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公开(公告)号：CN114875481B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202210600670.1
申请日：2022-05-30
Applicant: 中材人工晶体研究院(山东)有限公司 , 中材人工晶体研究院有限公司 , 北京中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本申请提供了一种物理气相传输法晶体生长炉、制备晶锭的方法及晶锭。其中，晶体生长炉包括：炉体，包括圆筒形侧壁、炉盖和炉底；位于炉体内部的保温层结构，位于保温层结构内部的加热器结构；位于加热器结构内部的坩埚，包括坩埚本体和坩埚盖；芯冷吹气系统，包括芯冷吹气埚盖、多个芯冷出气通孔、芯冷吹气管和芯冷进气嘴；多个测温点，用于监测所述晶体生长炉中的温度。本申请通过物理气相传输法生长晶体，然后经退火处理得到晶锭。退火处理过程中通过芯冷吹气系统向晶锭的芯部吹气，始终让晶锭芯部的温度小于等于晶锭外表面的温度，实现了径向温度分布反转，改善晶锭退火处理过程中由于应力累积导致的晶锭开裂问题，从而提高了晶锭的成品率。
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公开(公告)号：CN118223001A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410334766.7
申请日：2024-03-22
Applicant: 中材人工晶体研究院有限公司 , 北京中材人工晶体研究院有限公司
IPC: C23C16/448 , C23C16/30
Abstract: 本申请提供一种蒸发反应器，包括：反应炉、置于反应炉内的坩埚和搅拌装置。反应炉包括筒状炉体和与筒状炉体密封连接的上盖，筒状炉体的内壁设有加热部件。坩埚包括密封连接的坩埚本体和坩埚盖。搅拌装置包括支架、升降组件、驱动组件、搅拌杆和搅拌桨。支架固定于上盖外侧，外侧是指背离筒状炉体的一侧。升降组件包括导轨和与导轨滑动连接的滑块，导轨沿蒸发反应器的高度方向设置于支架上，驱动组件固定连接于滑块，驱动组件与搅拌杆的一端连接，搅拌杆的另一端与搅拌桨连接，搅拌杆穿过上盖和坩埚盖，以使搅拌桨置于坩埚内。由于具有可升降的搅拌装置，能够可选择地在加热过程中进行搅拌，以提高硫单质升华过程中的蒸汽产出效率。
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公开(公告)号：CN117802581A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410001249.8
申请日：2024-01-02
Applicant: 中材人工晶体研究院有限公司 , 北京中材人工晶体研究院有限公司 , 中国建材集团有限公司
Abstract: 本申请提供了一种用于晶体生长的铂坩埚的制备方法，其包括步骤：在复合坩埚中进行铂的熔炼、浇铸成铂锭；将铂锭进行热锻，轧片，第一次退火，粗旋压，第二次退火，精旋压，第三次退火，制备得到用于晶体生长的铂坩埚。采用本申请的制备方法制备的铂坩埚，表面光滑，组织均一，厚度一致，板料一次成型，外沿不用焊接，产品质量较传统焊接工艺有很大提升；通过在熔炼过程中采用复合坩埚对铂进行熔炼提纯，减少了铂坩埚在晶体生长过程中的漏料率，还可反复进行熔炼旋压再制备铂坩埚，使铂得到循环使用。
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公开(公告)号：CN116791203A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310763198.8
申请日：2023-06-27
Applicant: 北京中材人工晶体研究院有限公司 , 中材人工晶体研究院有限公司 , 中国建材集团有限公司
Abstract: 本申请提供了一种湿化学共沉淀法制备磷酸氧钛铷电光晶体生长原料的方法，其以有机钛、NH4H2PO4和Rb2CO3为原料，采用湿化学共沉淀法和球磨法制备得到磷酸氧钛铷电光晶体生长原料。本申请提供的制备磷酸氧钛铷电光晶体生长原料的方法采用的原料价格低廉，操作简单、制备成本低；制备得到的磷酸氧钛铷电光晶体生长原料纯度高、均匀性好且重复性好；制备得到的磷酸氧钛铷电光晶体质量好，无晶界、条纹、散射颗粒等缺陷，光学性能好。
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公开(公告)号：CN116791191A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310786508.8
申请日：2023-06-29
Applicant: 中材人工晶体研究院有限公司 , 北京中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本申请提供一种单晶生长装置、单晶生长炉及单晶生长方法，包括：坩埚盖和坩埚，坩埚盖盖合于坩埚的顶部开口，坩埚的侧壁和底壁受热；坩埚内设有至少一个导热件，其底端与坩埚底壁接触，顶端与坩埚盖之间具有预设距离；坩埚内设有位于导热件远离坩埚底壁的一侧的隔板及位于隔板靠近坩埚底壁的一侧的原料；隔板包括遮挡部和流通部，遮挡部为圆环形结构，遮挡部的外缘与坩埚侧周壁抵接，流通部用于升华气体通过；坩埚盖的内侧设有籽晶，坩埚内还设有导流罩，导流罩设于隔板远离坩埚底壁的一侧，用于将升华气体导向籽晶表面；导热件的制作材料为耐高温且不与AlN反应的金属材料。该装置能提高原料的温度分布的均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116121851A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310097868.7
申请日：2023-01-19
Applicant: 中材人工晶体研究院有限公司 , 北京中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本申请提供一种导模法晶体生长装置及方法，包括壳体、第一炉体、第二炉体及沿远离壳体顶部的方向依次设置的降温组件、夹紧传输机构、裁切机构和第一升降组件；第一炉体内设有用于生长晶体的第一坩埚；第二炉体内设有用于熔料的第二坩埚。第一坩埚与第二坩埚通过连通部连通。第一炉体的顶部设有延伸至降温组件内部的第一开口；第一升降组件用于升降籽晶；第一升降组件将籽晶升至与夹紧传输机构齐平时，夹紧传输机构用于夹紧并驱动籽晶和晶体沿导模法晶体生长装置的高度方向运动，籽晶和晶体沿夹紧传输机构传输的长度达到预设长度时，裁切机构用于将晶体切断。
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公开(公告)号：CN115771066A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202310003385.6
申请日：2023-01-03
Applicant: 中材人工晶体研究院有限公司 , 北京中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种晶体的端面研抛方法，包括：将多个所述晶体沿所述晶体的长度方向和/或宽度方向阵列排布并粘接形成所述晶体组块；将所述晶体组块放置于游星轮的工作孔内；将所述游星轮放入研抛机中对所述晶体组块进行研磨、抛光至预设高度。本申请中，由于单个晶体待加工截面积过小且重心较高，并且晶体与工作孔间配合存在间隙，晶体在研抛的过程中容易发生倾斜，造成较大的研抛精度误差，通过将多个晶体沿晶体长度方向或宽度方向阵列排布并粘接的方式，形成截面积较大的晶体组块，便于与工作孔配合，不易发生倾斜，提高研抛精度，同时，游星轮的每个工作孔中容纳多个晶体，增加了研抛效率。
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公开(公告)号：CN114775042A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210441154.9
申请日：2022-04-25
Applicant: 中材人工晶体研究院(山东)有限公司 , 中材人工晶体研究院有限公司 , 北京中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种晶体生长用坩埚及晶体生长方法，晶体生长用坩埚包括坩埚本体，在坩埚本体的内部形成有主腔体室，在坩埚本体的底部设置有籽晶平台，坩埚本体的底部还设置有环绕所述籽晶平台布置且与主腔体室连通的低温引导室，低温引导室的高度低于籽晶平台，在低温引导室与籽晶平台之间形成低温引导室的入口，坩埚本体的侧壁由上至下包括第一部段和第二部段，第一部段呈圆筒状，在第一部段的内壁上设置有盛料装置，第二部段的内径由上至下逐渐减小，第二部段的下端延伸至低温引导室的入口，低温引导室的入口处为高温热区。低温引导室用于沉积杂质、多余组份和多晶，高温热区用于降低籽晶边缘处生长气体的饱和度，避免籽晶周围多晶的产生。
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公开(公告)号：CN114645328A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202011518229.6
申请日：2020-12-21
Applicant: 中材人工晶体研究院有限公司 , 北京中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种PPKTP晶体的制备方法，在K4P2O7‑BaF2‑RbF助熔剂体系中直接生长获得PPKTP晶体，通过掺入Ba2+、Rb+，控制生长过程形成的K+空位‑O2‑空位浓度梯度，并利用SPWM波形调制信号实现温度周期涨落，结合合适的顶部籽晶生长技术工艺，使其在生长过程中依次形成自发极化方向交替变换的畴结构，从而生长出具有9.4μm左右的周期畴结构，占空比50％左右的KTP晶体，可加工成3‑8mm厚的大口径PPKTP准相位器件，在激光变频领域具有强大的竞争力。
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公开(公告)号：CN112698430A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011460832.3
申请日：2020-12-11
Applicant: 中材人工晶体研究院有限公司 , 北京中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本申请提供了一种ZnS基底长波红外增透保护膜及其制备方法，其中ZnS基底长波红外增透保护膜包括依次设置在所述ZnS基底上的ZnS膜层和Y2O3膜层；ZnS基底厚度：2‑15mm，各膜层的厚度为：ZnS膜层：80‑120nm，Y2O3膜层：1000‑1300nm，Y2O3膜层从内部到表面膜层结构逐渐变化。制备ZnS基底长波红外增透保护膜的方法，包括以下步骤：1)对ZnS基底进行抛光处理和表面处理；2)在所述ZnS基底上沉积ZnS膜层；3)在所述ZnS膜层上沉积Y2O3膜层，沉积开始时初始氧氩比为(2.8‑3.4)：35，在沉积过程中逐渐减小氧氩比，沉积结束时氧氩比为(0.6‑1.0)：35。通过所述方法制备而成的ZnS基底长波红外增透保护膜结构稳定性好，且在波长7.0‑9.5μm的波段内平均透过率高。
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