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公开(公告)号：CN101570312B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200910033256.1
申请日：2009-06-11
Applicant: 南京大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明涉及一种实现纳米硅量子点可控掺杂的方法，属于纳米光电子器件技术领域。该方法包括制备掺杂非晶硅薄膜、制备掺杂非晶硅多层膜、以及借助激光照射制备掺杂纳米硅量子点等步骤。本发明提供一种了便捷有效的纳米硅量子点的可控掺杂制备方法，其处理时间短，在纳秒量级，不会对薄膜和衬底造成损伤，且与当前的微电子工艺技术相兼容。在实施过程中，主要采用高能量激光辐照薄膜表面，获得尺寸均匀的纳米硅量子点，并同时实现杂质浓度的可控掺杂，改善薄膜的光电学性质。基于该方法制备的掺杂纳米硅量子点在未来纳米电子和纳米光电子器件等领域中将具有广阔应用前景。
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公开(公告)号：CN101645422A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910181322.X
申请日：2009-07-17
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/8247 , H01L21/28
Abstract: 基于分立电荷存储模式的高密度、单分散、高可靠纳米硅存储器的制备方法，在硅衬底上利用局域氧化工艺形成窗口区域，在注入硼离子并去除SiO 2 膜后，采用以下步骤：1)在窗口区域制备隧穿氧化层：用氯化氢氧化工艺方法制备隧穿氧化层，厚度：3.5±0.5nm；2)制备纳米硅层层：采用低压化学气相淀积方法，形成高密度、单分散特性一致的nc-Si；nc-Si尺寸：15-20nm；3)制备氮化nc-Si层，对nc-Si氮化：对nc-Si氮化，形成相互电绝缘的nc-Si，同时在nc-Si周围形成势垒层，改善存储信息的保存时间，氮化后的nc-Si尺寸：5-10nm；4)制备氮化硅控制栅：厚度为20-30nm。
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公开(公告)号：CN100483744C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200710021060.1
申请日：2007-03-23
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/788 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/8247
Abstract: 基于双层纳米硅结构的半导体非挥发性浮栅存储器，以p型硅(电阻率为1-10Ω·cm)作为衬底(20)，源漏极(22、28)在衬底的两侧，在衬底上先设有第一层隧穿介质层形成的SiO2层(23)，厚度为1-2nm或SiNx层，厚度为3-5nm；然后是第一纳米Si层(24)，晶粒尺寸为2-7nm；衬底上第二层隧穿介质层亦为SiO2层(26)，厚度为1-2nm或SiNx层，厚度为3-5nm；然后是第二纳米Si层，晶粒尺寸为2-7nm；第二纳米Si层上淀积形成控制氮化硅介质层，厚度为8-20nm；氧化硅或氮化硅介质层上是多晶硅栅。
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公开(公告)号：CN101132042A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710132145.7
申请日：2007-09-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 提高掺氧硅基氮化物薄膜电致发光器件发光效率的方法，其步骤是1)在室温下生长富硅非晶氮化硅(a－SiNx)薄膜：利用等离子体增强化学汽相淀积方法，在室温下，采用硅烷(SiH4)和氨气(NH3)作为反应气源，在ITO玻璃衬底上淀积a－SiNx薄膜，SiH4与NH3的流量比控制在0.5－1之间，薄膜厚度60－100nm；2)氧等离子体源氧化以形成富硅的掺氧非晶氮化硅(a－SiNx)薄膜：在衬底温度为95－105℃的条件下，利用PECVD技术，用氧等离子体源氧化室温生长的a－SiNx薄膜，氧等离子体处理时间：10－30min；形成富硅的掺氧a－SiNx薄膜，以这层薄膜作为器件的有源层。
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公开(公告)号：CN100367467C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200610085300.X
申请日：2006-06-09
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种常温下用硅衬底上的单层CdTe纳米晶体作为掩模版，构筑高密度均匀分布硅纳米点、纳米线的方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。该方法包括1)氧化、刻蚀；2)铺设单层CdTe纳米晶体模版；3)反应离子刻蚀；4)去除模版和漂洗；5)退火、钝化各步骤，完成高密度均匀分布硅纳米点、纳米线的构筑。采用本发明的方法后，可以与当前微电子工艺技术相兼容，避免使用成本昂贵的超精细加工技术，在获得均匀分布的高密度纳米硅的同时，可对纳米晶粒表面进行有效钝化，以降低缺陷态密度，因而能够显现出由于尺寸变化而引起的量子效应，达到调控低维有序体系结构和性能的目的，使纳米硅量子点走出实验室，切实实现产业化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101017873A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200710020068.6
申请日：2007-02-09
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 掺氧硅基氮化物薄膜黄绿波段发光二极管，在电阻率为4－20Ωcm的P型单晶硅片或ITO玻璃衬底上淀积a－SiNx薄膜，薄膜厚度在40－100nm之间，在a－SiNx薄膜上再镀有薄膜金属电极；P型单晶硅片的背面镀有另一电极，ITO本身构成另一电极。对于以ITO为阳极的硅基发光器件，直接在有源层上蒸镀一层1μm厚的金属铝(Al)薄膜作为阴极，Al电极为直径为3mm的圆斑，其中以ITO为阳极的一端为光出射端。
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公开(公告)号：CN1658069A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN200410065998.X
申请日：2004-12-29
Applicant: 南京大学
Abstract: 纳米印章技术中纳米级模板的制备方法，先制备多层膜：多层膜为非晶硅(a－Si)/氮化硅(SiNx)、(a－SiC)/(SiNx)、(a－Ge)/(SiNx)、Ge/Si等多层膜调制结构，对上述多层膜样品的剖面进行切片、磨片与抛光，暴露出光洁的多层膜侧面，再进行选择性腐蚀，在多层膜样品的剖面形成纳米级浮雕模板。避免了使用昂贵的电子束光刻设备。采用等离子体化学汽相淀积(PECVD)技术制备的a－Si/SiNx多层膜的周期可精确控制到纳米量级，层厚最小可达到2nm，从而使模板的图案尺寸可减小到2nm，当图形转移到Si片上可产生纳米尺度的图案。
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公开(公告)号：CN1438168A
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN03113046.1
申请日：2003-03-25
Applicant: 南京大学
IPC: B82B3/00
CPC classification number: B82Y30/00 , C30B29/605
Abstract: 激光诱导制备尺寸可控高密度纳米硅量子点列阵的方法：先进行多层调制结构的制备：利用等离子体增强化学汽相淀积技术制备非晶硅或锗/非晶氮化硅或二氧化硅的单层或多层调制结构，其中a－Si：H子层厚度与激光晶化后希望获得的量子点尺寸基本相符；然后用激光诱导晶化：衬底温度：150－250℃。本发明实现限制性结晶能够有效地控制硅量子点的形成与大小分布，由于多层调制结构中a－Si：H子层的厚度可人工设计，精度可达0.5nm，可控性强，从而使得最后形成的nc－Si量子点尺寸也可人工设计并控制。介质层a－SiNX：H或a－SiO2子层厚度可薄至5nm，
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公开(公告)号：CN101645422B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200910181322.X
申请日：2009-07-17
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/8247 , H01L21/28
Abstract: 基于分立电荷存储模式的高密度、单分散、高可靠纳米硅存储器的制备方法，在硅衬底上利用局域氧化工艺形成窗口区域，在注入硼离子并去除SiO2膜后，采用以下步骤：1)在窗口区域制备隧穿氧化层：用氯化氢氧化工艺方法制备隧穿氧化层，厚度：3.5±0.5nm；2)制备纳米硅层层：采用低压化学气相淀积方法，形成高密度、单分散特性一致的nc-Si；nc-Si尺寸：15-20nm；3)制备氮化nc-Si层，对nc-Si氮化：对nc-Si氮化，形成相互电绝缘的nc-Si，同时在nc-Si周围形成势垒层，改善存储信息的保存时间，氮化后的nc-Si尺寸：5-10nm；4)制备氮化硅控制栅：厚度为20-30nm。
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公开(公告)号：CN100555692C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200710132145.7
申请日：2007-09-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 提高掺氧硅基氮化物薄膜电致发光器件发光效率的方法，其步骤是1)在室温下生长富硅非晶氮化硅(a-SiNx)薄膜：利用等离子体增强化学汽相淀积方法，在室温下，采用硅烷(SiH4)和氨气(NH3)作为反应气源，在ITO玻璃衬底上淀积a-SiNx薄膜，SiH4与NH3的流量比控制在0.5-1之间，薄膜厚度60-100nm；2)氧等离子体源氧化以形成富硅的掺氧非晶氮化硅(a-SiNx)薄膜：在衬底温度为95-105℃的条件下，利用PECVD技术，用氧等离子体源氧化室温生长的a-SiNx薄膜，氧等离子体处理时间：10-30min；形成富硅的掺氧a-SiNx薄膜，以这层薄膜作为器件的有源层。
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