公开(公告)号：CN104919594B

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201480004973.0

申请日：2014-01-09

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 青井佐智子 ,  渡辺行彦 ,  铃木克己 ,  水野祥司

IPC: H01L29/66

CPC classification number: H01L29/66348 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0869 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括:在漂移层的第一区域中形成第一沟槽,该漂移层具有包括第一区域和第二区域的表面；在形成第一沟槽之后,在漂移层的表面上生长p型基极层的晶体；以及在基极层的表面上生长n型源极层的晶体。漂移层的材料、基极层的材料和源极层的材料是宽带隙半导体。

公开(公告)号：CN106415843A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201480069430.7

申请日：2014-12-22

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 青井佐智子 ,  渡辺行彦 ,  铃木克己 ,  铃木巨裕

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/16

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/063 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明所要解决的问题是提高半导体装置2的外围区6的耐压。在半导体基板的表面上的位置处在外围区6中形成有resurf层32和保护环30。保护环30比resurf层32形成得更深，当保护环30较浅且resurf层32的杂质浓度低时，resurf层32的深部的电位分布变得不稳定,因此resurf层32不能充分地显现出提高耐压的效果。当保护环30深时，保护环30的杂质浓度高，resurf层32的深部处的电位分布由保护环调节，并且resurf层32充分地显现出提高耐压的效果。

公开(公告)号：CN107996003A

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201680033066.8

申请日：2016-06-03

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 高谷秀史 ,  水野祥司 ,  渡辺行彦 ,  青井佐智子

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种制造绝缘栅开关器件的方法。所述方法包括：在第一SiC半导体层的表面中形成第一沟槽；将p型杂质注入到所述第一沟槽的底表面中；在所述第一沟槽的内表面上沉积第二SiC半导体层以形成第二沟槽；以及形成栅极绝缘层、栅电极、第一区域和体区域，使得栅极绝缘层覆盖第二沟槽的内表面，栅电极位于第二沟槽中，第一区域为n型并与栅极绝缘层接触，体区域为p型，与注入区域分离，并且在第一区域下方与栅极绝缘层接触。

公开(公告)号：CN107996003B

公开(公告)日：2020-02-04

申请号：CN201680033066.8

申请日：2016-06-03

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 高谷秀史 ,  水野祥司 ,  渡辺行彦 ,  青井佐智子

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种制造绝缘栅开关器件的方法。所述方法包括：在第一SiC半导体层的表面中形成第一沟槽；将p型杂质注入到所述第一沟槽的底表面中；在所述第一沟槽的内表面上沉积第二SiC半导体层以形成第二沟槽；以及形成栅极绝缘层、栅电极、第一区域和体区域，使得栅极绝缘层覆盖第二沟槽的内表面，栅电极位于第二沟槽中，第一区域为n型并与栅极绝缘层接触，体区域为p型，与注入区域分离，并且在第一区域下方与栅极绝缘层接触。

公开(公告)号：CN103975440A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201280060472.5

申请日：2012-12-06

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 添野明高 ,  山本敏雅 ,  渡辺行彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/512 ,  H01L29/513

Abstract: 一种垂直MOSFET，其包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括漏极层、漂移层、主体层和源极层；以及沟槽栅极，其从所述半导体衬底的上表面穿透所述源极层和所述主体层并且到达所述漂移层。所述沟槽栅极包括栅电极；第一绝缘膜，其布置于形成在所述半导体衬底中的沟槽的底表面上；第二绝缘膜，其至少布置在所述沟槽的侧表面上，并且与所述主体层接触；以及第三绝缘膜，其布置在所述栅电极和所述第二绝缘膜之间，并且由介电常数比所述第二绝缘膜的介电常数高的材料形成。

公开(公告)号：CN103890954A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280051533.1

申请日：2012-10-17

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 高谷秀史 ,  松木英夫 ,  铃木巨裕 ,  石川刚 ,  副岛成雅 ,  渡辺行彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L29/4236 ,  H01L21/047 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/823487 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827

Abstract: 一种半导体装置，其具有半导体衬底，所述半导体衬底包括：体区域；漂移区；沟槽，其从所述半导体衬底的表面延伸穿过所述体区域进入所述漂移区；以及源极区域，所述源极区域被定位为在暴露于所述半导体衬底的所述表面的范围内与所述沟槽邻接，所述源极区域通过所述体区域而与所述漂移区隔离。特定层配置在所述沟槽的底部上，并且它具有在所述特定层与所述漂移区之间的接合部分处形成耗尽层的特性。绝缘层覆盖所述特定层的上表面和所述沟槽的侧壁。导电部形成在所述沟槽的所述侧壁的一部分上。所述导电部被接合至所述特定层，且到达所述半导体衬底的所述表面。

公开(公告)号：CN103890954B

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201280051533.1

申请日：2012-10-17

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 高谷秀史 ,  松木英夫 ,  铃木巨裕 ,  石川刚 ,  副岛成雅 ,  渡辺行彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L29/4236 ,  H01L21/047 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/823487 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827

Abstract: 一种半导体装置，其具有半导体衬底，所述半导体衬底包括：体区域；漂移区；沟槽，其从所述半导体衬底的表面延伸穿过所述体区域进入所述漂移区；以及源极区域，所述源极区域被定位为在暴露于所述半导体衬底的所述表面的范围内与所述沟槽邻接，所述源极区域通过所述体区域而与所述漂移区隔离。特定层配置在所述沟槽的底部上，并且它具有在所述特定层与所述漂移区之间的接合部分处形成耗尽层的特性。绝缘层覆盖所述特定层的上表面和所述沟槽的侧壁。导电部形成在所述沟槽的所述侧壁的一部分上。所述导电部被接合至所述特定层，且到达所述半导体衬底的所述表面。

公开(公告)号：CN105981173A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201480075197.3

申请日：2014-10-06

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 高谷秀史 ,  斋藤顺 ,  添野明高 ,  滨田公守 ,  水野祥司 ,  青井佐智子 ,  渡辺行彦

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种半导体装置，具有：终端沟槽，其围绕形成有多个栅极沟槽的区域的周围一周；下端p型区，其为p型，并与终端沟槽的下端相接；外周p型区，其为p型，并从外周侧与终端沟槽相接，且露出于半导体基板的表面；多个保护环区，其为p型，并被形成在与外周p型区相比靠外周侧，且露出于半导体基板的表面；外周n型区，其为n型，并使外周p型区与多个保护环区分离，且使多个保护环区相互分离。

公开(公告)号：CN104919594A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201480004973.0

申请日：2014-01-09

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 青井佐智子 ,  渡辺行彦 ,  铃木克己 ,  水野祥司

IPC: H01L29/66

CPC classification number: H01L29/66348 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0869 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括:在漂移层的第一区域中形成第一沟槽,该漂移层具有包括第一区域和第二区域的表面；在形成第一沟槽之后,在漂移层的表面上生长p型基极层的晶体；以及在基极层的表面上生长n型源极层的晶体。漂移层的材料、基极层的材料和源极层的材料是宽带隙半导体。

公开(公告)号：CN104465719A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410487147.8

申请日：2014-09-22

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 斋藤顺 ,  青井佐智子 ,  渡辺行彦 ,  山本敏雅

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/0603

Abstract: 本发明提供一种半导体装置(10)，其包括半导体基板(11)，所述半导体基板具有元件区域(12)以及终端区域(14)。元件区域包括：第一体区域(36a，38)，其具有第一导电类型；第一漂移区(32)，其具有第二导电类型；以及第一浮动区域(34)，其具有第一导电类型。终端区域包括场限环区域(41)、第二漂移区(32b)以及第二浮动区域(37)。场限环区域具有第一导电类型并围绕元件区域。第二漂移区具有所述第二导电类型，并与场限环区域相接触且围绕场限环区域。所述第二浮动区域具有第一导电类型并被第二漂移区围绕。所述第二浮动区域围绕元件区域。至少一个所述第二浮动区域相对于最接近所述元件区域的一个场限环区域而被置于元件区域侧。