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公开(公告)号：CN111627999A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010115774.4
申请日：2020-02-25
Applicant: 丰田自动车株式会社 , 国立大学法人京都工芸纤维大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/04 , H01L29/423 , H01L21/34 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本发明抑制在具有上表面由(010)晶面构成的氧化镓基板的开关元件中的裂纹。本发明提供一种开关元件，其具有：氧化镓基板，其由氧化镓晶体构成；以及多个栅极，其隔着栅极绝缘膜与所述氧化镓基板相对。所述氧化镓基板的上表面与所述氧化镓晶体的(010)晶面平行。当俯视观察所述氧化镓基板的所述上表面时，各个所述栅极的长度方向与所述氧化镓晶体的(100)晶面延伸的方向相交。
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公开(公告)号：CN111304627A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201911253610.1
申请日：2019-12-09
Applicant: 丰田自动车株式会社 , 国立大学法人京都工芸纤维大学
Abstract: 本发明抑制在成膜装置中生长的膜中混入意料不到的杂质。本发明提供一种成膜装置，其通过向基体的表面供给溶液的喷雾而使膜在所述基体的所述表面生长，该成膜装置具有：加热炉，其收容并加热所述基体；以及喷雾供给装置，其向所述加热炉供给所述溶液的所述喷雾。所述成膜装置中的暴露在所述喷雾中的部分的至少其中一部分由含有氮化硼的材料制成。
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公开(公告)号：CN110622320A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201880019440.8
申请日：2018-01-26
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 半导体装置具备：半导体基板，具有上表面和下表面；上表面电极，设置在半导体基板的上表面；及下表面电极，设置在半导体基板的下表面。在俯视观察时，半导体基板具有包含半导体基板的中心的第一范围和位于第一范围与半导体基板的外周缘之间的第二范围。在第一范围和第二范围分别设置内置有体二极管的MOSFET结构。MOSFET结构在第一范围与第二范围之间互不相同，以使相对于相同电流密度的体二极管的正向电压在第一范围中比在第二范围中高。
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公开(公告)号：CN110189981A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910114298.1
申请日：2019-02-14
Applicant: 丰田自动车株式会社 , 国立大学法人京都工艺纤维大学
Abstract: 公开一种成膜方法和制造半导体器件的方法。一种在基体上形成掺杂氟的氧化镓膜的成膜方法，包括：在加热所述基体的同时，将溶解有镓化合物和氟化合物的溶液的雾供给到所述基体的表面。在该成膜方法中，掺杂氟的氧化镓膜在所述基体的表面上生成。在该成膜方法中，掺杂氟的氧化镓膜能够在所述基体的表面上适当地形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107004725B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201580068085.X
申请日：2015-10-19
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/47
CPC classification number: H01L29/0623 , H01L21/0465 , H01L21/761 , H01L29/0619 , H01L29/0692 , H01L29/1608 , H01L29/6606 , H01L29/872
Abstract: SBD具备与阳极电极接触的p型接触区和与阳极电极肖特基接触的n型漂移区。p型接触区具备：第一p型区域，其具有角部；第二p型区域，其与角部连接；边缘填充部，其被配置在第一p型区域与第二p型区域的连接部处。在将第一p型区域的轮廓的向连接部侧延长的延长线设为第一延长线，并将第二p型区域的轮廓的向所述连接部侧延长的延长线设为第二延长线时，第一延长线与第二延长线以锐角交叉。边缘填充部填充被形成在第一延长线与第二延长线之间的锐角边缘。
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公开(公告)号：CN108470775A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810150819.4
申请日：2018-02-13
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 永冈达司
IPC: H01L29/872 , H01L29/40 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包括如下工序：在半导体基板的上表面形成肖特基电极；对第二范围进行蚀刻，以使得半导体基板的上表面在第一范围中比在第二范围中高，且在第一范围与第二范围之间形成立起面，且肖特基电极的外周缘位于第一范围上；形成绝缘膜，该绝缘膜在半导体基板的上表面上沿着立起面呈环状延伸，该绝缘膜的内周缘位于肖特基电极上且该绝缘膜的外周缘位于第二范围上；及形成场板电极，该场板电极与肖特基电极电连接，在从肖特基电极的外周缘经由立起面到达第二范围的范围内隔着绝缘膜与半导体基板的上表面对向。
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公开(公告)号：CN107968115A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201710970668.2
申请日：2017-10-18
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: H01L29/063 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/7804 , H01L29/7806 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/872 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，该半导体装置具备：半导体基板，在位于FET区域与二极管区域之间的分界区域、位于二极管区域与周边耐压区域之间的分界区域以及位于FET区域与周边耐压区域之间的分界区域中的至少一个分界区域的位置处在表面形成有沟槽；绝缘膜，覆盖所述沟槽的内面；以及电极膜，覆盖所述绝缘膜的内面，且与源电极及阳极电极中的任一个导通。
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公开(公告)号：CN107112360A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580061372.8
申请日：2015-08-03
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 半导体装置(1)具备：在表面形成有沟槽(30)的半导体基板(10)；覆盖沟槽(30)的内表面的栅极绝缘膜(51)；及配置在沟槽(30)的内部并通过栅极绝缘膜(51)而与半导体基板(10)绝缘的栅极电极(52)。半导体基板(10)具备：与覆盖沟槽(30)的两侧面的栅极绝缘膜(51)相接的n型的源极区域(11)；形成在源极区域(11)的下方并与覆盖沟槽(30)的两侧面的栅极绝缘膜(51)相接的p型的基极区域(12)；及形成在基极区域(12)的下方并与覆盖沟槽(30)的两侧面(31、32)和底面(40)的栅极绝缘膜(51)相接的n型的漂移区域(15)。沟槽(30)的底面(40)以在短边方向上中心部(43)比周缘部(44)向上突出的方式形成。覆盖周缘部(44)的栅极绝缘膜(51)的厚度比覆盖中心部(43)的栅极绝缘膜(51)的厚度厚。
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公开(公告)号：CN102376759A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110251267.4
申请日：2011-08-16
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/30 , H01L21/263
CPC classification number: H01L29/8611 , H01L21/263 , H01L21/26506 , H01L21/26513 , H01L21/266 , H01L29/063 , H01L29/0834 , H01L29/32 , H01L29/7397
Abstract: 在此公开了一种半导体装置，特别是公开了一种具有IGBT区和二极管区的半导体装置，其中IGBT结构设置在IGBT区中并且二极管结构设置在二极管区中，所述IGBT区和所述二极管区都位于同一个衬底内，并且所述IGBT区与所述二极管区相邻。在这种类型的半导体装置中，当IGBT结构被关断时会发生积聚在IGBT区内的载流子流入二极管区的现象。为防止这种现象，缩短载流子寿命的区域至少设置在所述IGBT区内的与所述二极管区相邻的分区中。在所述分区中，省略了IGBT结构的发射极。
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