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公开(公告)号：CN118344176A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410267577.2
申请日：2024-03-08
IPC: C04B38/06 , C04B35/457 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于电子陶瓷材料技术领域，公开了一种利用废靶制备氧化锡钽RPD靶材的方法，包括以下步骤：取TTO溅射废靶材，在稀盐酸中浸泡，洗涤，烘干；将烘干后的TTO溅射废靶材研磨成粉，过筛网，将过筛网的粉料进一步过细筛网，未过筛网的粉料为粗颗粒，过筛网的粉料为细颗粒；取粗颗粒、细颗粒与聚乙烯醇水溶液混合均匀，过筛网；将混合物料放入模具中，使用油压机压制成型，得到靶材素坯；用铝硅箔将得到的靶材素坯完全包覆，用真空封装机进行真空封装处理，然后冷等静压机压制；将得到的靶材素坯放入烧结炉中进行无压烧结，得到低密度多孔氧化锡钽RPD靶材。本发明以TTO溅射废靶材为原料制备氧化锡钽RPD靶材，可有效地减少资源的浪费。
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公开(公告)号：CN119638372A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411830534.7
申请日：2024-12-12
IPC: C04B35/01 , C23C14/08 , C23C14/32 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于靶材制备技术领域，公开了一种密度可控且均匀的氧化铟铈靶材的制备方法。通过（1）将氧化铟、氧化铈和聚丙烯酸铵加到去离子水中，经球磨，干燥和筛网，得粉体；（2）粉体经两段煅烧处理，得煅烧粉；（3）将煅烧粉与去离子水、粘结剂和分散剂混合，进行二次球磨，得浆料；（4）向浆料中加入消泡剂，通过喷雾造粒、模压成型得到RPD靶材素坯；（5）RPD靶材素坯通过冷等静压和煅烧后得到氧化铟铈靶材。通过控制粉体处理和烧结技术，制备出了密度可控的RPD靶材，密度可以根据实际需要控制在60‑85%之间。另外，在精准控制密度的同时，RPD靶材内部的晶粒尺寸也均匀分布，这对后续制备高性能的薄膜提供有利条件。RPD靶材沉积速率比较快，生产效率高，可以满足工业大规模生产的需求。
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公开(公告)号：CN119061364A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411184827.2
申请日：2024-08-27
Abstract: 本发明实施例公开了超细晶金属靶材及其制备方法；方法包括：获取金属锭材；将金属锭材进行快速旋锻处理，到设置温度时对金属锭材进行深冷处理，得到超细晶金属靶材；其中，快速旋锻处理包括：金属锭材在旋转台的带动下转动，转动过程中从金属锭材的上方、侧面施压锻造；其中，旋转台的旋转频率设置为0.2～20Hz，旋锻锤头的工作频率设置为100～240次/min，打击能量大于0.1kJ。旋锻工艺使金属锭材产生剧烈塑性形变，在适宜温度下进行快速深冷抑制动态再结晶过程的晶粒长大，得到了超细晶金属靶材；制备方法流程短，操作简单，成本低廉，成材率高，能够实现多种超细晶金属靶材的制备，在金属靶材制备领域有良好应用前景。
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公开(公告)号：CN119430867A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411700165.X
申请日：2024-11-26
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/638
Abstract: 本发明公开了高功函数金属氧化物靶材及其制备方法。该制备方法包括：将高功函数金属氧化物粉体、氧化铟粉体、氧化锌粉体按设定质量比混合为混合粉体；将混合粉体设置在去离子水中，并加入分散剂，调制成浆料；将浆料进行高能砂磨，且在砂磨结束前加入粘结剂；将浆料喷雾造粒，得到球形造粒粉；将球形造粒粉模压成型、冷等静压，得到靶材素坯；将靶材素坯进行脱脂烧结一体化处理，得到高功函数金属氧化物靶材。本发明实施例公开的高功函数金属氧化物靶材，晶粒尺寸小，分布均匀，靶材密度高，电学性能优良，可用于制备柔性OLED阳极层薄膜材料，简化器件结构，降本增效。
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公开(公告)号：CN119219053A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411329695.8
申请日：2024-09-24
Abstract: 本发明实施例公开了优分散性纳米氧化铟镓锌粉体的制备方法，包括：将氨水与碳酸氢铵溶液组成的沉淀剂滴加至反应物混合溶液中，搅拌反应物混合溶液进行第一次沉淀反应，温度为40～60℃，搅拌速度为300～500rpm/min，当pH值达到3.2～4.8时，停止滴加沉淀剂；温度为60～80℃、搅拌速度为500～700rpm/min下继续滴加沉淀剂进行第二次沉淀反应，至混合溶液pH值达到5.4～6.5；温度控制在60～80℃、搅拌速度控制在700～1000rpm/min下继续滴加沉淀剂进行第三次沉淀反应，当pH值达到7.8～8.3时，停止滴加沉淀剂；保持溶液的pH值在7.8～8.3进行第四次沉淀反应，持续搅拌2～4h直至无气泡产生；混合溶液进行老化处理，得到白色沉淀物；白色沉淀物进行烘干处理，得到前驱体粉体；前驱体粉体进行高温煅烧处理，得到优分散性的纳米氧化铟镓锌粉体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119143498A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411292424.X
申请日：2024-09-14
IPC: C04B35/457 , C04B35/622 , C04B35/64 , C23C14/34 , C23C14/08
Abstract: 本发明公开了一种高密度铟锡锌氧化物溅射靶材的制备方法，包括以下步骤：S1、将氧化铟粉末、氧化锡粉末和氧化锌粉末混合，得到混合粉体；然后将所得混合粉体与分散剂、粘结剂、去离子水混合，得到ITZO浆料；再对ITZO浆料依次进行球磨、砂磨，得到ITZO浆料分散体；S2、将所得ITZO浆料分散体进行压力注浆成型，干燥、脱脂，得到溅射靶材干素坯；S3、将溅射靶材干素坯采用台阶变温法烧结，得到铟锡锌氧化物溅射靶材。本发明制得的铟锡锌氧化物溅射靶材的致密度可达99.8％以上；其中，通过调控烧结工艺参数，可实现ITZO溅射靶材的晶粒可控，通过注浆成型法可制备大尺寸的溅射靶材素坯，且操作简便，节约成本。
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公开(公告)号：CN118359429A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410293407.1
申请日：2024-03-14
IPC: C04B35/457 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B38/00 , C23C14/08 , C23C14/32
Abstract: 本发明属于无机材料制备技术领域，具体涉及低密度氧化镓掺杂氧化锡反应等离子体沉积靶材的制备方法。该方法先将SnO2、Ga2O3、分散剂和去离子水混合并进行一次球磨混合，然后烘干、粉碎、过筛并在1000～1500℃下进行1～10h煅烧，接着将得到的煅烧粉体、分散剂和去离子水混合球磨，然后加入粘结剂球磨得到浆料，接下来将浆料干燥、造粒，并进行二次压制，最后进行无压氧气氛阶段烧结，得氧化锡镓RPD靶材。本发明成功制备了RPD镀膜所需氧化锡镓靶材，其密度及组织可控。
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公开(公告)号：CN118270829A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410409361.5
申请日：2024-04-07
IPC: C01G15/00
Abstract: 本发明属于半导体粉体制备技术领域，公开了一种棒状氧化镓及其制备方法，用以提出一种棒状纳米氧化镓的制备方法。本发明以尿素作为沉淀剂，通过将其加入到镓盐溶液中，经沉淀反应、室温老化后得到沉淀物，后经洗涤、离心、干燥、研磨和筛分后得到前驱体羟基氧化镓；然后经梯度升温、降温处理后得到棒状氧化镓。通过调控氧化镓的合成过程，使用一种节能、高效、不需高温高压、低成本的制备方法，获得棒状氧化镓材料，为工业生产氧化镓半导体器件提供一种棒状氧化镓粉末材料。
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公开(公告)号：CN116856010A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310857189.5
申请日：2023-07-13
Applicant: 郑州大学 , 中原关键金属实验室 , 西北稀有金属材料研究院宁夏有限公司
IPC: C25C3/02
Abstract: 本发明公开了一种废铍电化学回收的方法，技术方案是，先构建含铍氟化物或含铍氟氯化物熔盐体系，然后以废铍为阳极，在保护气气氛下进行电化学选择性溶解‑沉积，得到阴极产物，最后清除阴极产物的夹盐，得到高纯金属铍。相较于火法重熔等，本发明电化学反应回收的反应驱动力大，可断开废铍中的Be‑O等键能大的键，破除火法难重熔的难题，同时电化学回收控制精度高。本申请在熔盐体系中加入铍离子，并控制铍盐浓度，在电化学过程中保持铍离子浓度相对稳定，便于稳定电解，若初始无铍离子，则难以阴极沉积铍。本发明实现废铍再利用，既实现了废铍无害化，又实现了其资源化，产生了经济效益同时，弥补了我国铍资源的不足。
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公开(公告)号：CN115745574B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202211445828.9
申请日：2022-11-18
IPC: C23C14/34 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/64 , C23C14/08 , C23C14/35
Abstract: 本发明属于无机材料制备技术领域，涉及高致密无开裂细晶铟锡氧化物管状靶材的制备方法，包括如下步骤：以氧化铟、氧化锡为原料，加入纯水和分散剂，在球磨机中进行混合球磨后加入消泡剂，搅拌均匀，转入砂磨机中并加入粘结剂进行砂磨，得浆料；浆料用喷雾法制备造粒粉；将造粒粉填充入管状靶材模具中；采用冷等静压成型技术获得素坯；使用两步细晶烧结法对素坯进行烧结。本发明采用两步细晶烧结法得到的管状靶材致密度可以达到99.8%以上，晶粒尺寸小于5μm，有效解决了管状靶材高致密的同时晶粒不易控制的问题。
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