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公开(公告)号：CN1630189A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200410101370.0
申请日：2004-12-17
Applicant: TDK株式会社
IPC: H03H9/17
CPC classification number: H03H9/059 , H01L23/3121 , H01L23/49805 , H01L23/49838 , H01L24/97 , H01L2224/16 , H01L2224/16235 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , H03H9/1085 , H01L2224/81
Abstract: 本发明的一个实施方式的安装基板(14)具有：构成有安装电子器件(20)的安装面，形成包含通过凸块(21)与该电子器件(20)电气上连接的多个电极块(P)的电极图形的第一主面(14a)；和位于所述第一主面(14a)的相反一侧并形成与所述电极块(P)电气连接的多个输入输出端子(S)的第二主面(14b)。全部输入输出端子(S)在离开所述安装基板(14)的周边端部的位置上形成。
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公开(公告)号：CN1617444A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410094710.1
申请日：2004-11-12
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 井上宪司
IPC: H03H9/17
CPC classification number: H03H9/175 , H03H3/02 , H03H9/02094 , H03H9/02141 , H03H9/564 , H03H9/568 , Y10T29/42
Abstract: 本发明涉及一种薄膜体波谐振器晶片以及薄膜体波谐振器的制造方法，防止在薄膜体波谐振器的制造过程中产生的放电，并由此提高产品的可靠性和合格率。本发明的薄膜体波谐振器晶片，包括：基板(101)、在基板(101)上设置的下部电极(102)和上部电极(104)、以及在下部电极(102)和上部电极(104)之间设置的压电膜(103)；通过设置在压电膜(103)上的窗部，下部电极(102)和上部电极(104)短路。由此，下部电极(102)和上部电极(104)成为相同电位，因此即使进行覆盖上部电极(104)的保护膜的形成和基板的切割等现有的容易产生放电的加工，也不会产生贯通压电膜(103)的放电。
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公开(公告)号：CN1138342C
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：CN98801265.0
申请日：1998-06-22
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H03H9/0259
Abstract: 本发明的目的在于提供一种用于包括蜂窝电话在内的移动通信终端设备的、选择性即温度特性优良的小型宽通带声表面波装置。本发明的声表面波装置在一个基片表面上包括一根叉指型电极，该基片由化学式La3Ga5SiO14代表的、且属于点群32的langasite单晶组成。当从langasite单晶切出基片的切削角和在基片上声表面波的传播方向按照欧拉角(φ、θ、ψ)表示时，发现φ、θ、和ψ在分别由φ＝0°、θ＝140°、及ψ＝21至30°代表的区域内。在归一化厚度h/λ(%)与指示声表面波传播方向的所述ψ(°)之间的关系由下式给出，其中叉指型电极的厚度h用声表面波的波长λ归一化，当ψ≤25.5°时-3.79(h/λ)+23.86≤ψ≤-5.08(h/λ)+26.96并且当ψ＞25.5°时，以上关系由下式给出4.39(h/λ)+24.30≤ψ≤3.54(h/λ)+27.17。
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公开(公告)号：CN1112762C
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：CN97190007.8
申请日：1997-03-18
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H03H9/02834 , H03H9/0259
Abstract: 在一种衬底表面上有叉指电极的表面声波器件中，其中所述的衬底是一种属于点群32的砷镍钴矿单晶，对切自单晶的衬底的切割角与表面声波传播方向的组合进行了优化。这使得有可能获得含有一个SAW速度的温度系数TCV的绝对值小、电机械耦合因子K2大、且SAW速度低的衬底的表面声波器件。于是有可能获得温度稳定性业已改善、具有宽的通带且尺寸减小了的滤波器，特别是具有特性改善了的最适于移动通信终端设备的中频表面声波滤波器。
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公开(公告)号：CN1358349A
公开(公告)日：2002-07-10
申请号：CN01800024.X
申请日：2001-01-05
Applicant: TDK株式会社
IPC: H03H9/145
CPC classification number: H03H9/0259 , H03H9/02543 , H03H9/14505
Abstract: 本发明的目的是提供一种弹性表面波装置,能够实现宽带化并且小型化,并且,利用固有单相单方向性变换器特性,能够实现低损失化。弹性表面波装置包括压电基板(1)和设在该压电基板1的一个主面上的一对交叉指状电极(2)。使用由属于点群32,具有Ca3Ca2Ge4O14型结晶构造,其主要成分由La、Ta、Ga以及O组成,用化学式La3Ta0.5Ga5.5O14所表示的单晶来作为压电基板(1)的材料。当用欧拉角把基板(1)的切出角和传送方向表示为(φ,θ,ψ)时,φ、θ和ψ可以存在于φ=－5°～5°,θ=135°～155°以及ψ=15°～40°的第一区域中,或者,φ=10°～20°,θ=140°～157°以及ψ=30°～60°的第二区域中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100499365C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200510003841.9
申请日：2005-01-07
Applicant: TDK株式会社
IPC: H03H9/17
CPC classification number: H03H9/02094 , H03H9/175 , H03H9/176
Abstract: 本发明涉及一种薄膜体波谐振器，通过改善音响多层膜来提高SMR型薄膜体波谐振器的谐振特性。该薄膜体波谐振器包括：基板(101)；由在基板(101)上设置的下部电极(102)、压电膜(103)及上部电极(104)构成的谐振部(120)；由在基板(101)和谐振部(120)之间设置的多个反射膜(111、112)构成的音响多层膜(110)。在本发明中，构成音响多层膜(110)的至少一个反射膜沿特定的结晶面取向，优选X射线摇摆曲线的半辐值设定为小于等于10°以下，更优选设定为小于等于3°。由此，与现有技术相比，由于提高了向基板(101)方向传播的体波的反射效率，所以就能够获得良好的谐振特性。
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公开(公告)号：CN100488046C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200410101369.8
申请日：2004-12-17
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 井上宪司
IPC: H03H9/17
CPC classification number: H03H9/564 , H03H9/02118 , H03H9/568
Abstract: 本发明的一实施方式的电子部件，具有第一压电薄膜共振器和第二压电薄膜共振器，第一压电薄膜共振器和第二压电薄膜共振器具有由下部电极和上部电极夹着压电薄膜的构造，是在下部电极、压电薄膜和上部电极相互重合的区域所构成的、通过在压电薄膜的内部传输的体波来得到规定的共振频率的信号的压电薄膜共振器，互相相对的第一压电薄膜共振器的周边的一部分和第二压电薄膜共振器的周边的一部分的间隔不是一定的。
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公开(公告)号：CN100386901C
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200510052992.3
申请日：2005-03-04
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L41/316 , H03H9/02149 , H03H9/174 , H03H9/175
Abstract: 本发明不使用外延生长法等高成本的成膜方法便可制作具有高结晶度的功能膜的电子元件。该元件具备衬底、设置在衬底上的下部导电膜、设置在下部导电膜上的功能膜以及设置在下部导电膜与功能膜之间的结晶性阻挡膜。根据本发明，由于下部导电膜的结晶度和材料的选择不会影响功能膜结晶度，因而能够将铝(Al)等廉价的金属用作下部导电膜的材料，并且采用低成本的方法也可以使之形成。因此，本发明不采用外延生长法等高成本的成膜方法便能够提高功能膜13的结晶度。作为结晶性阻挡膜，可以使用具有无定型结构的材料。
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公开(公告)号：CN1251404C
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN01811997.2
申请日：2001-12-06
Applicant: TDK株式会社
IPC: H03H9/25
CPC classification number: H03H9/02543
Abstract: 本发明的目的是提供一种能宽频带化及小型化的弹性表面波装置。弹性表面波装置具有压电基片(1)、设置在该压电基片(1)的一方主面上的一对手指交错状电极(2)。压电基片(1)的材料由单晶体构成，它是属于点群32、具有Ca3Ga2Ge4O14型结晶结构；其主要成分由Ca、Nb、Ga、Si和O构成，由化学式Ca3NbGa3Si2O14表示的。借助适当地选择基片(1)的切出角和传输方向，能使基片(1)具有大的电气机械结合系数和小的SAW速度，前者能有效地使通频带宽带化、后者能有效地使弹性表面波装置小型化。
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公开(公告)号：CN1665043A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200510052992.3
申请日：2005-03-04
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L41/316 , H03H9/02149 , H03H9/174 , H03H9/175
Abstract: 本发明不使用外延生长法等高成本的成膜方法便可制作具有高结晶度的功能膜的电子元件。该元件具备衬底、设置在衬底上的下部导电膜、设置在下部导电膜上的功能膜以及设置在下部导电膜与功能膜之间的结晶性阻挡膜。根据本发明，由于下部导电膜的结晶度和材料的选择不会影响功能膜结晶度，因而能够将铝(Al)等廉价的金属用作下部导电膜的材料，并且采用低成本的方法也可以使之形成。因此，本发明不采用外延生长法等高成本的成膜方法便能够提高功能膜13的结晶度。作为结晶性阻挡膜，可以使用具有无定型结构的材料。
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