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公开(公告)号：CN119114953A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411242192.7
申请日：2024-09-05
Abstract: 本发明实施例公开了超细电容级钽粉及其制备方法；方法包括步骤：S1、碱土/稀土金属氧化物或碱土/稀土金属碳酸盐，与氧化钽反应，生成钽复合氧化物；碱土/稀土金属氧化物包括MgO、CaO、Ce2O3、Y2O3、La2O3，碱土/稀土金属碳酸盐包括MgCO3、CaCO3、Ce2O3、Y2(CO3)3、La2(CO3)3；钽复合氧化物为BxTayOz，其中，B为Mg、Ca、Y、Ce或La；S2、钽复合氧化物与包含钽复合氧化物中金属元素的金属还原剂发生反应，得到副产物金属氧化物和钽粉；S3、副产物金属氧化物和钽粉经过酸性溶液洗涤而分离，除去金属氧化物，得到超细电容级钽粉；利用超细电容级钽粉可以制备性能优异的钽电容器，在电容器领域有良好应用前景。
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公开(公告)号：CN118344176A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410267577.2
申请日：2024-03-08
IPC: C04B38/06 , C04B35/457 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于电子陶瓷材料技术领域，公开了一种利用废靶制备氧化锡钽RPD靶材的方法，包括以下步骤：取TTO溅射废靶材，在稀盐酸中浸泡，洗涤，烘干；将烘干后的TTO溅射废靶材研磨成粉，过筛网，将过筛网的粉料进一步过细筛网，未过筛网的粉料为粗颗粒，过筛网的粉料为细颗粒；取粗颗粒、细颗粒与聚乙烯醇水溶液混合均匀，过筛网；将混合物料放入模具中，使用油压机压制成型，得到靶材素坯；用铝硅箔将得到的靶材素坯完全包覆，用真空封装机进行真空封装处理，然后冷等静压机压制；将得到的靶材素坯放入烧结炉中进行无压烧结，得到低密度多孔氧化锡钽RPD靶材。本发明以TTO溅射废靶材为原料制备氧化锡钽RPD靶材，可有效地减少资源的浪费。
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公开(公告)号：CN117963985A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410138702.X
申请日：2024-01-31
Abstract: 本发明提供了一种合成氯化钽和氯化铌方法及装置，涉及化合物制备技术领域，解决了现有目前采用碳作为反应物合成钽(铌)氯化物而使产物中碳含量超标的技术问题。该方法包括反应器内添加钽氧化物或者铌氧化物；在反应器中通入第一惰性气体；加热炉把反应器加热到第一预设温度；在反应器中持续通入氯气和一氧化碳，使反应器内持续化学反应；反应器内持续反应预定时间后，停止通入氯气和一氧化碳，启动加热炉把反应器加热到第二预设温度，并持续通入第一惰性气体，使第一惰性气体携带蒸馏成气态的钽氯化物或者铌氯化物进入到冷却收集区冷却收集。本发明采用一氧化碳气体作为反应物来制备钽(铌)氯化物，以降低产物中的碳含量。
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公开(公告)号：CN117904653A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410076042.7
申请日：2024-01-18
IPC: C25B11/02 , C25B1/01 , C25B1/50 , C25B9/17 , C25B11/052 , C25B11/077 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明实施例公开了熔盐介导的碳化锆管状阵列电极的制备方法，包括步骤：S1、以金属锆电极为阳极、含有硫酸铵和氟化铵的无机溶液为电解液、金属铂电极为阴极，形成第一电解体系；S2、第一电解体系进行第一电解，金属锆电极发生反应生成氧化锆管状阵列；其中，第一电解包括交替进行的电解过程和超声波清洗过程；S3、生成有氧化锆管状阵列的金属锆电极退火处理；S4、以退火处理后的金属锆电极为阴极、石墨电极为阳极，与共晶盐电解质形成第二电解体系；其中，共晶盐电解质包含LiCl和/或CaCl2、NaCl和/或KCl；S5、共晶盐电解质中通入二氧化碳为碳源，加入金属氧化物为碳捕获剂，进行熔盐电解，得到碳化锆管状阵列电极。
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公开(公告)号：CN116921666A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311067763.3
申请日：2023-08-23
Abstract: 本发明实施例公开的氢气同向扩散还原氧化钨制备单晶钨粉的方法，包括：在坩埚内的多孔板上铺设氧化钨原料层；所述坩埚被多孔板分为上部的物料仓和下部的气室，多孔板上均匀分布有孔径20～80μm的通孔；氢气供入坩埚下部的气室，经多孔板弥散后扩散进入物料仓内的氧化钨原料层；其中，氢气进入氧化钨原料层之前经过水浴处理，变为湿氢；氢气从氧化钨物料层的底部进入，与氧化钨物料层反应生成单晶钨粉，产生的水蒸气与氢气同向扩散，有利于控制单晶钨粉粒径的均一性；氢气经过水浴处理变为湿氢，带有一定湿度的氢气参与反应，能够调节反应体系中水蒸气分压，有利于对单晶钨粉颗粒粒径的控制，能够制备得到粒径为2～12μm的单晶钨粉颗粒。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119430867A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411700165.X
申请日：2024-11-26
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/638
Abstract: 本发明公开了高功函数金属氧化物靶材及其制备方法。该制备方法包括：将高功函数金属氧化物粉体、氧化铟粉体、氧化锌粉体按设定质量比混合为混合粉体；将混合粉体设置在去离子水中，并加入分散剂，调制成浆料；将浆料进行高能砂磨，且在砂磨结束前加入粘结剂；将浆料喷雾造粒，得到球形造粒粉；将球形造粒粉模压成型、冷等静压，得到靶材素坯；将靶材素坯进行脱脂烧结一体化处理，得到高功函数金属氧化物靶材。本发明实施例公开的高功函数金属氧化物靶材，晶粒尺寸小，分布均匀，靶材密度高，电学性能优良，可用于制备柔性OLED阳极层薄膜材料，简化器件结构，降本增效。
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公开(公告)号：CN119219053A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411329695.8
申请日：2024-09-24
Abstract: 本发明实施例公开了优分散性纳米氧化铟镓锌粉体的制备方法，包括：将氨水与碳酸氢铵溶液组成的沉淀剂滴加至反应物混合溶液中，搅拌反应物混合溶液进行第一次沉淀反应，温度为40～60℃，搅拌速度为300～500rpm/min，当pH值达到3.2～4.8时，停止滴加沉淀剂；温度为60～80℃、搅拌速度为500～700rpm/min下继续滴加沉淀剂进行第二次沉淀反应，至混合溶液pH值达到5.4～6.5；温度控制在60～80℃、搅拌速度控制在700～1000rpm/min下继续滴加沉淀剂进行第三次沉淀反应，当pH值达到7.8～8.3时，停止滴加沉淀剂；保持溶液的pH值在7.8～8.3进行第四次沉淀反应，持续搅拌2～4h直至无气泡产生；混合溶液进行老化处理，得到白色沉淀物；白色沉淀物进行烘干处理，得到前驱体粉体；前驱体粉体进行高温煅烧处理，得到优分散性的纳米氧化铟镓锌粉体。
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公开(公告)号：CN119143498A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411292424.X
申请日：2024-09-14
IPC: C04B35/457 , C04B35/622 , C04B35/64 , C23C14/34 , C23C14/08
Abstract: 本发明公开了一种高密度铟锡锌氧化物溅射靶材的制备方法，包括以下步骤：S1、将氧化铟粉末、氧化锡粉末和氧化锌粉末混合，得到混合粉体；然后将所得混合粉体与分散剂、粘结剂、去离子水混合，得到ITZO浆料；再对ITZO浆料依次进行球磨、砂磨，得到ITZO浆料分散体；S2、将所得ITZO浆料分散体进行压力注浆成型，干燥、脱脂，得到溅射靶材干素坯；S3、将溅射靶材干素坯采用台阶变温法烧结，得到铟锡锌氧化物溅射靶材。本发明制得的铟锡锌氧化物溅射靶材的致密度可达99.8％以上；其中，通过调控烧结工艺参数，可实现ITZO溅射靶材的晶粒可控，通过注浆成型法可制备大尺寸的溅射靶材素坯，且操作简便，节约成本。
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公开(公告)号：CN119098584A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411018228.3
申请日：2024-07-26
Abstract: 本发明涉及增材制造技术领域，具体涉及一种增材制造用硬质合金添加剂粉末及其制备方法和应用，由内含碳化物陶瓷、金属粘结剂以及游离态碳的致密球形颗粒组成，其中，碳化物陶瓷的占比为68.0‑92.0wt.％，金属粘结剂的占比为5.0‑30.0wt.％，游离态碳的占比需为1.0‑5.0wt.％；通过增材制造过程中与原料球形金属粉末混合后使用，调整成形件的物相组成，提升增材制造成形件的性能。
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公开(公告)号：CN118359429A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410293407.1
申请日：2024-03-14
IPC: C04B35/457 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B38/00 , C23C14/08 , C23C14/32
Abstract: 本发明属于无机材料制备技术领域，具体涉及低密度氧化镓掺杂氧化锡反应等离子体沉积靶材的制备方法。该方法先将SnO2、Ga2O3、分散剂和去离子水混合并进行一次球磨混合，然后烘干、粉碎、过筛并在1000～1500℃下进行1～10h煅烧，接着将得到的煅烧粉体、分散剂和去离子水混合球磨，然后加入粘结剂球磨得到浆料，接下来将浆料干燥、造粒，并进行二次压制，最后进行无压氧气氛阶段烧结，得氧化锡镓RPD靶材。本发明成功制备了RPD镀膜所需氧化锡镓靶材，其密度及组织可控。
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