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公开(公告)号：CN114334702A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011061636.9
申请日：2020-09-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本申请涉及半导体衬底的处理装置，具体包括：处理室；衬底支承件；向所述处理室供给处理气体的处理气体供给系统，所述处理气体供给系统包括沿垂直方向延伸的管嘴，且所述管嘴上沿垂直方向上至少开设有两列气体喷嘴。本申请通过开设两列气体喷嘴，可以有效改善气体喷洒的均匀性，从而保证被处理衬底表面都能被处理气体均匀喷洒覆盖，从而保证扩散等衬底处理的效果。
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公开(公告)号：CN114308947A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011061643.9
申请日：2020-09-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: B08B9/093 , B08B9/08 , C01B33/035
Abstract: 本发明属于多晶硅生产技术领域，具体涉及一种多晶硅生产设备的清洗方法、清洗装置及多晶硅生产设备。本申请中的清洗方法包括以下步骤：排出多晶硅生产设备内的剩余气体，向多晶硅生产设备内通入刻蚀气体，使刻蚀气体与附着在多晶硅生产设备的部分内壁面的硅薄膜相反应，获取部分内壁面的反应温度，根据部分内壁面的反应温度不再变化，确定附着在多晶硅生产设备的部分内壁面的硅薄膜完全清除，停止向多晶硅生产设备内通入刻蚀气体。根据本申请中的多晶硅生产设备的清洗方法，能够有效的将附着在生产设备的内壁面的硅薄膜完全清除，保证多晶硅生产设备工作的可靠性。
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公开(公告)号：CN111900161A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010596845.7
申请日：2020-06-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本申请公开了一种半导体器件及其金属硅化物分离结构的制造方法，包括：提供一包括第一NMOS器件区和PMOS器件区的半导体衬底；在PMOS器件区上形成第一阻挡层，以露出第一NMOS器件区；在露出的第一NMOS器件区的表面形成第一金属硅化物层；在第一NMOS器件区上形成第二阻挡层，以露出PMOS器件区；在露出的PMOS器件区的表面形成第二金属硅化物层。通过使用两次阻挡层，选择性的分离NMOS器件区和PMOS器件区，使得能够在第一NMOS器件区和PMOS器件区的表面形成具备不同的表面电阻的金属硅化物结构。
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公开(公告)号：CN111509036A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010369832.6
申请日：2020-04-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/51 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种匹配氮化镓材料的低界面态复合介质结构及制备方法，属于半导体技术领域，用于解决现有技术中介质与(Al,In)GaN材料之间居高不下的界面态问题。本发明低界面态复合介质结构，包括：(Al,In)GaN基板、Si2N2O层和位于(Al,In)GaN基板与Si2N2O层之间的Ga2O3层；(Al,In)GaN为GaN、Al1-mGamN、In1-mGamN或AlnIn1-m-nGamN，0＜m≤1，0≤n＜1。本发明有效降低界面态密度，有利于解决长期困扰III族氮化物(III-N)体系的界面态问题，推动III-N电子器件的规模化和实用化。
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公开(公告)号：CN111430226A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010281348.8
申请日：2020-04-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/324 , H01L21/02 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L49/02
Abstract: 本发明涉及一种多晶硅的沉积方法及其应用。一种多晶硅的沉积方法，包括下列步骤：在半导体载体沉积多晶硅膜，然后离子注入，再进行退火处理；其中，所述离子注入采用的离子为硅离子或金属离子。本发明可以在较低的温度下消除硅沉积时产生的缝隙或孔洞，从而减少后续工艺可能发生的缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109143465A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811023015.4
申请日：2018-09-03
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种光学波导器的形成方法，在衬底上形成二氧化硅下包层，在所述下包层上生长Si3N4芯层；生长所述芯层的方法采用多次沉积工艺，每一所述沉积工艺包括：从第一温度上升至第二温度；在所述第二温度下进行Si3N4的沉积，从所述第二温度下降至第三温度；所述第三温度作为下一沉积工艺的第一温度；下一沉积工艺重复上一沉积工艺，经过多次沉积工艺后Si3N4厚度达到预期设定厚度的芯层，并进行芯层的图案化；形成包裹所述芯层的二氧化硅上包层。该方法利用多次升降温沉积Si3N4芯层，可以在每一次沉积过程中释放掉Si3N4芯层中的应力，避免由于芯层厚度增加应力变大产生裂痕，从而可以生成质量较好、需要厚度的Si3N4芯层，提高光学波导器的性能。
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公开(公告)号：CN103579375B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310580966.2
申请日：2013-11-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/47 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种SiC肖特基二极管及其制作方法，该SiC肖特基二极管包括N++?SiC衬底和N??SiC外延层，N??SiC外延层形成于N++?SiC衬底之上，且N++?SiC衬底背面设有N型欧姆接触电极，N??SiC外延层表面设有肖特基接触电极，肖特基接触电极之下有选择性P+?SiC区域环，P+?SiC区域环之下有与P+?SiC区域环对应的N+?SiC区域环，作为雪崩击穿时的保护环；肖特基接触电极的外围设有多个P+?SiC保护环，作为该二极管器件的终端保护结构；在肖特基接触电极边缘设有SiO2钝化层，在SiO2钝化层上方设有场板。本发明使得SiC肖特基二极管的导通电压与Si肖特基二极管的导通电压相近，不仅与原有采用Si器件的系统匹配良好，而且可应用于Si肖特基器件所不能达到的高压600V?1200V的开关电源和功率因数校正电路中。
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公开(公告)号：CN103560078B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310570937.8
申请日：2013-11-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/04 , H01L21/266
Abstract: 本发明公开了一种精确控制碳化硅高温离子注入掩模陡直性的方法，包括：清洗碳化硅外延衬底；在碳化硅外延衬底表面生长足以抵挡高温高能量离子注入的高温离子注入掩蔽层；在高温离子注入掩蔽层上生长用于控制刻蚀工艺的刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层上涂敷光刻胶，采用光刻显影技术在刻蚀阻挡层表面形成选择性高温离子区域窗口；从选择性高温离子区域窗口依次对刻蚀阻挡层和高温离子注入掩蔽层进行刻蚀直至碳化硅外延衬底的表面；去除光刻胶及剩余的刻蚀阻挡层，得到侧壁光滑、陡直、可控的厚介质离子注入掩蔽层。本发明精确的对刻蚀面进行角度控制，得到侧壁光滑、陡直的厚介质离子注入掩蔽层，保证了选择性离子注入区域内的均一性良好、可控性强。
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公开(公告)号：CN103575075A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201210260896.8
申请日：2012-07-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 一种硅片甩干系统，所述系统包括甩干桶、甩干桶内用于固定第一片架的甩干支架，其中所述第一片架用于盛放具有第一尺寸的硅片，所述甩干桶内设置有硅片固定装置，所述硅片固定装置与所述具有第一尺寸的硅片在置于第一片架中时裸露出来的边缘接触于一点以将置于所述甩干桶内的所述第一片架中的所述具有第一尺寸的硅片固定住，防止所述具有第一尺寸的硅片在置于第一片架中时滑出。相对于现有技术中固定部件至少有两点与硅片接触的甩干系统，本发明实施例的甩干系统大大减少了在甩干过程中硅片的玷污面积，进而提高了硅片的清洁度。
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公开(公告)号：CN118224864A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410390195.9
申请日：2024-04-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: F27B9/30 , C30B31/18 , C30B31/10 , C30B31/14 , C30B31/00 , H01L21/68 , H01L21/67 , H01L21/22 , G01C15/00
Abstract: 本发明公开一种扩散炉支撑桨的校准方法和扩散炉，涉及半导体制备技术领域，用于提升支撑桨的校准效率和精准性。校准方法包括在支撑桨上设置多个定位点，多个定位点形成至少两条相互平行的定位线，定位线平行于支撑桨的支撑面，两条定位线关于支撑桨的平行于支撑桨长度方向的中垂面对称设置；在定位线平行于水平面时，在炉体的一端内壁上设置与定位线相对应的目标点，两个目标点关于炉体的竖直方向的轴截面对称设置；将支撑桨放入炉体内，使得两条定位线的延长线经过对应的目标点。扩散炉包括支撑桨、炉体、石英舟、传输机构和校准件，支撑桨上设置有多个定位点，炉体上设置有与定位线相对应的目标点。校准件用于校准定位线与目标点是否共线。
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