公开(公告)号：CN107851632A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680044355.8

申请日：2016-07-26

Applicant: 丹佛斯硅动力有限责任公司

Inventor： 弗兰克·奥斯特瓦尔德 ,  马汀·贝克尔 ,  霍尔格·乌利齐 ,  罗纳德·艾思勒 ,  加赛克·鲁茨基

IPC: H01L23/492

Abstract: 一种用于制造半导体芯片(2，3)的方法，这些半导体芯片具有安排在其上的金属成形体(6)，该方法具有以下步骤：将多个金属成形体(6)安排在经处理半导体晶圆上，同时形成安排在该半导体晶圆与这些金属成形体(6)之间的具有第一连接材料(4)和第二连接材料(5)的层，以及在不对该第二连接材料(5)进行处理的情况下，对用于将这些金属成形体(6)连接到该半导体晶圆上的该第一连接材料(4)进行处理，其中，这些半导体芯片(2，3)或者在将这些金属成形体(6)安排在该半导体晶圆上之前或者在对该第一连接材料(4)进行处理之后被分离开。

公开(公告)号：CN107851620A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680043293.9

申请日：2016-07-04

Applicant: 丹佛斯硅动力有限责任公司

Inventor： 弗兰克·奥斯特瓦尔德 ,  罗纳德·艾泽勒 ,  霍尔格·乌利齐

IPC: H01L23/31

Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块，该功率半导体模块包括：基板；半导体，该半导体设置在该基板的顶侧上；以及封装体，该封装体形成于该半导体和该基板上，其中，该封装体在其顶侧具有开口，该半导体和该基板的端子触点通过这些开口暴露于外部并且可从外部触及。

公开(公告)号：CN107452637A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710281663.9

申请日：2017-04-26

Applicant: 丹佛斯硅动力有限责任公司

Inventor： 马丁·贝克尔 ,  罗纳德·艾西尔 ,  弗兰克·奥斯特瓦尔德 ,  霍尔格·乌尔里奇 ,  加赛克·鲁茨基

IPC: H01L21/60

Abstract: 本发明提供了一种用于通过烧结将功率半导体模块的第一部件粘结性地连接到功率半导体模块的第二部件的方法，所述方法包括以下步骤：将一层未烧结的烧结材料涂覆到第一部件的预定结合表面；将第二部件设置在所述未烧结的烧结材料的表面层上；通过将压力和/或温度施加在预定结合表面内的局部界定的局部区域上而将第二部件附接到第一部件；处理功率半导体模块的第一和/或第二部件和/或其它部件；和对烧结材料进行全部区域烧结。

公开(公告)号：CN107210273A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201680009721.6

申请日：2016-01-29

Applicant: 丹佛斯硅动力有限责任公司

Inventor： 罗纳德·艾西尔 ,  弗兰克·奥斯特瓦尔德

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/433 ,  H01L23/495

Abstract: 一种功率模块(10)，该功率模块具有引线框(20)、安排在该引线框(20)上的功率半导体(30)、用于分散由该功率半导体(30)生成的热量的基板(40)以及围绕该引线框(20)和该功率半导体(30)的灌封化合物(50)，该灌封化合物将该功率半导体(30)和/或该引线框(20)物理连接至该基板(40)。

公开(公告)号：CN107112312A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580069840.6

申请日：2015-10-14

Applicant: 丹佛斯硅动力有限责任公司

Inventor： 约瑟夫·卢茨 ,  罗纳德·艾西尔 ,  加赛克·鲁茨基 ,  马汀·贝克尔 ,  马蒂亚斯·科克 ,  弗兰克·奥斯特瓦尔德

IPC: H01L23/62

Abstract: 描述了一种可从正常操作模式转变到无爆鲁棒短路故障模式的功率半导体模块10的描述。所述功率半导体模块10包括功率半导体1，所述功率半导体具有金属化物3，所述金属化物形成电位区域，并且由在所述功率半导体的顶侧2上的绝缘物和钝化物分开。此外，提供了一种导电连接层，在所述导电连接层上布置有至少一个金属成型体4，所述金属成型体具有低横向电阻并且明显比所述连接层厚，所述至少一个金属成型体通过对所述连接层的烧结来进行涂敷，使得所述金属成型体以粘结方式连接到所述对应的电位区域。所述金属成型体4被实施和设计成具有用于以保持横向电流流动分量5直到所述模块切断以便避免爆炸的方式使流过所述金属成型体的电流横向均质化的装置，其中，所述金属成型体4包括具有高电流能力的连接件6。然后由于以下事实而以无爆方式发生从所述操作模式到所述鲁棒故障模式的转变：对所述连接件6进行接触连接和尺寸设定，其方式为使得在大于所述功率半导体1的额定电流的倍数的过载电流的情况下，所述操作模式以无爆方式改变为所述短路故障模式，其中，连接件6在不形成电弧的情况下保持在所述金属成型体4上。

公开(公告)号：CN107078109A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580060107.8

申请日：2015-11-19

Applicant: 丹佛斯硅动力有限责任公司

Inventor： 弗兰克·伍尔夫-托克 ,  罗纳德·艾西尔 ,  赖纳·海内肯 ,  弗兰克·奥斯特瓦尔德 ,  克劳斯·奥利森 ,  拉尔斯·波尔森

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/10

Abstract: 本发明披露了一种冷却槽，该冷却槽包括非平坦表面，该非平坦表面围绕冷却槽的开口配置有基本上向内递减的高度。在非平坦表面上形成了在冷却槽的开口周围延伸的至少一个支撑线。在功率模块的基板被附接到冷却槽的非平坦表面上之后，该至少一个支撑线与基板接触。此外，本发明还披露了一种包括冷却槽的冷却器和一种包括冷却器的功率模块组件。

公开(公告)号：CN111902931B

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN201980019985.3

申请日：2019-03-18

Applicant: 丹佛斯硅动力有限责任公司

Inventor： 弗兰克·奥斯特瓦尔德 ,  霍尔格·乌利齐

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/367 ,  H01L21/603 ,  H01L21/48 ,  H01L21/67 ,  H01L23/31 ,  H01L23/049 ,  H01L23/053 ,  H01L23/24 ,  H01L23/46

Abstract: 描述了一种组装半导体功率模块部件(30)的方法和一种用于制造半导体功率模块部件的制造系统，该制造系统包括这种半导体功率模块部件和压制设备(20)。该半导体功率模块部件(30)至少包括以堆叠(10)布置的第一元件(1)(例如，半导体芯片)、第二元件(2)(例如，基板，诸如DCB基板)和第三元件(3)(例如，底板)。该第一元件(1)和该第二元件(2)通过在烧结区域(4)中进行烧结而接合，并且该第二元件(2)和该第三元件(3)通过在钎焊区域(6)中进行钎焊而接合。该烧结和该钎焊是同时执行的，其中，该钎焊区域(6)被加热到钎焊温度，并且该烧结区域(4)被加热到烧结温度，该钎焊温度和该烧结温度彼此协调。将压力施加至包括该至少一个钎焊区域(6)和该至少一个烧结区域(4)的该堆叠(10)，其中，稳定装置(7)被布置在该钎焊区域(6)中，该稳定装置诸如该第二元件(2)或该第三元件(3)的表面上的突起、并入焊料预制件(8)中的固态间隔件装置或并入焊料预制件(8)中的丝网。与该堆叠(10)的烧结和钎焊同时，可以将附加的部件部分(14，15)烧结到该第一元件和/或该第二元件上。可以通过围绕该模块(30)的部件部分(1，2，3，14，15)的软垫状元件(23)来施加压力。

公开(公告)号：CN113519043B

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202080017750.3

申请日：2020-02-27

Applicant: 丹佛斯硅动力有限责任公司

Inventor： 马丁·贝克尔 ,  德克·迪特曼

IPC: H01L21/67 ,  H05K13/04 ,  H01L21/98 ,  H01L21/60 ,  H05K3/32

Abstract: 公开了一种用于通过压力辅助低温烧结工艺来制造电子部件(34，34’，34”)的方法，该压力辅助低温烧结工艺通过使用具有上模(4)和下模(6)的压力烧结装置(2)来进行。上模(4)和/或下模(6)设置有第一压力垫(10，10”，10”’，210，210”，210”’)。该方法包括以下步骤：将第一部件(26)放置在设置于第一基板(20+12+22)的顶层(22)上的第一烧结层(24)上，以旨在形成第一电子部件(34)；在要形成的第一电子部件(34)上方或下方的水平面中，将至少第二部件(26’，26”)放置在设置于第二基板(20’+12’+22’，20”+12”+22”)的顶层(22’，22”)上的第二烧结层(24”，24””)上，以旨在形成第二电子部件(34’，34”)；将第二压力垫(10’，10”，10”’，10””，10””’，210’，210”，210”’，210””，210””’)放置在要形成的第一电子部件(34)和第二电子部件(34’，34”)之间；以及通过将上模(4)和下模(6)压向彼此，借助于第一烧结层(24)联结第一部件(26)和第一基板(20+12+22)的顶层(22)以形成第一电子部件(34)、以及借助于第二烧结层(24”，24””)联结第二部件(26’，26”)和第二基板(20’+12’+22’，20”+12”+22”)的顶层(22’，22”)以形成第二电子部件(34’，34”)，其中，同时加热烧结装置(2)。该方法可以进一步包括用布置成与第一压力垫(10，210)接合的第一保护箔(18)覆盖第一部件(26)的步骤。该方法还可以包括用第二保护箔(18’，18”)覆盖第二部件(26’，26”)的步骤。压力垫(10，10’，10”，10”’，10””，10””’)中的一个或多个可以是可变形压力垫(210，210’，210”，210”’，210””，210””’)，其可以包括容纳在外壳中的流体。板(36，36’)可以布置在相邻的电子部件(34，34’，34”)之间，其中，板(36)可以设置有加热元件(32’)，或者可以通过感应器件(232)来加热板(36，36’)。第一电子部件(34，34’，34”)或第二电子部件(34，34’，34”)可以包括底板(28，28’，28”)，该底板可以用作附加压力垫。第一电子部件和第二电子部件(34，34’，34”)可以是包括绝缘件(12，12’，12”)的双面电子部件，该绝缘件具有设置有第一烧结层(24，24”，24”’)的顶表面，第一部件(26，26”，26”’)放置到该第一烧结层上，并且该绝缘件具有设置有第二烧结层(24’，24”’)的底面表面，第二部 件(26’，26”’)布置到该第二烧结层上。

公开(公告)号：CN117716492A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202280053028.4

申请日：2022-08-26

Applicant: 丹佛斯硅动力有限责任公司

Inventor： 亨宁·斯特罗贝尔-麦尔 ,  克劳斯·奥勒森

IPC: H01L23/473

Abstract: 本发明涉及一种用于电子部件的冷却器，该冷却器包括具有外表面和内表面(3)的底板(1)。通道壁(2)布置在内表面上，从而限定流体通道(4，5)，其中，至少提供第一种类的通道(4)和第二种类的通道(5)。第一种类的通道(4)和第二种类的通道(5)的几何形状不同，使得流过第一种类的通道(4)的流体量不同于流过第二种类的通道(5)的流体量。

公开(公告)号：CN117581359A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202280046308.2

申请日：2022-07-07

Applicant: 丹佛斯硅动力有限责任公司

Inventor： 托比亚斯·阿佩尔

IPC: H01L23/495

Abstract: 描述了一种方法，该方法形成具有一个或多个第一连接端子的第一子引线框；形成具有一个或多个第二连接端子的第二子引线框；连结第一子引线框和第二子引线框以形成引线框，使得第一连接端子中的至少一些与第二连接端子中的至少一些重叠。