公开(公告)号：CN106575668A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580045037.9

申请日：2015-06-23

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 添野明高

IPC: H01L29/41 ,  H01L21/28 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

Abstract: 一种半导体装置，具有：半导体基板，其在表面上形成有沟槽；沟槽电极，其被配置在所述沟槽内；层间绝缘膜，其对所述沟槽电极的表面进行覆盖，并从所述半导体基板的所述表面突出；肖特基电极，其被配置在所述半导体基板的所述表面上，并被配置在从所述层间绝缘膜离开了的位置处，且相对于所述半导体基板而肖特基接触；埋入电极，其被配置在所述层间绝缘膜与所述肖特基电极之间的凹部内，并由与所述肖特基电极不同的金属而构成；表面电极，其对所述层间绝缘膜、所述埋入电极以及所述肖特基电极进行覆盖。

公开(公告)号：CN106537602A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201580039069.8

申请日：2015-06-03

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 添野明高 ,  青井佐智子 ,  宫原真一朗

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66734

Abstract: 实现具有与底部绝缘层的下端部相接的p型区域的开关元件的高耐压特性。具有配置于沟槽部绝缘层(20)靠表面侧的位置的栅极电极(24)的开关元件。半导体基板(12)具有与栅极绝缘膜(22)相接的第一n型区域(30)、与栅极绝缘膜(22)相接的第一p型区域(32)、与底部绝缘层(20)的端部相接的第二p型区域(34)、以及使第二p型区域(34)与第一p型区域(32)分离的第二n型区域(36)。从第一p型区域(32)的背面侧端部到第二p型区域(34)的表面侧端部为止的距离A与从底部绝缘层(20)的背面侧端部到第二p型区域(34)的背面侧端部为止的距离B满足A＜4B的关系。(18)内的底部的底部绝缘层(20)和配置于比底

公开(公告)号：CN105981173A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201480075197.3

申请日：2014-10-06

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 高谷秀史 ,  斋藤顺 ,  添野明高 ,  滨田公守 ,  水野祥司 ,  青井佐智子 ,  渡辺行彦

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种半导体装置，具有：终端沟槽，其围绕形成有多个栅极沟槽的区域的周围一周；下端p型区，其为p型，并与终端沟槽的下端相接；外周p型区，其为p型，并从外周侧与终端沟槽相接，且露出于半导体基板的表面；多个保护环区，其为p型，并被形成在与外周p型区相比靠外周侧，且露出于半导体基板的表面；外周n型区，其为n型，并使外周p型区与多个保护环区分离，且使多个保护环区相互分离。

公开(公告)号：CN102822968B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201080065840.6

申请日：2010-04-02

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 岩崎真也 ,  添野明高

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种二极管区和绝缘栅双极性晶体管区被形成在同一半导体基板上的半导体装置，在半导体基板的背面侧，于二极管区的第二导电型的阴极区、和绝缘栅双极性晶体管区的第一导电型的集电区之间，设置有低浓度区。低浓度区具有第一低浓度区和第二低浓度区中的至少某一方，所述第一低浓度区为第一导电型，且与集电区相比第一导电型的杂质浓度较低，所述第二低浓度区为第二导电型，且与阴极区相比第二导电型的杂质浓度较低。

公开(公告)号：CN102376759B

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201110251267.4

申请日：2011-08-16

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 小山雅纪 ,  大仓康嗣 ,  添野明高 ,  永冈达司 ,  杉山隆英 ,  青井佐智子 ,  井口纮子

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/30 ,  H01L21/263

CPC classification number: H01L29/8611 ,  H01L21/263 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7397

Abstract: 在此公开了一种半导体装置，特别是公开了一种具有IGBT区和二极管区的半导体装置，其中IGBT结构设置在IGBT区中并且二极管结构设置在二极管区中，所述IGBT区和所述二极管区都位于同一个衬底内，并且所述IGBT区与所述二极管区相邻。在这种类型的半导体装置中，当IGBT结构被关断时会发生积聚在IGBT区内的载流子流入二极管区的现象。为防止这种现象，缩短载流子寿命的区域至少设置在所述IGBT区内的与所述二极管区相邻的分区中。在所述分区中，省略了IGBT结构的发射极。

公开(公告)号：CN103392224A

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201180068316.9

申请日：2011-06-08

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 添野明高

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/322 ,  H01L27/04 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/32 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，本说明书所公开的半导体装置具有：第一导电型的漂移层，其被形成于半导体基板上；第二导电型的体层，其位于漂移层的表面侧，并被形成于半导体基板的表面上。漂移层具有寿命控制区，在寿命控制区中，在将于半导体基板的深度方向上发生变化的漂移层的晶体缺陷密度的极大值设为h时，晶体缺陷密度为h／2以上。寿命控制区通过向第一导电型的前漂移层照射带电粒子而形成，其中，所述第一导电型的前漂移层包括第一电阻层、和与第一电阻层相比电阻率较低的第二电阻层，寿命控制区的至少一部分被形成于第二电阻层的范围内。

公开(公告)号：CN101946324A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200980104979.4

申请日：2009-02-02

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 添野明高 ,  斋藤顺

IPC: H01L29/739 ,  H03K17/0812

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0834 ,  H03K17/08128 ,  H03K17/567 ,  H03K2217/0036 ,  H03K2217/0045

Abstract: 提供一种在IGBT元件区与二极管元件区利用具有共同杂质浓度的体区的反向导通半导体元件中，能够调节二极管元件区的空穴或者电子的注入效率的技术。当在利用NPNP型的IGBT的反向导通半导体元件(20)中流有回流电流(110)时，向二极管元件区(24)的第2沟槽栅电极(46)施加高于发射极(32)的电压的第2电压。在第2沟槽栅电极(46)的周围形成有n型的反转层(56)，从而电子(58)流过作为相同的n型杂质区的第1体接触区(35)和漂移区(38)。回流电流(110)中的电子(58)的注入效率增加，而空穴(54)的注入效率降低。由此，能够防止反向恢复电流增大，并能够减少在二极管元件区(24)中所产生的开关损耗。

公开(公告)号：CN106575668B

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201580045037.9

申请日：2015-06-23

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 添野明高

IPC: H01L29/41 ,  H01L21/28 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

Abstract: 一种半导体装置，具有：半导体基板，其在表面上形成有沟槽；沟槽电极，其被配置在所述沟槽内；层间绝缘膜，其对所述沟槽电极的表面进行覆盖，并从所述半导体基板的所述表面突出；肖特基电极，其被配置在所述半导体基板的所述表面上，并被配置在从所述层间绝缘膜离开了的位置处，且相对于所述半导体基板而肖特基接触；埋入电极，其被配置在所述层间绝缘膜与所述肖特基电极之间的凹部内，并由与所述肖特基电极不同的金属而构成；表面电极，其对所述层间绝缘膜、所述埋入电极以及所述肖特基电极进行覆盖。

公开(公告)号：CN105593996B

公开(公告)日：2019-01-08

申请号：CN201480054234.2

申请日：2014-09-15

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 铃木巨裕 ,  青井佐智子 ,  渡边行彦 ,  添野明高 ,  小西正树

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: 碳化硅半导体装置，具有衬底(1)、漂移层(2)、电流分散层(3)、基体区域(4)、源区(5)、沟槽(7)、栅绝缘膜(8)、栅电极(9)、源电极(12)、漏电极(14)和底层(10)。上述电流分散层形成在上述漂移层之上，并且，与上述漂移层相比第1导电型杂质浓度较高。上述底层具有第2导电型，配置在比上述基体区域靠下方，将上述沟槽的底部的角部包含在内而覆盖上述沟槽的底部，并被设置为上述电流分散层以上的深度。

公开(公告)号：CN107180863A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201710138551.8

申请日：2017-03-09

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 添野明高 ,  久野敬史

IPC: H01L29/739

Abstract: 本发明涉及一种开关元件，其实现电极的裂纹的抑制和开关元件的导通电阻的降低。在开关元件中，半导体基板具有第一元件范围和无效范围，第一元件范围具备栅极用的第一沟槽，无效范围不具备第一沟槽。在覆盖半导体基板的上表面的层间绝缘膜上，于第一元件范围内设置有接触孔，于无效范围内设置有宽幅接触孔。第一金属层在接触孔和宽幅接触孔内与半导体基板相接。在第一金属层的表面上，于接触孔的上部设置有第一凹部，于宽幅接触孔的上部设置有第二凹部。绝缘保护膜对第二凹部的底面的外周侧的部分进行覆盖。在绝缘保护膜的包含第一元件范围在内的范围内所设置的开口的侧面被配置于第二凹部内。第二金属层在开口内与第一金属层和开口的侧面相接。