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公开(公告)号：CN113322520A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202011097998.3
申请日：2020-10-14
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 实施方式涉及晶片及其制造方法。根据一实施例的晶片在25℃的温度下以0.1N/分钟的加荷速率施加的1N和18N的荷载下分别测定的根据动态机械分析的松弛模量(relaxation modulus)的差异可以为450GPa以下。
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公开(公告)号：CN113322519A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202011097996.4
申请日：2020-10-14
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 实施方式涉及外延片、晶片及其制造方法。上述制造方法包括：准备步骤、生长步骤、冷却步骤、切割步骤、加工步骤；上述加工步骤包括：第一加工步骤，使用表面粒度为1000目至3000目的第一砂轮进行加工；及第二加工步骤，使用表面粒度为6000目至10000目的第二砂轮进行加工。通过实施方式的晶片的制造方法制造的晶片具有低微管缺陷密度，且可以使颗粒和划痕发生最小化。通过实施方式的外延片的制造方法制造的外延片可以具有坠落、三角及胡萝卜缺陷等的密度低，并呈现优异的器件特性，且可以期待器件成品率改善。
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公开(公告)号：CN112695384A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202010531605.9
申请日：2020-06-11
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 本发明涉及碳化硅晶锭及其制备方法以及碳化硅晶片的制备方法。所述碳化硅晶锭包括：本体部，包括本体部一截面和与本体部一截面对置的本体部另一截面，以及突出部，位于本体部另一截面上，并且具有基于本体部另一截面弯曲的表面；本体部另一截面包括一端点和另一端点，一端点是位于所述本体部另一截面的一端的一点，另一端点是位于所述本体部另一截面的末端的一点，一端点、突出部的最高点和另一端点位于与本体部一截面垂直的同一平面上，作为同一平面与突出部表面的交线的弧的曲率半径由下面的数学式1表示。本发明的碳化硅晶锭及其制备方法可以精确地控制晶体生长的温度梯度，并且可以提供具有更好特性的碳化硅晶锭。数学式13D≤r≤37D。
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公开(公告)号：CN112437723A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201980044044.5
申请日：2019-05-03
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 实施方案涉及具有优异的电磁屏蔽能力和导热率的多层石墨片及其制造方法，所述多层石墨片具有五层以上的多层结构，并且能被制造成厚度为70μm以上以达到显著提高电磁屏蔽能力的目的。此外，所述多层石墨片通过将混合了非均质材料的混合型层压板石墨化而制成的，使得以较低的成本同时实现导热率和电磁屏蔽能力，从而可用作厚膜片，广泛应用于例如家用电器和电动汽车等领域。
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公开(公告)号：CN107108227B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201680004414.9
申请日：2016-03-22
Applicant: SKC株式会社
IPC: C01B32/20 , C01B32/205
Abstract: 本申请提供一种石墨片，该石墨片在水平和垂直方向的热扩散率之比为300或300以上。此外，本申请还提供了一种在垂直方向上的热扩散率为2.0mm2/s或2.0mm2/s以下的石墨片。该石墨片在水平和垂直方向上具有优异的导热性及柔韧性，并且制造成本低，因此具有经济优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111304745A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201910643497.1
申请日：2019-07-17
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 本发明涉及一种晶锭的制备装置以及使用该装置的碳化硅单晶锭的制备方法，所述晶锭的制备装置包括：坩锅主体，具有开放部且容纳原料；盖子组装体，位于所述开放部且至少一部分固定于所述坩锅主体，所述晶锭的制备装置的特征在于，所述盖子组装体包括：布置孔，上下贯通；外缘构件，以包围所述布置孔的圆周的方式沿着所述开放部的圆周布置；及芯构件，位于所述布置孔且以所述外缘构件为基准上下移动。通过适用所述晶锭的制备装置，可以提供进一步大口径的高质量单晶锭。
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公开(公告)号：CN110168147A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201780079360.7
申请日：2017-12-20
Applicant: SKC株式会社
IPC: C30B15/36 , C30B29/06 , C30B29/36 , C30B15/14 , C30B15/02 , C30B25/08 , C30B25/14 , C30B25/22 , C30B15/32
Abstract: 一种方法，其中碳质保护膜形成于SiC单晶晶种的后侧，所述晶种置于反应容器中不粘附，且之后SiC原材料于晶种前表面培养SiC单晶，因晶种没有粘附于支架上从而防止了加热期间因晶种和支架的膨胀系数差异而引起的翘曲或裂缝，可使晶种培养为具有大直径的单晶锭。
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公开(公告)号：CN113322521A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202011098008.8
申请日：2020-10-14
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 本发明涉及晶片、外延片及其制造方法。实施方式涉及一种晶片，包括一面和另一面，上述一面的Rsk粗糙度为‑3nm至3nm，上述一面的边缘区域的Ra粗糙度与上述一面的中心区域的Ra粗糙度之间的差异为‑2nm至2nm，上述一面的边缘区域是从上述一面的边缘向中心方向的距离相对于上述晶片的半径为13.3％至32.1％的区域，上述一面的中心区域是从上述一面的中心相对于上述晶片的半径具有9.4％的半径的区域。实施方式的晶片的一面的边缘区域与中心区域之间的粗糙度偏差不大，且可以显示出低不对称性。实施方式的外延片呈现出更均匀的厚度特性，基于此，在制造半导体器件时可以提高器件的特性和成品率。
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公开(公告)号：CN112746317A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202010531592.5
申请日：2020-06-11
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 本发明涉及碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法。所述晶片的特征在于：因施加到表面的冲击而产生裂纹，所述冲击依靠具有机械能的重锤，所述机械能的最小值是每单位面积0.194J至0.475J。当从根据一个实施例的碳化硅晶锭切下的晶片的表面因施加到其表面的机械能而产生裂纹时，所述机械能的最小值可以是每单位面积(1cm2)0.194J至0.475J。根据一个实施例的碳化硅晶锭的制备方法可以通过设置最佳工艺条件，从而能够制备确保耐冲击性且缺陷密度数值降低的碳化硅晶锭。
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公开(公告)号：CN112639174A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201980056925.9
申请日：2019-07-26
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 实施方案涉及一种生长半绝缘SiC单晶锭的方法，所述方法包括以下步骤：(1)将涂覆有碳化硅(SiC)和碳基材料的掺杂剂放入包含固定有籽晶的反应容器中；以及(2)在所述籽晶上生长SiC单晶，从而产生高质量的半绝缘SiC单晶锭，其具有均匀的基于厚度的掺杂浓度。另外，另一实施方案涉及一种生长半绝缘碳化硅单晶锭的方法，所述方法包括以下步骤：(a)将包含含碳聚合物树脂、溶剂、掺杂剂和碳化硅(SiC)的组合物置于反应容器中；(b)固化所述组合物；(c)在固定于所述反应容器中的所述籽晶上生长SiC单晶锭，从而产生高质量的半绝缘SiC单晶锭，其具有均匀的基于厚度的掺杂浓度。另外，另一实施方案涉及一种用于生长SiC单晶锭的装置，其中所述装置能够生产高质量的SiC单晶锭，所述高质量的SiC单晶锭包括通过SiC组合物的碳化或石墨化产生的多孔体，因此当SiC单晶锭的直径较大时，仍然具有均匀的基于厚度的掺杂浓度。
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