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公开(公告)号：CN101943864B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201010221430.8
申请日：2010-06-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0395 , G03F7/0397
Abstract: 本发明提供一种正型光阻组合物，其至少含有：(A)基础树脂，其是具有由酸不稳定基保护的酸性官能基的碱不溶性或难溶性的树脂，且在此酸不稳定基脱离时变为碱可溶性；(B)产酸剂；及(C)作为碱性成分的含氮化合物；其特征在于：所述基础树脂含有以下述通式(1)所表示的重复单元，并含有一种或两种以上的以下述通式(2)及/或通式(3)所表示的重复单元，而且，构成所述基础树脂的全部重复单元中，含有70摩尔％以上的以下述通式(1)、通式(2)和通式(3)所表示的重复单元。根据本发明，可以提供一种在用以进行微细加工的光刻，特别是使用KrF激光、极端紫外线、电子束、X射线等作为曝光源的光刻中，耐蚀刻性和解像性优异，即使在基板表面也可以形成良好的图案形状的正型光阻组合物，以及使用此正型光阻组合物的图案形成方法。
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公开(公告)号：CN101477307B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN200810154778.2
申请日：2008-06-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0046 , G03F7/0392
Abstract: 光掩模坯料具有抗蚀膜，该抗蚀膜包含(A)基础树脂，(B)产酸剂，和(C)碱性化合物。该抗蚀膜进一步包含(D)聚合物，该聚合物包含具有侧链的重复单元，该侧链带有氟化烃基，该氟化烃基包含与羟基键合的碳原子和与该碳原子键合的邻近碳原子，该邻近碳原子总计至少有两个与其键合的氟原子。聚合物(D)的加入确保整个抗蚀膜的均匀显影，能形成具有高CD均匀性的抗蚀图案。
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公开(公告)号：CN102253600A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110141668.4
申请日：2011-02-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0382 , G03F1/14 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , Y10S430/11 , Y10S430/111
Abstract: 提供了一种化学放大负性抗蚀剂组合物，包括(A)可溶于碱的基础聚合物，(B)酸产生剂和(C)含氮化合物，所述基础聚合物(A)在酸催化作用下变为碱不溶性。包括在侧链上具有氟化羧酸鎓盐的聚合物作为基础聚合物。用平版印刷法加工该负性抗蚀剂组合物可以形成抗蚀图案，其具有均匀的低酸扩散，LER改善和基材毒化降低的优点。
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公开(公告)号：CN102096321A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010568163.1
申请日：2010-11-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/038 , G03F1/08 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/20 , Y10S430/111
Abstract: 本发明是一种负型光阻组合物，其至少含有：(A)为碱可溶性且可由于酸的作用而变为碱不溶性的基础聚合物；(B)产酸剂；及(C)碱性成分；其特征在于：所述基础聚合物至少含有一高分子化合物，该高分子化合物含有由下述通式(1)及下述通式(2)所表示的重复单元，且重量平均分子量为1,000～10,000。根据本发明，可提供一种在形成微细图案时不易产生桥接，且能够赋予高解像性的负型光阻组合物及使用此负型光阻组合物的图案形成方法，
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公开(公告)号：CN102081304A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201010559623.4
申请日：2010-11-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0382 , G03F7/0045
Abstract: 本发明是一种负型光阻组合物，其特征在于：基础树脂至少含有由下述通式(1)及(2)所表示的重复单元，且重量平均分子量为1,000～10,000，作为碱性成分的含氮化合物包含一种以上的具有羧基且不具有以共价键与作为碱性中心的氮原子键合的氢的胺化合物。根据本发明，可提供一种不易于产生桥接，并且基板依存性较小，可形成解像性优异的图案的负型光阻组合物及使用此负型光阻组合物的图案形成方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102040700A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010505496.X
申请日：2010-10-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C08F212/14 , C08F8/12 , G03F7/039
CPC classification number: G03F7/0392 , C08F8/12 , C08F212/14 , C08F212/32 , C08F220/18 , C08F2220/1825 , C08F2220/1833 , C08F2220/185 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , C08F220/30 , C08F230/08
Abstract: 提供一种使受保护的聚合物去保护的方法，在包含具有用酰基保护的酚羟基的单元结构的聚合物的去保护反应中，该方法能够在短时间段内使该聚合物脱去酰基同时保持其它结构，并且能够取出已脱去酰基的聚合物同时高度抑制已脱去酰基的聚合物被除了参与反应的聚合物之外的物质污染。更具体地，提供一种使受保护的聚合物去保护的方法，至少包括在有机溶剂中溶解所述受保护的聚合物和去保护试剂的步骤，所述受保护的聚合物至少包含具有用酰基保护的酚羟基的单元结构，所述去保护试剂选自由各自具有1.00以下的ClogP值的伯胺化合物或仲胺化合物，条件是在所述仲胺化合物中，耦合至氨基氮原子的两个碳原子的任一个都不是三代的。所述伯胺化合物或仲胺化合物各自优选由式HNR12-nR2n(1)表示。
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公开(公告)号：CN119613298A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411270307.3
申请日：2024-09-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07C309/42 , C07C381/12 , C07D307/93 , C07D493/18 , C07D327/04 , C07D495/18 , C07D513/18 , C07D275/06 , C07D491/18 , C07D327/08 , G03F7/004 , G03F7/039 , G03F7/20
Abstract: 本发明涉及鎓盐、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题是提供可产生扩散小的酸的鎓盐、含有其的化学增幅正型抗蚀剂组成物、及使用该抗蚀剂组成物的抗蚀剂图案形成方法。该课题的解决手段为一种鎓盐，以下式(A)表示。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118938604A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410573460.7
申请日：2024-05-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题是提供一种可改善图案形成时的矩形性，且可获得LER、分辨度、图案忠实性及剂量宽容度经改善的抗蚀剂图案的化学增幅负型抗蚀剂组成物，以及提供一种抗蚀剂图案形成方法。该课题的解决手段为一种化学增幅负型抗蚀剂组成物，包含：(A)淬灭剂，含有下式(A)表示的鎓盐，及(B)基础聚合物，含有含下式(B1)表示的重复单元的聚合物。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118938600A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410567911.6
申请日：2024-05-09
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题是提供一种可改善图案形成时的矩形性，且可获得LER、分辨度、图案忠实性及剂量宽容度经改善的抗蚀剂图案的化学增幅负型抗蚀剂组成物，以及提供一种抗蚀剂图案形成方法。该课题的解决手段为一种化学增幅负型抗蚀剂组成物，含有：(A)包含下式(A)表示的鎓盐的淬灭剂，及(B)包含含有下式(B1)表示的重复单元的聚合物的基础聚合物。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN117148678A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310637455.3
申请日：2023-06-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题为提供包含能产生具有适度的酸强度且扩散小的酸的酸产生剂的化学增幅正型抗蚀剂组成物、及使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。本发明的解决手段为一种化学增幅正型抗蚀剂组成物，包含：(A)含有选自下式(A1)表示的锍盐及下式(A2)表示的錪盐中的至少1种的酸产生剂；以及(B)基础聚合物，包含含有下式(B1)表示的重复单元且因酸的作用而分解并在碱显影液中的溶解度增大的聚合物。
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