N21/958 , G03F1/84
Abstract: 本发明提供一种能够正确检查透光性物品的内部的光学不均匀性的有无的透光性物品的检查方法。一种透光性物品的检查方法，其使用于光平版印刷，检查在由透光性材料构成的透光性物品(4)的内部，有无相对于曝光光光学特性部分或局部变化的不均匀性(具体是内部缺陷(16))，其中，向所述透光性物品导入具有200nm以下的波长的检查光，在所述检查光在该透光性物品内部传播的光路中，通过检测部分或局部产生的比所述检查光的波长长的光(15)，来检查所述透光性物品中的光学不均匀性的有无。
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公开(公告)号：CN1749851B
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200510103988.5
申请日：2005-09-16
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/00 , G03F1/08 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/60 , G03F1/50 , Y10T428/31616
Abstract: 一种掩模板制造部分通过在掩模板透明基片上形成待成为掩模图形的薄膜制造掩模板。当向掩模制造部分提供掩模板时，掩模板制造部分向掩模制造部分提供掩模板透明基片的光学特性信息(透射率差异)和掩模板的光学特性信息(透射率差异和/或相差差异)。掩模板透明基片的光学特性信息从制造掩模板透明基片的材料处理部分提供给掩模板制造部分。
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公开(公告)号：CN1862376A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200610051433.5
申请日：2006-02-24
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 田边胜
IPC: G03F1/00 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/705 , G03F1/32 , G03F1/60 , G03F7/70783
Abstract: 一种方法，包括：准备步骤，在该步骤中，准备具有精密抛光的主表面的透明基片；表面形状信息获取步骤，在该步骤中，作为表面形状信息，获取在和曝光装置的掩模台接触的透明基片的主表面上的多个测量点处的高度信息；模拟步骤，在步骤中，根据表面形状信息和掩模台的形状信息，通过模拟将透明基片装入到曝光装置上的状态，获取向多个测量点处的高度信息；平坦度计算步骤，在该步骤中，根据通过模拟活动物的高度信息，计算出当将其装入到曝光装置中时、所述透明基片的平坦度；判断步骤，在该步骤中，判断所计算出来的平坦度是否满足技术标准；以及薄膜形成步骤，在该步骤中，作为掩模图形，在其平坦度满足技术标准的透明基片的主表面上形成薄膜。
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