公开(公告)号：CN101867149A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010143281.8

申请日：2010-03-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 神川刚 ,  太田征孝

IPC: H01S5/00

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02642 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3203 ,  H01S5/32341 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体发光装置的制造方法。该方法包括步骤：在具有非极性面或半极性面的氮化物半导体衬底中形成凹进区域；以及在氮化物半导体衬底上设置氮化物半导体薄膜，其中该氮化物半导体薄膜包扩n型氮化物半导体薄膜、有源层和p型氮化物半导体薄膜。p型氮化物半导体薄膜在高于或等于700℃且低于900℃的生长温度下生长。

公开(公告)号：CN101952982B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN200880126957.3

申请日：2008-12-12

Applicant: 未来之光有限责任公司

Inventor： 广山良治 ,  三宅泰人 ,  久纳康光 ,  别所靖之 ,  畑雅幸

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/32341 ,  H01L33/007 ,  H01L33/16 ,  H01L33/20 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0203 ,  H01S5/18 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3203 ,  H01S5/4031

Abstract: 本发明提供一种氮化物类半导体发光二极管，其可抑制制造工艺复杂化，并且可提高来自发光层的光的输出效率，且可进一步提高半导体层的平坦性。该氮化物类半导体发光二极管(30)包括：基板(11)，其在主表面上形成有凹部(21)；氮化物类半导体层(12)，其在主表面上具有发光层(14)，并且包含以凹部的一内侧面(21a)为起点而形成的由(000-1)面构成的第一侧面(12a)、和夹着发光层而在第一侧面的相反侧的区域以凹部的另一内侧面(21b)为起点而形成的第二侧面(12b)。

公开(公告)号：CN101939883A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200980104197.0

申请日：2009-10-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川口真生

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3203 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供一种半导体激光器装置，该半导体激光器装置具有在基板(11)上所形成的且包含活性层(26)的半导体层层叠体(20)。半导体层层叠体(20)具有：将光射出的前端面；在与前端面交叉的方向上所形成的条状的波导部；在与前端面交叉的方向上延伸的第一区域(20A)；与第一区域(20A)上表面的高度不同的第二区域(20B)；在第一区域(20A)和第二区域(20B)之间所形成的、且与第二区域(20B)相比表面中的周期性的凹凸的变化小的平坦区域(20C)。并且，光波导路在平坦区域(20C)形成。

公开(公告)号：CN1476642A

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN02803189.X

申请日：2002-08-21

Applicant: 索尼公司

Inventor： 琵琶刚志 ,  奥山浩之 ,  土居正人 ,  大畑丰治

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01S5/042 ,  H01S5/10 ,  H01S5/2272 ,  H01S5/3203 ,  H01S5/32341 ,  H01S2304/12

Abstract: 本发明公开了一种具有出色特性的氮化物半导体器件以及该氮化物半导体器件的制造方法，该器件具有通过选择性生长生长成三维形状的器件结构。根据本发明的氮化物半导体器件包括一生长为三维形状的晶体层，该晶体层具有一侧面部分(16s)和一上层部分(16t)，其中一电极层(21)经一高电阻区形成于该上层部分上，该高电阻区通过一未掺杂氮化镓层(17)等而形成。由于该高电阻区是设置于上层部分(16t)之上，使得电流绕过该上层部分(16t)的该高电阻区流动，从而形成了避过该上层部分(16t)而主要是沿侧面部分(16s)延伸的电流通路，从而抑制了结晶度差的该上层部分(16t)中的电流。

公开(公告)号：CN100435436C

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200510056521.X

申请日：2000-10-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中村真嗣 ,  石田昌宏 ,  折田贤儿 ,  今藤修 ,  油利正昭

IPC: H01S5/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: C30B25/183 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/025 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3203 ,  H01S5/32341

Abstract: 一种半导体基板的制造方法，其特征在于包括准备晶体生长用基板的工序、在上述晶体生长用基板上沉积具有六方晶的结晶构造的第1半导体层的工序、通过对上述第1半导体层的一部分进行蚀刻使面方位为(1，-1，0，n)，这里n为整数，的面或与此等价的面外露的工序、在上述外露工序后在上述第1半导体层的表面上沉积具有六方晶的结晶构造的第2半导体层的工序。

公开(公告)号：CN1277339C

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN02821679.2

申请日：2002-10-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长谷川义晃 ,  嶋本敏孝 ,  菅原岳

IPC: H01S5/16 ,  H01S5/22 ,  H01S5/343

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/164 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3203 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/12

Abstract: 本发明的半导体发光元件的制造方法包括：在基板(21)的主表面上生长第一氮化物系III-V族化合物半导体层(22)的工序；在第一氮化物系III-V族化合物半导体层上以在宽度方向上规定的周期重复的方式形成具有不同宽度的第一幅度部和第二幅度部的条纹状的掩膜(23)的工序；为覆盖在掩膜和第一氮化物系III-V族化合物半导体层的表面的掩膜之间露出的部分而从该露出部分选择性生长第二氮化物系III-V族化合物半导体层(25)的工序；以及在第二氮化物系III-V族化合物半导体层上实质上叠层包括在掩膜的延长方向上延长的有源层的半导体激光器结构(26～33)，由此，在掩膜的第一幅度部(条纹1)和第二幅度部(条纹2)的边界上的部位中获得具有对应于第一幅度部和第二幅度部的宽度差的叠层段差(301)的半导体激光器结构的工序。

公开(公告)号：CN1241272C

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN02803189.X

申请日：2002-08-21

Applicant: 索尼公司

Inventor： 琵琶刚志 ,  奥山浩之 ,  土居正人 ,  大畑丰治

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01S5/042 ,  H01S5/10 ,  H01S5/2272 ,  H01S5/3203 ,  H01S5/32341 ,  H01S2304/12

Abstract: 本发明公开了一种具有出色特性的氮化物半导体器件以及该氮化物半导体器件的制造方法，该器件具有通过选择性生长生长成三维形状的器件结构。根据本发明的氮化物半导体器件包括一生长为三维形状的晶体层，该晶体层具有一侧面部分(16s)和一上层部分(16t)，其中一电极层(21)经一高电阻区形成于该上层部分上，该高电阻区通过一未掺杂氮化镓层(17)等而形成。由于该高电阻区是设置于上层部分(16t)之上，使得电流绕过该上层部分(16t)的该高电阻区流动，从而形成了避过该上层部分(16t)而主要是沿侧面部分(16s)延伸的电流通路，从而抑制了结晶度差的该上层部分(16t)中的电流。

公开(公告)号：CN103199433A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201310111332.2

申请日：2008-12-12

Applicant: 未来之光有限责任公司

Inventor： 广山良治 ,  三宅泰人 ,  久纳康光 ,  别所靖之 ,  畑雅幸

IPC: H01S5/028 ,  H01S5/022 ,  H01S5/18 ,  H01S5/323 ,  H01L33/20 ,  B82Y20/00

CPC classification number: H01S5/32341 ,  H01L33/007 ,  H01L33/16 ,  H01L33/20 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0203 ,  H01S5/18 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3203 ,  H01S5/4031

Abstract: 本发明提供一种氮化物类半导体激光元件，其特征在于，包括：氮化物类半导体元件层，其形成于基板的主表面上，且具有发光层；第一共振器端面，其形成于所述氮化物类半导体元件层的包含所述发光层的端部；和反射面，其形成于与所述第一共振器端面相对的区域，至少由相对于所述主表面倾斜规定角度而延伸的（000－1）面、或{A+B、A、－2A－B、2A+B}面构成，在此，A≧0以及B≧0，且A和B中至少任一个是不为0的整数。

公开(公告)号：CN101952982A

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200880126957.3

申请日：2008-12-12

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 广山良治 ,  三宅泰人 ,  久纳康光 ,  别所靖之 ,  畑雅幸

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/32341 ,  H01L33/007 ,  H01L33/16 ,  H01L33/20 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0203 ,  H01S5/18 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3203 ,  H01S5/4031

Abstract: 本发明提供一种氮化物类半导体发光二极管，其可抑制制造工艺复杂化，并且可提高来自发光层的光的输出效率，且可进一步提高半导体层的平坦性。该氮化物类半导体发光二极管(30)包括：基板(11)，其在主表面上形成有凹部(21)；氮化物类半导体层(12)，其在主表面上具有发光层(14)，并且包含以凹部的一内侧面(21a)为起点而形成的由(000-1)面构成的第一侧面(12a)、和夹着发光层而在第一侧面的相反侧的区域以凹部的另一内侧面(21b)为起点而形成的第二侧面(12b)。

公开(公告)号：CN101902014A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN201010194776.3

申请日：2010-05-31

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 神川刚 ,  太田征孝

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/343 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02389 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3203 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供了一种氮化物半导体晶片、氮化物半导体芯片及其制造方法。该氮化物半导体芯片由于改善的EL发射图案而提供提高的发光效能。氮化物半导体激光器芯片100(氮化物半导体芯片)具有：n型GaN基板10，具有在a轴方向上相对于m面具有偏角的面作为主生长面10a；和氮化物半导体层20，形成于n型GaN基板10的主生长面10a上。n型GaN基板10包括：凹陷部2(雕刻区域3)，在厚度方向上从主生长面10a被雕刻；和未雕刻区域4，是未被雕刻的区域。形成于n型GaN基板10上的氮化物半导体层20具有其厚度以梯度方式朝向凹陷部2(雕刻区域3)减小的梯度厚度区域5和其厚度变化非常小的发射部形成区域6。在发射部形成区域6中，形成脊部28。