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公开(公告)号：CN119430867A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411700165.X
申请日：2024-11-26
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/638
Abstract: 本发明公开了高功函数金属氧化物靶材及其制备方法。该制备方法包括：将高功函数金属氧化物粉体、氧化铟粉体、氧化锌粉体按设定质量比混合为混合粉体；将混合粉体设置在去离子水中，并加入分散剂，调制成浆料；将浆料进行高能砂磨，且在砂磨结束前加入粘结剂；将浆料喷雾造粒，得到球形造粒粉；将球形造粒粉模压成型、冷等静压，得到靶材素坯；将靶材素坯进行脱脂烧结一体化处理，得到高功函数金属氧化物靶材。本发明实施例公开的高功函数金属氧化物靶材，晶粒尺寸小，分布均匀，靶材密度高，电学性能优良，可用于制备柔性OLED阳极层薄膜材料，简化器件结构，降本增效。
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公开(公告)号：CN119061364A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411184827.2
申请日：2024-08-27
Abstract: 本发明实施例公开了超细晶金属靶材及其制备方法；方法包括：获取金属锭材；将金属锭材进行快速旋锻处理，到设置温度时对金属锭材进行深冷处理，得到超细晶金属靶材；其中，快速旋锻处理包括：金属锭材在旋转台的带动下转动，转动过程中从金属锭材的上方、侧面施压锻造；其中，旋转台的旋转频率设置为0.2～20Hz，旋锻锤头的工作频率设置为100～240次/min，打击能量大于0.1kJ。旋锻工艺使金属锭材产生剧烈塑性形变，在适宜温度下进行快速深冷抑制动态再结晶过程的晶粒长大，得到了超细晶金属靶材；制备方法流程短，操作简单，成本低廉，成材率高，能够实现多种超细晶金属靶材的制备，在金属靶材制备领域有良好应用前景。
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公开(公告)号：CN118206374A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410056056.2
申请日：2024-01-15
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C23C14/35 , C23C14/08
Abstract: 本发明公开了用于节能玻璃领域的铯钨青铜陶瓷靶材及其制备方法。该制备方法包括：将铯钨青铜粉末预压制成型得到铯钨青铜初生坯；将铯钨青铜初生坯冷等静压得到铯钨青铜次生坯；将铯钨青铜次生坯在保护气氛下烧结得到铯钨青铜靶坯，铯钨青铜靶坯的平均粒径为1～15μm，致密度大于85％，纯度大于99.9％；将铯钨青铜靶坯机加工得到铯钨青铜陶瓷靶材。制备得到的铯钨青铜陶瓷靶材微观组织均匀、晶粒细小均匀、致密度高，成分均匀、纯度大于99.9％、满足后续磁控溅射镀膜的要求，成本低，且采用本发明实施例公开的铯钨青铜陶瓷靶材磁控溅射得到的铯钨青铜薄膜组织均匀，成分均匀，近红外光屏蔽效果好，可见光透过率高，使用寿命长。
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公开(公告)号：CN117819967A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410056045.4
申请日：2024-01-15
IPC: C04B35/495 , C23C14/35 , C23C14/08 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种用于制备近红外光屏蔽薄膜的铯钨青铜陶瓷靶材及其制备方法。该制备方法包括：称取设定量的铯钨青铜粉体；在热压模具中铺展一层石墨纸或喷涂一层氮化硼喷剂，然后再铺展一层防污染材料；将铯钨青铜粉体放入热压模具中压实，并对热压模具进行封口，放入热压烧结炉中预压制铯钨青铜粉体；调节参数，对铯钨青铜粉体进行热压烧结，得到铯钨青铜烧结坯体；将得到的铯钨青铜烧结坯体进行机加工处理，得到铯钨青铜陶瓷靶材。制备得到的铯钨青铜陶瓷靶材微观组织均匀、晶粒细小、致密度大于98％，成分均匀、纯度大于99.9％、满足后续磁控溅射镀膜的要求，成本低，磁控溅射得到的铯钨青铜薄膜近红外光屏蔽效果好，可见光透过率高，使用寿命长。
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公开(公告)号：CN117776680A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311826192.7
申请日：2023-12-28
IPC: C04B35/053 , C04B35/622 , C23C14/35 , C23C14/08
Abstract: 本发明实施例公开了透明氧化镁陶瓷靶材及其制备方法；制备方法包括步骤：S1、纳米氧化镁粉体进行喷雾造粒；S2、喷雾造粒得到的粉体在冷等静压下成型为靶材素坯；S3、靶材素坯在设定条件下烧结；S4、烧结后的靶材素坯进行梯度退火处理，得到透明氧化镁靶材。本发明实施例公开的透明氧化镁陶瓷靶材的制备方法，制备得到了相对密度在可达99.9％以上的透明氧化镁陶瓷靶材。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118256868A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410363410.6
申请日：2024-03-28
IPC: C23C14/08 , C04B35/453 , C04B35/622 , C23C14/35 , C23C14/54 , C30B29/22 , C30B23/00 , H01B5/14 , H01B13/00
Abstract: 本发明实施例公开了稀土掺杂AZO多晶薄膜材料及其制备方法；多晶薄膜材料由稀土、氧化铝对氧化锌进行共掺杂得到，其中，稀土的含量为0.1～5wt.％，氧化铝的含量为2wt.％，氧化锌的含量为93～98wt.％；多晶薄膜材料的厚度为50～500nm，可见光透过率为85～95％，电阻率为1×10‑4～9×10‑4Ω·cm；制备方法包括步骤：S1、稀土粉体、氧化铝粉体与氧化锌粉体混合，得到混合粉体；S2、混合粉体压制、烧结得到靶材；S3、以得到的靶材为溅射靶材，在衬底上沉积得到系统掺杂AZO多晶薄膜材料。AZO多晶薄膜材料性能优异，且稳定性好，可以媲美ITO材料，满足光伏电池、薄膜显示器等领域的应用要求；且制备方法简单，工艺参数易于调控，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN118699387A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410807099.X
申请日：2024-06-21
Applicant: 郑州大学
Abstract: 本发明公开了一种银包铜用亚微米铜粉的制备方法，包括：铜盐与分散剂溶解在去离子水中混合，分散剂附着在铜离子表面，铜离子转化为铜络合离子，得到铜络合离子溶液；向铜络合离子溶液中加入氢氧化钠溶液，调节pH值至7～12，搅拌10～60min，直至铜络合离子完全转化为Na2[Cu(OH)4]，得到蓝色透明溶液；以设定的滴加速度将还原剂滴加至蓝色透明溶液中，对蓝色透明溶液持续加热、搅拌20～120min，Na2[Cu(OH)4]被还原为铜，冷却至室温，得到铜粒子悬浮液；使用洗涤剂对铜粒子悬浮液进行多次抽滤、洗涤，干燥得到亚微米铜粉。本发明实施例制备得到的亚微米铜粉粒径分布均匀、分散性好、球形度高，有利于后续制备银包铜。
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公开(公告)号：CN116334763A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310243015.X
申请日：2023-03-14
Applicant: 郑州大学
Abstract: 本发明公开了一种铁基超导单晶的高温退火方法。将按照常规方法制备的铁基超导单晶，在充满惰性气体的手套箱中放入刚玉坩埚中，然后在铁基超导单晶上方铺设一层元素单质粉；接着在充满惰性气体的手套箱中将盛有物料的坩埚放入铁管中，将铁管两侧堵住，用点焊机进行封管；再将铁管放置在石英玻璃管中，用真空封管机将石英玻璃管进行真空封管；封好的石英玻璃管放入马弗炉中进行退火处理，退火后冷却取出，得到退火后的铁基超导单晶。本发明能够有效减少高温退火造成的元素损失，避免了退火过程中O2、N2、NO、NO2、CO、CO2和其它杂质气体在高温下对超导带材性能的不利影响，并且操作步骤简单，易于实施。
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公开(公告)号：CN115572877B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211221117.3
申请日：2022-10-08
Applicant: 郑州大学
Abstract: 本发明公开了一种钼铌或钼钽合金的制备方法。称取钼粉和铌粉或者钼粉和钽粉装入球磨罐中，并加入纳米炭黑或含碳有机物，在氩气气氛下进行球磨处理，球磨后得到混合粉末原料；所得混合粉末原料在压力为100～300MPa条件下进行模压或冷等静压成型，得到生坯；所得生坯在真空条件下进行分段烧结，烧结后得到具有良好热成形性能的钼铌合金或钼钽合金。本发明技术方案采用普通粉末冶金技术制备钼铌合金或钼钽合金，比熔炼法制备合金的晶粒小，比热压或热等静压技术采用的设备简单，生产成本低，所制备钼铌合金或钼钽合金的热成形性能好。
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公开(公告)号：CN115572877A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211221117.3
申请日：2022-10-08
Applicant: 郑州大学
Abstract: 本发明公开了一种钼铌或钼钽合金的制备方法。称取钼粉和铌粉或者钼粉和钽粉装入球磨罐中，并加入纳米炭黑或含碳有机物，在氩气气氛下进行球磨处理，球磨后得到混合粉末原料；所得混合粉末原料在压力为100～300MPa条件下进行模压或冷等静压成型，得到生坯；所得生坯在真空条件下进行分段烧结，烧结后得到具有良好热成形性能的钼铌合金或钼钽合金。本发明技术方案采用普通粉末冶金技术制备钼铌合金或钼钽合金，比熔炼法制备合金的晶粒小，比热压或热等静压技术采用的设备简单，生产成本低，所制备钼铌合金或钼钽合金的热成形性能好。
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