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公开(公告)号：CN101558535A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200880001109.X
申请日：2008-10-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/164 , B82Y20/00 , H01S5/10 , H01S5/22 , H01S5/3203 , H01S5/34333
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光装置。该半导体激光装置具有形成在基板(1)的主面上且由III族氮化物半导体构成的包含MQW活性层(5)的叠层结构体。叠层结构体具有形成在该叠层结构体的主面的条状波导路，波导路的彼此相向的端面中的一个是光射出端面。在凹部(2)的周围形成有第一区域和第二区域，该第一区域是MQW活性层(5)中禁带宽度为Eg1的区域，该第二区域是MQW活性层(5)中禁带宽度为Eg2的区域，且与该第一区域邻接，而且Eg2≠Eg1。所形成的波导路包含第一区域及第二区域，且不包含台阶区域，光射出端面形成在第一区域及第二区域中光吸收波长较短的那个区域(5a)。
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公开(公告)号：CN100337338C
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200410063346.2
申请日：2000-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C30B25/183 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L33/025 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/3203 , H01S5/32341
Abstract: 一种半导体装置，其特征在于具备有在表面上设有凸起的基板和借助于来自上述凸起的侧表面的晶体生长在上述基板的上述表面上形成的半导体层，上述凸起包含不与上述基板的上述表面平行的相互连接的2片侧表面，上述2片侧表面和与上述主面平行的面相交产生的2根线段的夹角为60°或120°。
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公开(公告)号：CN1661869A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510056521.X
申请日：2000-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C30B25/183 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L33/025 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/3203 , H01S5/32341
Abstract: 一种半导体基板的制造方法，其特征在于包括准备晶体生长用基板的工序、在上述晶体生长用基板上沉积具有六方晶的结晶构造的第1半导体层的工序、通过对上述第1半导体层的一部分进行蚀刻使面方位为(1，－1，0，n)，这里n为整数，的面或与此等价的面外露的工序、在上述外露工序后在上述第1半导体层的表面上沉积具有六方晶的结晶构造的第2半导体层的工序。
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公开(公告)号：CN106463909A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580031408.8
申请日：2015-04-17
Applicant: 索尼公司
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01S5/183 , G02B27/48 , H01S5/0207 , H01S5/0425 , H01S5/1092 , H01S5/18341 , H01S5/18358 , H01S5/18361 , H01S5/18369 , H01S5/3202 , H01S5/3203 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S5/4087 , H01S5/423 , H01S2304/04 , H04N9/3161
Abstract: 该发光元件至少设置有：形成在基板(11)的前表面上的第一光反射层(41)；层压结构(20)，形成在第一光反射层(41)上并且由第一化合物半导体层(21)、活性层(23)以及第二化合物半导体层(22)构成；以及形成在第二化合物半导体层压结构(20)由多个层压结构单元(20A)构成，层压结构单元(20A)分别构成发光元件单元(10A)，并且发光元件单元(10A)中的共振器长度随着发光元件单元中的每一个而变化。(22)上的第二电极(32)和第二光反射层(42)。层
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公开(公告)号：CN102187479B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN200980141161.X
申请日：2009-08-27
Applicant: 学校法人上智学院
IPC: H01L33/00 , H01L21/205 , H01S5/343
CPC classification number: H01L21/0254 , B82Y20/00 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02603 , H01L21/02639 , H01L27/15 , H01L27/153 , H01L29/0657 , H01L29/0665 , H01L29/0669 , H01L29/0676 , H01L31/035227 , H01L31/035281 , H01L31/075 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01S5/0213 , H01S5/1042 , H01S5/183 , H01S5/3203 , H01S5/32341 , H01S5/4025 , H01S5/423 , Y02E10/548
Abstract: 本发明提供一种半导体光学元件阵列，其包括：具备形成有多个凹部的主面的半导体基板；形成于前述半导体基板的该主面上并且具备分别在前述多个凹部的正上方的多个开口部的掩模图案；从前述多个凹部出发，通过前述多个开口部，向前述掩模图案的上方生长的由III族氮化物半导体构成的多个微细柱状晶体；分别在前述多个微细柱状晶体上生长的活性层；以及包覆前述各活性层的半导体层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102187479A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200980141161.X
申请日：2009-08-27
Applicant: 学校法人上智学院
IPC: H01L33/00 , H01L21/205 , H01S5/343
CPC classification number: H01L21/0254 , B82Y20/00 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02603 , H01L21/02639 , H01L27/15 , H01L27/153 , H01L29/0657 , H01L29/0665 , H01L29/0669 , H01L29/0676 , H01L31/035227 , H01L31/035281 , H01L31/075 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01S5/0213 , H01S5/1042 , H01S5/183 , H01S5/3203 , H01S5/32341 , H01S5/4025 , H01S5/423 , Y02E10/548
Abstract: 本发明提供一种半导体光学元件阵列，其包括：具备形成有多个凹部的主面的半导体基板；形成于前述半导体基板的该主面上并且具备分别在前述多个凹部的正上方的多个开口部的掩模图案；从前述多个凹部出发，通过前述多个开口部，向前述掩模图案的上方生长的由III族氮化物半导体构成的多个微细柱状晶体；分别在前述多个微细柱状晶体上生长的活性层；以及包覆前述各活性层的半导体层。
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公开(公告)号：CN1212695C
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN00129584.5
申请日：2000-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C30B25/183 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L33/025 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/3203 , H01S5/32341
Abstract: 一种半导体装置，具备有在表面上设置了从基板的法线方向看具有封闭形状的凹陷(104)的基板(102)和至少借助于来自上述凹陷(104)的内表面(105、106、107)的晶体生长在上述基板(102)的上述表面上形成的半导体层(103)使该半导体层的晶格缺陷朝上述凹陷的中心方向集中。并且提供进一步减少晶格缺陷的半导体装置。
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公开(公告)号：CN1579040A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN02821679.2
申请日：2002-10-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0207 , H01S5/1039 , H01S5/164 , H01S5/22 , H01S5/3203 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S2304/12
Abstract: 本发明的半导体发光元件的制造方法包括：在基板(21)的主表面上生长第一氮化物系III－V族化合物半导体层(22)的工序；在第一氮化物系III－V族化合物半导体层上以在宽度方向上规定的周期重复的方式形成具有不同宽度的第一幅度部和第二幅度部的条纹状的掩膜(23)的工序；为覆盖在掩膜和第一氮化物系III－V族化合物半导体层的表面的掩膜之间露出的部分而从该露出部分选择性生长第二氮化物系III－V族化合物半导体层(25)的工序；以及在第二氮化物系III－V族化合物半导体层上实质上叠层包括在掩膜的延长方向上延长的有源层的半导体激光器结构(26～33)，由此，在掩膜的第一幅度部(条纹1)和第二幅度部(条纹2)的边界上的部位中获得具有对应于第一幅度部和第二幅度部的宽度差的叠层段差(301)的半导体激光器结构的工序。
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公开(公告)号：CN1553523A
公开(公告)日：2004-12-08
申请号：CN200410063346.2
申请日：2000-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C30B25/183 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L33/025 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/3203 , H01S5/32341
Abstract: 一种半导体装置，其特征在于具备有在表面上设有凸起的基板和借助于来自上述凸起的侧表面的晶体生长在上述基板的上述表面上形成的半导体层，上述凸起包含不与上述基板的上述表面平行的相互连接的2片侧表面，上述2片侧表面和与上述主面平行的面相交产生的2根线段的夹角为60°或120°。
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公开(公告)号：CN1295365A
公开(公告)日：2001-05-16
申请号：CN00129584.5
申请日：2000-10-08
Applicant: 松下电子工业株式会社
CPC classification number: C30B25/183 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L33/025 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/3203 , H01S5/32341
Abstract: 一种半导体装置,具备有在表面上设置了从基板的法线方向看具有封闭形状的凹陷104的基板102和至少借助于来自上述凹陷104的内表面(105、106、107)的晶体生长在上述基板102的上述表面上形成的半导体层103。并且提供进一步减少晶格缺陷的半导体装置。
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