公开(公告)号：CN1516289A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN200310124701.8

申请日：1998-03-10

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 塩崎笃志 ,  齐藤惠志 ,  金井正博 ,  大利博和 ,  冈田直人

IPC: H01L31/0376 ,  H01L31/04 ,  H01L31/075

CPC classification number: H02J7/35 ,  B32B17/04 ,  B32B17/10788 ,  H01L31/048 ,  H01L31/076 ,  Y02B10/12 ,  Y02B10/14 ,  Y02E10/548 ,  Y02P90/50 ,  Y10S136/293

Abstract: 一种光电转换元件，其中含有可透射导电层和保护件并且在特定波长范围内具有低透光率的表面材料设在由多个非单晶半导体结构成的光电转换部分的光入射表面上并且其中在长期使用期间在通过所述表面材料的光照射下由所述多个半导体结中具有最好特性的半导体结产生的光电流总是小于由其它半导体结产生的光电流。

公开(公告)号：CN1363721A

公开(公告)日：2002-08-14

申请号：CN01143331.0

申请日：2001-09-14

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 青田幸人 ,  金井正博

IPC: C23C16/50 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32532 ,  C23C16/515

Abstract: 在一种等离子体处理方法中,在所述阴极的后侧设置至少一个导体板,导体板与所述阴极和相对电极直流电绝缘,并且用一屏蔽壁封闭所述阴极和导体板,以便由所述阴极和所述相对电极提供的电极间耦合电容与由所述阴极和设在所述导体板的后侧的屏蔽壁的底面提供的耦合电容之间的比率不小于一个预定值。由此,能够实现高质量的、高速的等离子体处理。

公开(公告)号：CN1056016C

公开(公告)日：2000-08-30

申请号：CN94120757.9

申请日：1994-12-20

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 藤冈靖 ,  冈部正太郎 ,  金井正博 ,  田村秀男 ,  保野笃司 ,  酒井明 ,  芳里直

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/20

CPC classification number: H01L31/076 ,  H01L31/202 ,  H01L31/204 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种制造光电池的方法及由该方法制得的光电池。在基片上形成包括硅基非晶或微晶半导体层的步骤包括：用高频等离子CVD法分别形成第一导电类型半导体区和在其上形成i-型半导体区的步骤；用等离子掺杂法在所述i-型半导体区上形成导电类型与所述第一导电类型相反的第二导电类型半导体区的步骤。本发明的光电池能控制特性变化并可提供高光电转换效率和高输出电压，其特性不变而且均匀。

公开(公告)号：CN1244031A

公开(公告)日：2000-02-09

申请号：CN99111914.2

申请日：1999-07-30

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 藤冈靖 ,  冈部正太郎 ,  金井正博 ,  凭井明 ,  泽山忠志 ,  幸田勇藏 ,  矢岛孝博

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/50 ,  H01L31/04

CPC classification number: C23C16/509 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  H01L31/204 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/545 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种制造半导体层的方法,将原料气体引入放电室中,对该室施加高频功率,通过放电分解原料气体,在室中的衬底上形成半导体层,它包括步骤:提供至少是甚高频(VHF)的高频功率作为高频功率;对放电室施加直流功率的偏置功率和/或射频(RF)的高频功率同时还施加VHF高频功率;和控制流进对其施加偏置功率的电极中的电流的直流分量,使放电室内壁面积上的电流密度处于0.1A/m2至10A/m2的范围内。高质量的半导体层可大面积高速地淀积。

公开(公告)号：CN1029992C

公开(公告)日：1995-10-11

申请号：CN89103425.0

申请日：1989-05-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 川上総一郎 ,  金井正博 ,  新井孝至 ,  村上勉

IPC: C23C16/48

CPC classification number: H01J37/32357 ,  H05H1/46

Abstract: 一种微波等离子体处理装置包括真空容器，靠微波传输电路把微波导入该容器的装置，向容器内供给原料气体的装置，将容器抽空的装置和样品支架，微波传输电路中设置有与两个匹配电路成一体的空腔谐振器，谐振器外侧设有磁场产生器。该装置的主要特点是：用调节谐振器长度的塞子和圆筒形滑动隔膜、E-H或三短截线式调谐器使匹配容易进行；谐振器内设一钟罩以激励TM模式；在谐振器外安装磁场产生器以提供高磁通密度区域。

公开(公告)号：CN1048568A

公开(公告)日：1991-01-16

申请号：CN90103311.1

申请日：1990-06-28

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 松山深照 ,  狩谷俊光 ,  藤岡靖 ,  武井哲也 ,  中川克巳 ,  金井正博 ,  越前裕

IPC: C23C16/48 ,  C23C16/24

CPC classification number: H01L31/076 ,  C23C16/511 ,  C23C16/545 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/3277 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/872 ,  H01L31/202 ,  H01L31/204 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 微波等离子CVD方法用以连续地形成大面积的长的功能性淀积膜，包括：使一衬底腹板从释放机构到卷收机构在纵向连续地运动；在运动中将衬底腹板弯曲和突出形成一圆柱形部分作为膜生成腔的圆周墙；将原料气体由供气装置引入到上述膜生成腔内；同时利用微波施加器装置将微波能量辐射到上述膜生成腔内，以在上述的膜生成腔内产生微波等离子，借此在暴露在上述微波等离子中的上述连续运动的圆周墙的内墙表面上形成淀积膜。

公开(公告)号：CN1038673A

公开(公告)日：1990-01-10

申请号：CN89103425.0

申请日：1989-05-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 川上一郎 ,  金井正博 ,  新井孝至 ,  村上勉

IPC: C23C16/48

CPC classification number: H01J37/32357 ,  H05H1/46

Abstract: 一种微波等离子体处理装置包括真空容器、靠微波传输电路把微波导入该容器的装置、向容器内供给原料气体的装置、将容器抽空的装置和样品支架，微波传输电路中设置有与两个匹配电路成一体的空腔谐振器，谐振器外侧设有磁场产生器。该装置的主要特点是：用调节谐振器长度的塞子和圆筒形滑动隔膜、E-H或三短截线式调谐器使匹配容易进行；谐振器内设一钟罩以激励TM模式；在谐振器外安装磁场产生器以提供高磁通密度区域。

公开(公告)号：CN1311564C

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200310124701.8

申请日：1998-03-10

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 塩崎笃志 ,  齐藤惠志 ,  金井正博 ,  大利博和 ,  冈田直人

IPC: H01L31/0376 ,  H01L31/04

CPC classification number: H02J7/35 ,  B32B17/04 ,  B32B17/10788 ,  H01L31/048 ,  H01L31/076 ,  Y02B10/12 ,  Y02B10/14 ,  Y02E10/548 ,  Y02P90/50 ,  Y10S136/293

Abstract: 一种光电转换元件，其中含有可透射导电层和保护件并且对特定波长范围内的光具有低透射率的表面材料设置在由多个非单晶半导体结构成的光电转换部分的光入射表面上，并且其中在长期使用期间，在通过所述表面材料的光照射下，由所述多个半导体结中具有最好特性的半导体结产生的光电流总是小于由其它半导体结产生的光电流。

公开(公告)号：CN1269189C

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200310116461.7

申请日：1997-09-05

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 冈部正太郎 ,  藤冈靖 ,  金井正博 ,  酒井明 ,  泽山忠志 ,  幸田勇藏 ,  芳里直 ,  矢岛孝博

IPC: H01L21/205 ,  H01L31/20 ,  C23C16/513

CPC classification number: H01L31/076 ,  H01L31/075 ,  H01L31/202 ,  H01L31/204 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种堆积膜形成设备，利用等离子体化学汽相淀积方法，在长的衬底上连续堆积多个半导体层，其特征是，至少第1堆积室具有使原材料气体沿着所述长衬底移动方向，从上部流入下部的装置，第2堆积室具有使原材料气体沿所述长衬底移动方向从下部流向上部的装置，所述第1堆积室和所述第2堆积室由分开的通路相互连接在一起。

公开(公告)号：CN1193436C

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN01140757.3

申请日：2001-07-11

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 矢岛孝博 ,  金井正博 ,  杉山秀一郎

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/20

CPC classification number: C23C16/509 ,  C23C16/24 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 在放电空间内，衬底201和阴极206相距d(cm)放置，含有一种或多种硅化合物的气体和氢气导引至放电空间，设定成膜压力P(Pa)和d的乘积Pd以及氢的流动速率M(SLM)以满足：80M+200≤Pd≤160M+333。在放电空间内施加射频功率以产生等离子体和在衬底201上形成无定形硅薄膜。从而提供了一种薄膜形成方法，使非晶硅膜的形成成为可能，其中在成膜速率获得提高的同时，还均可获得促进实现大面积的均匀的成膜速率分布和高的转化率。