-
公开(公告)号：CN103098179B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201180043414.7
申请日：2011-07-14
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , B81C1/00 , C11D7/32 , H01L21/308
CPC classification number: G03F7/40 , B81B2203/0361 , B81C1/00111 , B81C1/00849 , H01L21/0206 , H01L21/02068
Abstract: 本发明提供一种用于抑制由多晶硅形成的微细结构体的图案倒塌的处理液以及使用该处理液的微细结构体的制造方法，所述处理液含有选自具有碳原子数12、碳原子数14和碳原子数16的烷基的吡啶鎓卤化物中的至少一种及水。
-
公开(公告)号：CN103098181A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201180043435.9
申请日：2011-07-14
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/308
CPC classification number: H01L21/0206 , B81C1/00825
Abstract: 本发明提供用于抑制微细结构体的图案倒塌的处理液，其为用于抑制由氧化硅形成的微细结构体的图案倒塌的处理液，含有选自具有氟烷基的卤化铵、具有氟烷基的甜菜碱化合物及具有氟烷基的氧化胺化合物中的至少一种和水。另外，本发明提供使用该处理液的由氧化硅形成的微细结构体的制造方法。
-
公开(公告)号：CN103098179A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201180043414.7
申请日：2011-07-14
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , B81C1/00 , C11D7/32 , H01L21/308
CPC classification number: G03F7/40 , B81B2203/0361 , B81C1/00111 , B81C1/00849 , H01L21/0206 , H01L21/02068
Abstract: 本发明提供一种用于抑制由多晶硅形成的微细结构体的图案倒塌的处理液以及使用该处理液的微细结构体的制造方法，所述处理液含有选自具有碳原子数12、碳原子数14和碳原子数16的烷基的吡啶鎓卤化物中的至少一种及水。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102640264A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201080047543.9
申请日：2010-10-19
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , B81C1/00
CPC classification number: H01L21/02057 , B81B2203/0109 , B81B2203/0361 , B81C1/00849 , H01L21/31111
Abstract: 一种用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液，以及使用该处理液的金属微细结构体的制造方法，所述处理液含有具有烃基且包含氧亚乙基结构的图案倒塌抑制剂，所述烃基包含可以一部分或全部被氟取代的烷基和烯基的任一种。
-
公开(公告)号：CN101632042B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200880008229.2
申请日：2008-03-06
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: G03F7/42 , H01L21/027 , H01L21/304 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/31133 , C11D3/3947 , C11D7/06 , C11D7/36 , C11D11/0047 , G03F7/423 , G03F7/425 , H01L21/02063
Abstract: 本发明提供一种洗涤用组合物，其是如下所述的半导体元件的洗涤用组合物：在具有低介电常数层间绝缘膜和铜布线或铜合金布线的基板上，依次叠层有机硅氧烷类薄膜和光致抗蚀层后，在该光致抗蚀层上实施选择性曝光/显影处理，形成光致抗蚀图案；接着，将该抗蚀图案作为掩模，在前述有机硅氧烷类薄膜和前述低介电常数层间绝缘膜上实施干蚀刻处理；然后除去前述有机硅氧烷类薄膜、在干蚀刻处理中产生的残渣、因干蚀刻处理而导致改性的改性光致抗蚀剂、以及位于前述改性光致抗蚀剂下层的未改性的光致抗蚀层。该洗涤用组合物含有15～20质量％的过氧化氢、0.0001～0.003质量％的氨基多亚甲基膦酸类、0.02～0.5质量％的氢氧化钾以及水，并且pH为7.5～8.5。此外，还提供一种使用该洗涤用组合物的半导体元件的制造方法。
-
公开(公告)号：CN100526450C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200410005492.X
申请日：2004-02-19
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
CPC classification number: H01L21/02063 , C11D3/0073 , C11D3/042 , C11D3/046 , C11D3/2075 , C11D3/2082 , C11D3/2086 , C11D3/30 , C11D3/3723 , C11D3/3947 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D11/0047
Abstract: 本发明提供了能在短时间内将半导体基板上的蚀刻残渣完全除去，且不会将铜配线材料和绝缘膜材料等氧化或腐蚀，而且安全且对环境压力小的洗涤液。本发明涉及(1)半导体基体用洗涤液，其特征在于：含有氧化剂、酸及氟化合物，添加碱性化合物使pH调整为3～10，且水的浓度为80重量%以上；(2)半导体基体用洗涤液，其特征在于：含有氧化剂、酸、氟化合物及腐蚀抑制剂，通过添加碱性化合物使pH调整为3～10，且水的浓度为80重量%以上；及实施了金属配线的半导体基体的洗涤方法，其特征在于：使用前述的洗涤液。
-
公开(公告)号：CN101199043A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200680021432.4
申请日：2006-06-22
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/308 , C23F1/16 , H01L21/28 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/32134 , C09K13/08 , C23F1/16 , C23F1/26 , H01L29/513 , H01L29/518
Abstract: 提供一种腐蚀剂组合物、以及使用该组合物的半导体装置的制备方法，其特征在于，所述组合物为制备包括高介电常数的绝缘材料、硅的氧化膜或氮化膜形成的绝缘材料、以及金属材料的半导体装置时，选择性地腐蚀金属材料时使用的腐蚀剂组合物；所述组合物为含有氟化合物、和作为官能基在分子结构中含有磷元素的含氧酸的螯合剂的水溶液，或者含有氟化物、作为官能基在分子结构中含有磷元素的含氧酸的螯合剂、以及无机酸和/或有机酸的水溶液。该组合物能够选择性地且高效地腐蚀金属材料。
-
公开(公告)号：CN1578932A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN02821688.1
申请日：2002-10-31
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: G03F7/42 , H01L21/027 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/02052 , G03F7/425 , H01L21/31133 , H01L21/31138
Abstract: 在本发明的抗蚀剂剥离方法中，在氧气比例为2％体积或更低的氛围中，使具有残留抗蚀剂层的布线基质与抗蚀剂剥离组合物接触。优选在用过氧化氢预处理残留的抗蚀剂层之后除去抗蚀剂。在本发明的抗蚀剂剥离方法中优选使用含胺化合物、溶剂、强碱和水的抗蚀剂剥离组合物。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
28
records
(took 0.028 seconds)
