公开(公告)号：CN109743882B

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN201780056129.6

申请日：2017-09-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 原田启行 ,  原田耕三 ,  盐田裕基 ,  山口义弘 ,  山田浩司

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/10 ,  H01L23/24 ,  H01L23/28 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L25/18 ,  H02M7/48

Abstract: 一种半导体装置，其特征在于，具备：绝缘基板(52)，在上表面和下表面具有导体层(51、53)，在上表面的导体层(51)搭载有半导体元件(4)；底板(1)，与下表面的导体层(53)接合；壳体部件(2)，包围绝缘基板(52)，被粘接于底板(1)的接合有下表面的导体层(53)的面；作为硅组合物的第一填充材料(9)，被填充于由底板(1)和壳体部件(2)包围的区域；以及作为比第一填充材料(9)硬的硅组合物的第二填充材料(10)，在区域内的第一填充材料(9)的下部包围绝缘基板(52)的周缘部，该第二填充材料被填充于从底板(1)起的高度比上表面高且比上表面的导体层(51)的与半导体元件(4)的接合面低的区域。

公开(公告)号：CN113841235A

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN201980096496.8

申请日：2019-05-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 原田耕三 ,  盐田裕基

IPC: H01L23/40 ,  H01L23/36 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 得到可靠性高的半导体模块以及使用该半导体模块的电力变换装置。半导体模块(100)具备散热构件(7)、半导体封装体(200)、连接构件(8)以及限制构件(9)。连接构件(8)将散热构件(7)与半导体封装体(200)连接。连接构件(8)包含树脂成分。限制构件(9)以包围连接构件(8)的方式被配置于主表面(7a)上。在与主表面(7a)垂直的方向上，限制构件(9)的顶部(9a)的位置与连接构件(8)的半导体封装体(200)侧的表面的外周部的位置相比远离主表面(7a)。

公开(公告)号：CN110531226B

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN201910415091.8

申请日：2019-05-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 上田哲也 ,  鲛岛一树 ,  盐田裕基

IPC: G01R31/12

Abstract: 本发明的目的在于提供适于低成本化的绝缘基板的检查方法和检查装置。其特征在于具备如下步骤：使下部电极(23)与绝缘基板(12)的下部金属(15)接触，使上部电极(22)与上部金属(13)接触，该绝缘基板(12)具有绝缘层(14)、与该绝缘层(14)的下表面相接的该下部金属(15)以及与该绝缘层(14)的上表面相接的该上部金属(13)；以及对该下部电极(23)和该上部电极(22)施加交流电压，对由该绝缘层(14)的缺陷产生的电磁波进行检测。

公开(公告)号：CN110531226A

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201910415091.8

申请日：2019-05-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 上田哲也 ,  鲛岛一树 ,  盐田裕基

IPC: G01R31/12

Abstract: 本发明的目的在于提供适于低成本化的绝缘基板的检查方法和检查装置。其特征在于具备如下步骤：使下部电极(23)与绝缘基板(12)的下部金属(15)接触，使上部电极(22)与上部金属(13)接触，该绝缘基板(12)具有绝缘层(14)、与该绝缘层(14)的下表面相接的该下部金属(15)以及与该绝缘层(14)的上表面相接的该上部金属(13)；以及对该下部电极(23)和该上部电极(22)施加交流电压，对由该绝缘层(14)的缺陷产生的电磁波进行检测。

公开(公告)号：CN104798194B

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201380060012.7

申请日：2013-12-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 盐田裕基 ,  山竹厚 ,  菅健一 ,  山口义弘 ,  上田哲也

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/36

CPC classification number: H01L23/3737 ,  H01L23/08 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/36 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/482 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49558 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49586 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/564 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00

Abstract: 得到散热性提高并且绝缘性提高的半导体器件。半导体器件具备：半导体元件(2)；引线框(4)，半导体元件(2)与该引线框的一个面接合；第1绝缘层(5)，配置于引线框(4)的另一个面；以及金属基体板(6)，隔着所述第1绝缘层(5)而与引线框(4)连接，其中，所述第1绝缘层的外周部比所述金属基体板的外周部靠内部，包括引线框(4)的外周部的电场集中部位的所述第1绝缘层(5)的外周部被具有比所述第1绝缘层(5)更高耐湿性和更高绝缘性的第2绝缘层(7)覆盖。

公开(公告)号：CN103250243B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201180058644.0

申请日：2011-12-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 盐田裕基 ,  冈诚次 ,  山口义弘

IPC: H01L23/34 ,  H01L23/36 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/49568 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/36 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/072 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明的目的在于得到一种散热性提高、并且绝缘性提高的半导体装置。具备半导体元件（1a）、与半导体元件（1a）连接的引线框架（4a）、隔着第1绝缘层（5）配置于引线框架（4a）的金属基体板（6）、以及在金属基体板（6）中的与配置了第1绝缘层（5）的面相反的一侧设置的第2绝缘层（7），第1绝缘层（5）是散热性比第2绝缘层（7）高的绝缘层，第2绝缘层（7）是其绝缘性与第1绝缘层（5）的绝缘性相同或者比第1绝缘层（5）的绝缘性高的绝缘层。

公开(公告)号：CN1240060A

公开(公告)日：1999-12-29

申请号：CN97180532.6

申请日：1997-12-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 泷川秀记 ,  美藤亘 ,  筑地真 ,  盐田裕基 ,  高田志郎 ,  浦川伸夫

IPC: H02K3/34 ,  H02K3/40

Abstract: 一种长期具有下述优良特性的回转电机定子线圈，即不降低定子线圈对地绝缘层的树脂浸渍性，使定子线圈对地绝缘层和定子铁芯槽之间保持有脱模性并能防止表面电晕放电的发生。回转电机定子线圈的导体周围被对地绝缘层和表面电晕放电防止层所覆盖，装配在定子铁芯槽后和该定子铁芯一起由热固化性浸渍树脂浸渍并固化而成为一体。上述表面电晕放电防止层由半导电性带和在半导电性带的单面配置了幅宽比该半导电性带窄的氟化物非粘接材料层的复合带缠卷而成，使得上述定子铁芯槽与对地绝缘层分别和上述带的半导电性面相接触，且上述非粘接材料层配置在半导电性带之间，在该非粘接材料层的幅宽方向上留有间隙。